【課題】半導体多層構造を形成するためのＳＴＩ(Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)工程の化学的機械的研磨(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。
【解決手段】本発明の化学的機械的研磨スラリー組成物は、酸化セリウム研磨剤、カルボン酸またはその塩、アルコール系化合物及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去能力が優れており、高温で揮発による組成の変化および薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐蝕を最少化することができる、レジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】本発明によるレジスト除去用組成物は、電子回路または表示素子の金属配線をパターン化するレジストの除去用組成物に関し、前記レジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネート、および３級アミンおよび酸化剤のうちの少なくともいずれか一つを含む。 （もっと読む）