【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられて歩留まり良く圧電基板を得ることができる圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リチウム、酸化亜鉛などの圧電基板１１の一方の主面１１ａ上に保護基材１２を設け、基板１１の他方の主面１１ｂに溝加工を施して周縁部にリブ１１ｃを形成し、溝加工により形成された溝部１５に、基板１１の線膨張係数よりも小さい材料１６を溶射により埋め込み、保護基材１２を除去する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、粗面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、粗面化された主面１１ａ上に溶射法により形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】研磨処理だけで、デバイスに使用するために十分な性能を示すことができるIII−Ｖ族窒化物半導体基板を得ることができるIII−Ｖ族窒化物半導体基板の研磨方法及びそれにより得られたIII−Ｖ族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】スラリーを用いてIII−Ｖ族窒化物半導体基板を研磨する研磨方法であって、前記スラリーは、前記III−Ｖ族窒化物半導体基板を構成する分子のイオン性結合を切断するために十分な化学ポテンシャルを有する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、粗面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、粗面化された主面１１ａ上に溶射法により形成することにより得られる。 （もっと読む）