【課題】フラッシュメモリ・デバイスのオペレーションをモニターするために用いられる新規なデバイスを得る。
【解決手段】フラッシュメモリ・デバイスは、データ・ページを記憶するためのメモリ・セルのアレイ、メモリ・セルのアレイとホストとの間でデータ・ページを転送するための少なくとも一つのバッファ（例えば、メモリ・バッファやキャッシュ・バッファ）、そして出力ピンを含む。ロジック・メカニズムは、メモリ・セルのアレイ上のオペレーションに関連する複数の条件の中から、出力ピン上に信号を出力させる条件を選択するよう作動可能である。ホストによるデータ・ページ転送は、出力ピン上に出力される信号に依存する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ・ダイをテストするための方法、システムおよびデバイスを得る。
【解決手段】デバイス製造のポスト・ウェファ・ソート・ステージ中に、共通ハウジングに関連づけられたフラッシュ・コントローラ・ダイおよび少なくとも一つのフラッシュメモリ・ダイを各々が含む複数のフラッシュメモリ・デバイスを、例えば、バッチ・テスト・プロセスまたはマス・テスト・プロセス等のテスト・プロセスへ通す。テスト中、各フラッシュ・コントローラ・ダイ上に属するフラッシュコントローラが、各フラッシュデバイスの一つ以上のフラッシュメモリ・ダイの各々をテストするための、少なくとも一つのテスト・プログラムを実行する。少なくとも１００個のフラッシュメモリ・デバイスおよびマス・テスト・ボードを含むテスト・システムを開示する。さらに、フラッシュコントローラが一つ以上のフラッシュメモリ・ダイをテストするよう作動可能なフラッシュメモリ・デバイスを開示する。模範的なテストは、不良ブロック・テストを含む。 （もっと読む）

【課題】一つ以上のフラッシュメモリ・セルからデータを読み取るための、そして読み取りエラーから復旧するための、方法、デバイスおよびコンピュータで読み込み可能なコードを開示する。
【解決手段】エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、例えばエラー訂正が成功するまで、少なくとも一度、一つ以上の修正基準電圧を用いて、フラッシュメモリ・セルの再読み出しを行う。いくつかの実施例においては、エラー訂正が成功した後、当座の間フラッシュメモリ・セルにデータ（例えば、読み出したデータの信頼可能な値）を再書き込みすることなく、以降の読み出しリクエストを処理する。エラーを訂正した読み取りに関する基準電圧をメモリに記憶して、以降の読み出しリクエストに応答するときに読み出してもよい。いくつかの実施例においては、修正基準電圧は、予め定めた基準電圧である。代替的に、または追加的に、これらの修正基準電圧は、必要に応じ、例えばランダムに算出した値を用いて、あるいはエラー検出訂正モジュールが提供する情報に応じて決定してもよい。 （もっと読む）

【課題】主演算処理ユニットが、システムが作動する周辺機器のドライバとして機能する、分散型デジタル処理システムを得る。
【解決手段】 本発明は、次のものを含むコンピューティング・ポータル・システムのためのシステムおよび方法を開示する。演算を実行するためのコンピューティングエンジン。オペレーティングシステムのプログラム・コードを記憶するための、少なくとも一つのメモリ・コンポーネント。エンジンに機能的接続性を提供する、コンタクト・パッドからなるコンピューティングエンジン・コネクタ。エンジン、少なくとも一つのメモリ・コンポーネント、そしてコネクタを収容するための固体パッケージ。コネクタへ作動可能に接続したときに各アセンブリがパワーおよびリソースを提供する、少なくとも二つの周辺機器アセンブリ。そして少なくとも一つのメモリ・コンポーネント上に存在し、エンジンを各コンピューティングポータルの主演算処理ユニットとして機能させることが可能なプログラム・コード。この場合、各コンピューティングポータルは、コンピューティングエンジンと、エンジンを一つのアセンブリへ作動可能に接続したときの一つのアセンブリを含む。 （もっと読む）

