空間光変調器（２００）を使用する表示装置などの表示装置（９００）を含む様々な装置に使用する、復帰電極（４１８、５１８、６１８、７１８、８１８）を有する微小電気機械装置であって、光透過基板（２１４、３２０、４１４、５１４、６１４、７１４、８１４）、半導体基板（２１２、３１８、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２）、および基板（２１４、３２０、４１４、５１４、６１４、７１４、８１４、２１２、３１８、４１２、５１２、６１２、７１２、８１２）のうちの１つによって支持され、静止位置と動作位置の間で撓むことができる部材（２１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０）を含む。可撓部材（２１０、４１０、５１０、６１０、７１０、８１０）は、復帰電極（４１８、５１８、６１８、７１８、８１８）の動作によって非撓み位置に戻る。
（もっと読む）

化学組成物を開示する。１つの例示的な組成物は、塩基性成分、酸性成分、少なくとも１つのアクリレート成分、酸化剤、還元剤及びバインダーを含んで成る。前記バインダーは、粘度調整剤、表面張力調整剤を含む。前記バインダーは、塩基性成分と酸性成分との間の反応を誘発することができる。前記バインダーの一部は、少なくとも１つのアクリレート成分、酸化剤、及び還元剤との間の重合反応に関与することができる。前記重合反応は、酸化剤と還元剤との間のレドックス反応によって開始される。 （もっと読む）

本開示は、超格子１６００を製造し使用するためのシステム及び方法に関する。隆起部９０２上に交互材料層１３０２及び１３０４を適用し、その後、交互層の一部を除去して、縁部１５０４及び１５０６を露出させることにより、超格子１６００を製造することができる。これらの露出した縁部１５０４及び１５０６は、概ね任意の長さ及び曲率とすることができる。これらの縁部１５０４及び１５０６を用いて、ナノスケール幅の曲線を成すワイヤ１９０２から成るアレイ１９００を製造することができる。 （もっと読む）

流体噴射装置（１００）が、チャンバ（１１０）と、チャンバとそれぞれ連通する第１の流体チャネル（１２０）及び第２の流体チャネル（１２２）と、第１の流体チャネルに沿って延在する第１の半島（１４０）及び第２の流体チャネルに沿って延在する第２の半島（１４２）と、第１の半島とチャンバとの間に延在する第１の側壁及び第２の半島とチャンバとの間に延在する第２の側壁（１５２）とを備える。第１の側壁はチャンバに対して第１の角度（１５４）を成して方向付けられ、第２の側壁はチャンバに対して第２の角度（１５６）を成して方向づけられ、第２の角度は第１の角度とは異なる。
（もっと読む）

例示的な一実施形態には半導体デバイスが含まれる。当該半導体デバイスは、亜鉛−ガリウム、カドミウム−ガリウム、カドミウム−インジウムを含む金属酸化物のうちの１つ又は複数を含んで成るチャネルを具備し得る。 （もっと読む）

装置は、少なくとも１つの光変調器（１０２）を含むマイクロディスプレイ（１００）を含む。光変調器（１０２）は、第１の反射板（１０４）と、第２の反射板（１０６）と、少なくとも１つの圧電撓み素子（１０８）とを含み、圧電撓み素子（１０８）は伸長圧電撓み素子（４００）である。
（もっと読む）

半導体デバイスは、第１の二元酸化物及び第２の二元酸化物を含むチャネルを備えることができ、第２の二元酸化物はＣｄＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ又はＭｇＯから選択される。 （もっと読む）

説明する実施形態はスロット付き基板（３００）及びその形成方法に関する。例示的な一方法は、第１のスロット部分（４１０ａ）を基板（３００）の第１の表面（３０２）に形成し、第１のスロット部分（４１０ａ）は第１の表面（３０２）にフットプリント（４０４）を画定する。方法はまた、第１のスロット部分（４１０ａ）を通して第２のスロット部分（４１０ａ₁）を形成し、第２のスロット部分（４１０ａ₁）と合致して基板（３００）を貫通する流体取扱スロット（３０５）を形成するのに十分な程度、基板（３００）の第２の表面（３０３）を通して第３のスロット部分（４１０ａ₂）を形成する。
（もっと読む）

流体吐出デバイスは、複数の流体吐出素子（130/230）を備える。該流体吐出素子の各々は、電源電圧（120/220/320）と基準電圧（122/222/322）との間における電流を導くよう制御可能である。前記複数の流体吐出素子のグループ（276）のうちの最大で全ての流体吐出素子までが、ある期間中に導通するよう構成される。導通する時には、各導通流体吐出素子は、対応する流体吐出電圧を有する。フィードバック回路（118/218）は、導通している前記流体吐出素子における対応する流体吐出電圧の平均にほぼ等しいフィードバック電圧（144/244/344）を提供するよう構成される。
（もっと読む）

それぞれが１つの発射イネーブル値を格納する第１のセットのＮ個のメモリ素子（１０４／２０４）であって、該Ｎ個のメモリ素子はそれぞれ、更新されるように構成される、該第１のセットのＮ個のメモリ素子を、流体吐出デバイスが備える。流体吐出デバイスは、Ｎ個の流体吐出素子（１０２／２０２）を更に備え、該流体吐出素子はそれぞれ、前記Ｎ個のメモリ素子のうちのそれぞれのメモリ素子に対応し、その対応するメモリ素子から発射イネーブル値を受け取るよう構成され、前記流体吐出素子は、前記発射イネーブル値がイネーブルにする値である時には、流体を吐出することがイネーブルにされる。
（もっと読む）