説明

株式会社クレステックにより出願された特許

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【課題】パターンの輪郭が滑らかに、かつ高い解像度で、パターン描画できる相変化メモリ選択型電子源および描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の相変化メモリ選択型電子源は、一の方向に伸びる第1の電極が複数配置された第1の電極群、一の方向と直交する他の方向に伸びる第2の電極が複数配置された第2の電極群および第1の電極群と第2の電極群との間に設けられた抵抗層を備えるマトリクス電極部を有し、マトリクス電極部上に順番に、相変化し、局所的に抵抗値が変化する相変化メモリ層、電子通過層および表面電極が形成されている。マトリクス電極部および表面電極に電圧を印加する第1の電源部と、少なくとも1つの第1の電極と少なくとも1つの第2の電極とに電圧を印加する第2の電源部と、パターンに基づいて第1の電極および第2の電極を選択して第2の電源部により電圧を印加させるパターン生成部とを有する。 (もっと読む)


【課題】量子細線については高さを揃えて、量子ドットについては直径を一定に形成することができる多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法は、多結晶シリコン層の表面を平坦化する工程と、平坦化された多結晶シリコン層の活性化処理する工程と、多結晶シリコン層に、溶液を用いた陽極酸化をする工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】描画領域が大きい場合でも、電子線を用いたパターン描画を等倍で一括に行うことができる面放出型電子源および描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の面放出型電子源は、平面状の第1の電極と、第1の電極に対向して設けられた平面状の第2の電極と、第1の電極と第2の電極の間に設けられた電子通過層と、第2の電極および第1の電極に電圧を印加する電源部とを有する。電子通過層は、第1の電極から第2の電極に向かう第1の方向に伸びる量子細線が所定の間隔をあけて複数設けられているものであり、第2の電極の表面から電子が放出される。 (もっと読む)


【課題】電子線を照射する照射系での非点収差を評価する。
【解決手段】基準試料WPの表面に、複数(例えば4つ)の同心円からなる図形パターンを形成し、この基準試料WPを電子線でスキャンすることによって得られる電子信号に基づいて画像(スキャン画像)を形成する。このスキャン画像では、非点収差の方向を長手方向とする領域に像のボケが生じ、また、非点収差の大きさによって、ボケが生じた領域の範囲が変化する。したがって、得られたスキャン画像に基づいて、照射装置10の照射系での非点収差の方向及び大きさを検出することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】チャンバの内部空間で装置を保持するベースの変形量を抑制する。
【解決手段】真空チャンバ11の内部空間10A,10Bを真空引きすることによって、ベース15を変形させるような力が作用する場合に、内部空間10Bと外部空間との圧力の差分を補正機構50を介してベース15の変形を打ち消すように作用させる。これにより、ベース15の中央部近傍の変形を抑制し、ベース15の平面度を良好に維持することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】試料の表面に形成する描画パターンの描画領域が大きい場合でも、描画パターンを正確、かつ容易に描画することができる荷電粒子ビーム描画装置および描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、描画領域が分割された各分割画素に描画パターンに応じた荷電粒子ビームの照射、非照射が割り当てられたパターンデータを用いて、先頭アドレスと走査開始点を設定S10,S12し、第1の走査方向に荷電粒子ビームを各分割画素に走査させつつ、荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して、描画パターンのうち走査線部分のパターンを形成S14し、これを繰返し行うS16。基準分割画素と分割画素とを比較し、分割画素が大きい場合、同じ分割画素内で荷電粒子ビームの走査開始位置を一致させることなく、パターンデータのうち、走査線部分のパターンに相当するデータを用いて、荷電粒子ビームを第1の走査方向に複数回繰り返し走査させる。 (もっと読む)


【課題】物体の描画面上に短時間に精度よくパターンを描画する。
【解決手段】電子ビームによって感光される速度で回転する基板Wの領域MAに収束される電子ビームを、第2偏向電極18にパルス電圧PVを印加することで、ブランキングすることなく+X方向に周期的に偏向する。これにより、電子ビームのビームスポットSPを領域MA内に規定されたいずれかのトラックTr上へ周期的に位置決めすることができ、電子ビームを常時いずれかのトラックTr上のマークMmnの描画に寄与させることができる。 (もっと読む)


【課題】電子ビームを高い位置精度で試料の所定の位置に照射して情報を記録することができる電子ビーム記録装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム記録装置10は、電子ビームを用いて試料の表面上に情報を記録するものであって、電子ビームbを放射する電子源と、電子ビームの照射軸線上に進入または退避可能に設けられ、照射軸線上における磁界情報を得る磁気検出器36と、この磁気検出器による磁界情報から、試料の表面に対する電子ビームの収束位置を補正するための補正量を求める収束位置制御部21と、電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整する収束位置調整手段78とを有する。さらに、収束位置制御部は、補正量に基づいて、収束位置調整手段に電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整させる。 (もっと読む)


【課題】試料の表面に形成する描画パターンが、複雑なものであっても、描画パターンを分割することなく容易に描画パターンを試料の表面に形成できる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを試料の表面に2次元的に走査しつつ、試料の表面に対する荷電粒子ビームの照射、非照射を所定の描画パターンに応じて制御する制御信号により、荷電粒子ビームの照射、非照射を制御して所定の描画パターンを形成するものであり、描画パターンを分析し、描画パターンのパターン部を構成する所定のパターンおよび描画パターンの外縁を規定するマスクパターンを作成する描画パターン作成部と、所定のパターンに応じたブランキング信号を発生させ、このブランキング信号に対してマスクパターンに基づくマスク処理を施して制御信号を作成するパターン発生部とを有する。 (もっと読む)


【課題】従来の水準よりもさらに1桁から2桁以上の超高感度検出可能なカソードルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】(1)電子ビーム照射系、(2)真空容器、(3)真空排気系、(4)試料を保持するためのステージ、(5)試料から放出されたカソードルミネッセンスを集光するための集光光学系、(6)集光された光を分光器へ転送するための光転送系、(7)転送された光を分光するための分光系、(8)分光された光を検出するための検出系、(9)検出された信号を分析するための分析系から構成るカソードルミネッセンス検出装置において、(5)集光光学系を構成する集光ミラーに色収差と球面収差を同時に補正できるカセグレン式光学配置とし、電子ビームを試料に照射しながら、電子ビーム照射領域からのカソードルミネッセンス取得と同時に試料の高倍率の光学顕微鏡像をリアルタイムで取得することを特徴とするカソードルミネッセンス検出装置。 (もっと読む)


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