説明

エムコア・コーポレイションにより出願された特許

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【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法は、半導体材料のエピタキシャル成長のために第1の基板を準備し、第1のバンドギャップを有する第1のソーラーサブセルを基板上に形成し、第1のバンドギャップより小さい第2のバンドギャップを有する第2のソーラーサブセルを第1のソーラーサブセルの上に形成し、第2のバンドギャップより大きい第3のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを第2のサブセル上に形成し、第2のバンドギャップより小さい第4のバンドギャップを有する第3のソーラーサブセルをグレーディングインターレイヤの上に形成して、第3のサブセルが第2のサブセルに対して格子不整合となるようにし、前記ベースのうちの少なくとも1つが指数関数的にドープされたプロフィールを有するようにする。 (もっと読む)


【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のために第1基板を準備し、第1バンドギャップを有する第1ソーラーサブセルを基板上に形成し、第1バンドギャップより小さい第2バンドギャップを有する第2ソーラーサブセルを第1ソーラーサブセルの上に形成し、貫通転位を防止するために第2サブセルの上にバリア層を形成し、第2バンドギャップより大きな第3バンドギャップを有するグレーディング中間層をバリア層の上に形成し、第2バンドギャップより小さい第4バンドギャップを有する第3ソーラーサブセルであって、第2サブセルに対して格子不整合している第3サブセルをグレーディング中間層の上に形成するステップを含む方法が、開示される。 (もっと読む)


【課題】改良された多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】多接合ソーラーセルは、第1のバンドギャップを有する第1のソーラーサブセルと、この第1のサブセル上に配置され、第1のバンドギャップより小さい第2のバンドギャップを有する第2のソーラーサブセルと、この第2のサブセル上に配置され、第2のバンドギャップより大きい第3のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤーと、このインターレイヤー上に配置され、中間サブセルに対して格子不整合され、且つ第2のバンドギャップより小さい第4のバンドギャップを有する第3のソーラーサブセルと、これら第1、第2及び第3のソーラーサブセルを支持する薄い(約2−6ミル)基板及び/又は堅個なカバーガラスと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】レーザを含む遠隔受信器に対し、ファイバ光リンク上に伝送のための変調された光信号を生成する光送信器を提供する。
【解決手段】光出力信号をRF信号で外部変調して変調情報保持成分を有する光信号を生成するための変調器と、変調器の出力に結合されるか、又はレーザにおいて生成されたノイズ信号をキャンセルするためのレーザ出力に直接結合されるか、のいずれかの位相変調器とからなる。 (もっと読む)


【課題】変成層を有する多接合太陽電池を含む集積半導体構造を提供する。
【解決手段】半導体材料のエピタキシャル成長のための第1の基板を準備する段階と、基板上に第1のバンドギャップを有する第1の太陽電池サブセルを形成する段階と、第1のサブセルの上に第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の太陽電池サブセルを形成する段階と、第2のサブセルの上に第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、第2のバンドギャップよりも小さい第4のバンドギャップを有する第3の太陽電池サブセルを形成し、そのために第3のサブセルが第2のサブセルに対して格子不整合であるようにする段階とを含む、上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法。 (もっと読む)


【課題】上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うVCSELを提供すること。
【解決手段】上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第1ミラー層スタックと、第1スタック上に配置された活性層と、活性層上に配置された交互の屈折率の第2ミラー層スタックと、第2スタックの中央に配置され、レーザのスペクトル幅特性を改善するために第2ミラー層スタックの少なくとも幾つかを通って延びる凹部と、を有する表面発光レーザである。 (もっと読む)


【課題】アナログ伝送を用いて都市圏及び長距離伝送の光ネットワークでアナログ光出力が使用され得る一方、分散による有害な影響を回避できるように、1550nmにおけるレーザの直接変調のための、単純で低コストのシステムを提供する。
【解決手段】レーザ、レーザをアナログRF信号で直接振幅変調して、振幅変調された情報包含要素及び位相変調された要素を含む光信号を生成するための変調器、及び、遠隔受信器において受信された光信号に存在する歪を削減するために前記レーザの出力にカップルされた位相変調器、を備える、光ファイバ・リンクを介した、遠隔受信器への送信のための変調された光信号を生成するための光送信器。 (もっと読む)


【課題】光電回路基板上へのレーザの装着に使用される半導体レーザパッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、光電回路基板で使用するのに適するアダプタを開示する。本発明によるアダプタは、パッケージピンアウト配置をプリント回路基板上の所望のピンアウト配置に適応させる役目をする。アダプタは、パッケージピンアウト配置に電気的に結合するピンイン配置を含む。アダプタは、更に、所望のピンアウトと幾何学的に同一のアダプタピンアウト配置と、ピンイン配置をアダプタピンアウト配置に接続する複数の電気経路を提供するフレックス回路とを含む。様々な実施形態では、アダプタは、アダプタピンアウトとフレックス回路を単一の平坦な方式で一緒に保持するためのクラムシェルを更に含む。 (もっと読む)


【課題】ファイバ光ケーブルに情報システムユニットを結合するための差込可能コネクタを提供する。
【解決手段】本発明にかかるコネクタは、ハウジングと、ハウジング末端に接続された光コネクタ上に配置され、光コネクタを包囲する可動カラーと、上記可動カラーに接続されたカムと、情報システムユニットのレセプタクルを係合するために上記ハウジングの側面から延びるスプリング負荷されたラッチとを有してレセプタクル内のコネクタを固定しており、前記カムは、前記可動カラーが前記ハウジングから離れる方向に引かれたときに前記ラッチが引き込まれて前記コネクタが前記レセプタクルから解除可能となるよう、前記スプリング負荷されたラッチに係合されている。 (もっと読む)


【課題】上側メサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うVCSELを提供すること。
【解決手段】上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第1ミラー層スタックと、第1スタック上に配置された活性層とを有する表面発光レーザである。表面発光レーザはまた、活性層上に配置された交互の屈折率の第2ミラー層スタックと、活性層とは反対側の第2スタック側において第2スタックの中央部から外方に延びる表面発光レーザの光学的開口部を形成する第2スタックの減少された直径のミラー延長部とを有する。 (もっと読む)


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