【課題】板等の固体の成膜面に蒸着により薄膜を形成する場合に蒸着用材料の加熱に使用され、加熱により溶融、蒸発させる蒸着用材料の溶融物の耐濡れ性に優れた分子線源用坩堝を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体により構成され、且つ、少なくとも内壁面を構成する窒化アルミニウム焼結体が、アルミニウム以外の金属元素の総濃度が５００質量ｐｐｍ以下であり、且つ、酸素濃度が１．０質量％以下である、薄膜堆積用分子線源用坩堝１０。坩堝１０は、窒化アルミニウム焼結体のバルクを製造した後、この窒化アルミニウム焼結体のバルクを非酸化性雰囲気下で、冷却しながら切削加工して坩堝１０の形状とする。 （もっと読む）

【課題】つぼの中の薄膜素子材料の残量が減少しても、ニードルバルブにより分子線量を毎時一定に調整出来るようにする。
【解決手段】薄膜堆積用分子線源は、るつぼ３１、４１の中の薄膜素子材料ａ、ｂを加熱するためのヒータ３２、４２と、基板５１の成膜面へ向けて前記るつぼ３１、４１で発生した薄膜素子材料ａ、ｂの分子を放出する量を調節するバルブ３３、４３を備える。さらに、前記成膜面に向けて放出される分子線量を検知する膜厚計１６、２６で検知された分子線量情報を帰還して、サーボモータ３６、４６によりバルブ３３、４３の開度を調節する制御手段と、前記ヒータ３２、４２の加熱のための電力を供給する加熱電源と、前記分子線量情報とバルブ開度情報とから前記加熱電源の投入電力を調整する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 マスク変形の防止および製造時間の短縮を図る成膜装置、成膜方法および有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置は、成膜材料の供給源と、前記成膜材料の膜が形成される基板とを備えた成膜装置であって、前記基板の表面に対して接近および離反する方向に移動可能にして、前記基板の表面側に配設されたマスク３６と、前記基板の裏面に対して接近および離反する方向に移動可能にして、前記基板の裏面側に配設された磁石２２と、前記磁石２２の移動を所定範囲内に制限する移動制限手段２４と、を備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】 マスクの位置合わせを容易にする成膜装置のマスク位置合わせ機構および成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置のマスク位置合わせ機構は、成膜装置内にマスククランプ２２を配設し、前記マスククランプ２２に前記マスク２６を載せるときの成膜装置のマスク２６位置合わせ機構であって、前記マスククランプ２２は、前記マスク２６の縁部に対応して前記マスク２６の側方から延設された延設部２２ａと、前記延設部２２ａの先端部に設けられた嵌合ピン２２ｂとを有し、前記マスク２６は、その前記縁部に前記マスククランプ２２の前記嵌合ピン２２ｂと嵌め合わされる嵌合穴２６ｃを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】 マスククランプの移動量を複数に分割するマスククランプの移動機構およびこの機構を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 マスククランプ２０の移動機構は、有機ＥＬ素子を製造するための成膜装置におけるマスククランプ２０の移動機構であって、有機材料１２の蒸発源１４に対向して配設され、基板とマスク３４とが重ね合わされるチャック１６と、先端部２０ａを鉤型に形成してなるとともに、チャック１６に重ね合わされたマスク３４を前記先端部２０ａで保持するマスククランプ２０と、前記基板クランプ１８を移動させる伸縮手段２２とを備え、前記伸縮手段２２は、第１伸縮手段２４を装置本体１１に配設するとともに、伸縮動作をなす第１ロッドを板部材２３に接続し、第２伸縮手段２６を前記板部材２３に配設するとともに、伸縮動作をなす第２ロッドを前記基板クランプ１８の基端部に接続または接触させてなる構成である。 （もっと読む）

【課題】 基板を平面に保って成膜を行える成膜装置における基板装着方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置における基板装着方法は、成膜装置に蒸発源と、この蒸発源に対向させたチャック１４とを設け、前記チャック１４に基板を装着保持させる成膜装置における基板装着方法であって、前記チャック１４と前記蒸発源との間に配置したマスク２８上にガラス基板２６を載せ、ガラス基板２６とともに前記マスク２８を前記チャック１４に近づけて、ガラス基板２６を前記チャック１４に接触させ、ガラス基板２６を保持する構成である。 （もっと読む）

【課題】 マスクを基板に近づけても、マスクと基板との位置関係を維持するマスク保持機構および成膜装置を提供する。
【解決手段】 マスク保持機構は、成膜装置のチャック１４に装着保持されている基板に被せられるマスク２４のマスク保持機構であって、前記マスク２４は、磁性体で形成されてなり、前記チャック１４の前記基板を保持するチャック面と反対側に、磁石１６を点状に配設した構成である。そして前記磁石１６は、格子を形成する格子点に配設された構成にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 比較的広い成膜面９でも、単一の蒸発源から放射した分子により、均一性の高い膜厚を有する薄膜を形成出来るようにする。
【解決手段】 複数の案内路４ａ、４ｂ、４ｃを設け、この案内路４ａ、４ｂ、４ｃにより分子蒸気の流量と分子蒸気の方向性を制御することで基板８の成膜面９上の膜厚分布を改善するものである。これにより、基板８の成膜面９の必要な部分に必要な量の成膜材料を到達させることができるので、成膜面９を回転させたり移動ることなく成膜面９上に形成される薄膜の膜厚のバラツキを小さくし、均一な膜厚の薄膜を形成出来るようにした。さらに成膜面９の任意の箇所の膜厚を或る程度自由にコントロール出来るようにした。 （もっと読む）