説明

カーネギー インスチチューション オブ ワシントンにより出願された特許

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本発明は、速い成長速度で製造される無色の単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途を対象とする。本発明はまた、速い成長速度で様々な色の単結晶ダイヤモンドを製造する方法、ならびにこのような着色した単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途も対象とする。
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多量体トリプトファンバイオセンサーが開示され、これはトリプトファン結合の際の蛍光共鳴エネルギー移動の検出および測定を可能とするドナーおよび蛍光部分に結合しているトリプトファン結合ドメインを含む。かかるバイオセンサーは生細胞におけるトリプトファン代謝のリアルタイムモニタリングに有用である。 (もっと読む)


スクロースバイオセンサーが開示され、これはスクロース結合の際の蛍光共鳴エネルギー転移の検出および測定を可能とするドナーおよび蛍光部分に結合したスクロース結合ドメインを含む。かかるバイオセンサーは、生細胞におけるスクロース代謝のリアルタイムでのモニタリングに有用である。 (もっと読む)


導入遺伝子のリピートおよび相同性誘発サイレンシングを回避する方法であって、遺伝子サイレンシングの影響を減少するよう導入遺伝子配列が遺伝子改変されている方法、細胞株またはインビボにおける発現の改善のためのかかる遺伝子改変を含むFRETバイオセンサーが開示される。 (もっと読む)


リン酸バイオセンサーが開示され、これは、リン酸結合の際の蛍光共鳴エネルギー転移の検出および測定を可能とするドナーおよび蛍光部分に結合したリン酸結合ドメインを含む。かかるバイオセンサーは、生細胞におけるリン酸代謝のリアルタイムモニタリングに有用である。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも約30MPa m1/2の靭性を有するマイクロ波プラズマ化学気相析出によって成長させた単結晶ダイヤモンドに関する。本発明は、少なくとも約30MPa m1/2の靭性を有する単結晶ダイヤモンドを生成する方法にも関する。本発明はさらに、単結晶CVDダイヤモンドを単結晶ダイヤモンド基材上に三次元で生成するプロセスに関する。
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本発明は、無色の単結晶ダイヤモンドを高成長速度で製造するための方法に関する。このダイヤモンドの製造方法は、ダイヤモンドの成長表面の温度をそのダイヤモンドの成長表面を横断する全ての温度勾配が約20℃未満となるように制御すること、および単結晶ダイヤモンドを、ダイヤモンドの成長表面上でのマイクロ波プラズマ化学蒸着により、成長温度で、H2の単位あたり約8%〜約20%のCH4およびCH4の単位あたり約5〜約25%のO2を含む雰囲気を有する被着チャンバ内で成長させることを含む。本発明の方法は10カラットより大きいダイヤモンドを製造することができる。本発明の方法を用いる成長速度は50μm/時を上回るものであり得る。
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環境的に安定なバイオセンサが開示され、それはリガンド結合時の蛍光共鳴エネルギー移動の検出および測定を可能にするドナーおよび蛍光部分に結合する好熱性生物由来のリガンド結合ドメインを含む。かかるバイオセンサは、中温生物由来のタンパク質ドメインを用いて構築されたセンサと比較して酸、熱および化学安定性が高いことを示している。 (もっと読む)


本発明は、燃料としてともに使用することができる水素および炭化水素の混合物を用いる水素貯蔵方法に関連する。1つの実施形態において、本発明の方法は、水素および炭化水素を含む混合物を、周囲圧力、および、約10Kを超える温度において固体状態で維持することを伴う。 (もっと読む)


【課題】1時間当たり約1マイクロメートルより大きい成長速度で単結晶ダイヤモンドを製造すること。
【解決手段】ダイヤモンドを製造する方法は、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む。ダイヤモンドの成長速度が1時間当たり1マイクロメートルより大きい。 (もっと読む)


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