【課題】 オンボードＮＡＮＤコントローラを有するホスト装置と後続世代のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置との間に互換性を提供する。
【解決手段】 ホスト装置とフラッシュダイに組み立てられたフラッシュメモリ装置（例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置）とをインタフェースするＮＡＮＤコントローラ（１３０）が開示される。いくつかの実施形態では、ここで開示されるＮＡＮＤコントローラは、フラッシュダイと別個のコントローラダイに組み立てられた電子回路、電子回路とフラッシュメモリ装置とをインタフェースする第１のインタフェース（例えば、ホスト型インタフェース、例えばＮＡＮＤインタフェース）（１４４、１４２）、およびコントローラとホスト装置とをインタフェースする、ＮＡＮＤインタフェースである第２のインタフェース（例えば、フラッシュ型インタフェース）を含む。いくつかの実施形態によれば、第１のインタフェースはダイ間インタフェースである。いくつかの実施形態によれば、第１のインタフェースはＮＡＮＤインタフェースである。ここで開示されるＮＡＮＤコントローラを含むシステムも開示される。上記システムを組み立てる方法およびＮＡＮＤコントローラを使用してデータを読み書きする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 メモリセルへの頻繁な書き込みに起因する磨耗問題を克服する。
【解決手段】 フラッシュメモリストレージシステム（１０）は、複数のメモリセル（１４）を含むメモリアレイ（１２）と、フラッシュメモリアレイ（１２）を制御するためのコントローラ（１８）とを含む。コントローラ（１８）は、第１のメモリセルグループを専用化してセル毎に第１のビット数で動作するようにし、第２の別個のメモリセルグループ（１４）を専用化してセル毎に第２のビット数で動作するようにする。２つのセルグループに別々に摩耗平準化技術を適用してメモリセル（１４）を均一に摩耗させるためのメカニズムが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 ユーザがＵＦＤを身に着けて携帯できるよう、ＵＦＤをリングとしてパッケージする。
【解決手段】 本発明は、例えばＵＦＤ（すなわち、ＵＳＢフラッシュ・ディスク）等のメモリ・コンポーネントを、ユーザがＵＦＤを身に着けて携帯できるよう、リングとしてパッケージするためのデバイスおよび方法を開示する。本発明は、リングに取り付けたＵＦＤカバーを持つ指輪を開示する。この場合のＵＦＤは、リングに着脱可能である。本発明は、また、ＵＦＤがリング本体に統合化されたリングを開示する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリコントローラを柔軟に構成するために使用される従来技術の欠点を克服する。
【解決手段】フラッシュメモリコントローラ（１２）を柔軟に構成する記憶装置（１０）および方法を提供する。本装置は、少なくとも２つのコンフィギュレーションビット（１８）がプログラムされた複数のメモリセルを含むフラッシュメモリアレイ（１４）を含む。少なくとも１つのコンフィギュレーションピン（１８）を有するコントローラ（１２）は、さらに、コンフィギュレーションビットの値および／またはコンフィギュレーションピンの電圧レベルに従って、外部ホストに接続するための１つのインターフェースチャネルを選択することによりフラッシュメモリアレイを制御するために設けられる。インターフェースチャネルのそれぞれに対応する「フラグ」がさらに設けられることにより、前記インターフェースチャネルのどれが動作可能かが定義される。 （もっと読む）

【課題】インターネット上のサーバとのセッションを処理するクライアント・ワークステーションの認証を促進するためのＯＴＰトークンを開示する。
【解決手段】サーバを少なくとも部分的に識別する情報をＯＴＰトークンおよび／あるいはクライアント・ワークステーションへ提供し、この識別情報を用いて、サーバが正規サーバであるかどうかを判定する。この判定に応じて、ＯＴＰトークンからクライアント・ワークステーションへ、セッションＯＴＰを表示するデータを送信するべきかどうかを決定する。いくつかの実施例においては、識別情報が正規サーバを表示する場合、ＯＴＰトークンからクライアント・ワークステーションへ、セッションＯＴＰを表示するデータを送信するが、そうでない場合は、セッションＯＴＰを表示するデータを、クライアント・ワークステーションへ送らない。種々の実施例においては、セッションＯＴＰを表示するデータは、ユーザ認証データから得たマルチ・ファクタ認証データを、あるいはユーザ認証データとは無関係なセッションＯＴＰデータを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】一つの例では、論理的にアドレス指定可能なメモリ部分が、本来の実メモリの倍数に等しい有効耐久度を持つように構成する。
【解決手段】不揮発性メモリの少なくとも一部分を、要求有効耐久度を提供するように構成するための、不揮発性メモリ・デバイス、システム、方法、そしてコンピュータで読み込み可能なコードを開示する。いくつかの実施例によれば、不揮発性メモリの少なくとも一部分に対して、実メモリの量を決定して割り当てる。いくつかの実施例によれば、構成実メモリの所定量に対して、より大きな有効耐久度を要求することは、論理的にアドレス指定可能なメモリの減量となる。いくつかの実施例によれば、論理的にアドレス指定可能なメモリの所定量に対して、より大きな有効耐久度を要求することは、実メモリの量を増加させる構成となる。いくつかの実施例においては、コントローラが、不揮発性メモリの少なくとも一部分を構成するように作動可能である。択一的に、あるいは追加的に、不揮発性メモリ・デバイスに接続したホスト・デバイス上には、ドライバ・コードが存在する。オプションとして、要求耐久度の値は、不揮発性メモリ・デバイスへ発せられるコマンドで指定する。いくつかの実施例によれば、コマンドは、不揮発性メモリ・デバイスの製造時に、および／あるいは実行時に発せられてもよい。構成可能な、模範的な不揮発性メモリは、限定せずに、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリおよびＥＥＰＲＯＭメモリを含む。 （もっと読む）