説明

ノースロップ グラマン システムズ コーポレイションにより出願された特許

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【課題】より高い効率を達成でき、性能を低下させずにエッチング後の追加層の蒸着を可能にする回折光学部材を提供すること。
【解決手段】透過性または反射性の回折光学部材は、上面を有した基板を備える。上面は、パターンを有するようにエッチングされる。前記パターンは、入射光ビームが上面に照射される場合に、入射光ビームが複数の回折光ビームに分離されるように形成された、周期的な溝の表面パターンを備える。複数の回折光ビームは、複数の第1回折ビームと、複数の第2回折ビームとを含む。第1回折ビームは、90%を超える第1総計効率を有する。複数の第2回折ビームは、10%未満の第2総計効率を有する。第1回折ビームの最大パワーと最小パワーは、第1回折ビームの平均パワーの少なくとも10%だけ異なる。 (もっと読む)


【課題】毒性のある生物物質や化学物質と他の汚染物質の毒性を破壊し且つ光化学作用を示し且つ紫外光に耐性のある表面コーティングを提供する。
【解決手段】2つの作用である自己洗浄と自己浄化のコーティングは、表面に沿って移動する水滴を有することによって、汚染物質を除去し且つ表面の洗浄をできる超疎水性の態様と、紫外光と湿気の存在中に水酸基ラジカルを生成することによって表面を消毒できる光化学的に活性な態様とからなる。 (もっと読む)


マルチフェロイック薄膜材料の製造方法。その方法は、マルチフェロイック前駆体溶液を提供する工程、その前駆体溶液をスピンキャスティングしてスピンキャスト膜を製造する工程、およびそのスピンキャスト膜を加熱する工程を有する。前駆体溶液は、ビスマスフェライト膜を製造するために、エチレングリコール中にBi(NO3)3o5H2OおよびFe(NO3)3o9H2Oを含有していてもよい。さらに、薄膜は、情報保存のための記憶デバイスを含む様々な技術分野において利用されうる。 (もっと読む)


【課題】周波数範囲の広い、マルチチャネル調整可能フィルタを提供する。
【解決手段】電圧制御により速度調整可能な圧電基板101上に形成される入力電極102及び並列接続される複数の入力補助電極103、並びに出力電極111及び並列接続される複数の出力補助電極108を含む。対応する複数ペアの入力補助電極103及び出力補助電極108が複数の平行チャネルを形成することにより、SAWを伝搬させる。入力電極102は電圧制御調整可能COMB周波数応答を生成し、この周波数応答を出力電極111によって生成される電圧制御調整可能COMB周波数応答と合成してSAWフィルタ電圧制御調整可能な周波数応答を生成する。別の形態としては、マルチチャネルSAW共振器、2つの新規のSAWフィルタを直列接続するSAWフィルタ素子、及び2つの新規のSAW共振器を直列接続するSAWフィルタ素子などがある。 (もっと読む)


【課題】より高い効率を達成でき、性能を低下させずにエッチング後の追加層の蒸着を可能にする回折光学部材を提供すること。
【解決手段】透過性または反射性の回折光学部材は、上面を有した基板を備える。上面は、パターンを有するようにエッチングされる。前記パターンは、入射光ビームが上面に照射される場合に、入射光ビームが複数の回折光ビームに分離されるように形成された、周期的な溝の表面パターンを備える。複数の回折光ビームは、複数の一次回折ビームと、複数の二次回折ビームとを含む。一次回折ビームは、90%を超える一次総計効率を有する。複数の二次回折ビームは、10%未満の二次総計効率を有する。一次回折ビームの最大パワーと最小パワーは、一次回折ビームの平均パワーの少なくとも10%だけ異なる。 (もっと読む)


【課題】 高電界による劣化メカニズムを最小化でき、信頼性のあるマイクロ波およびミリ波周波数動作に適したHEMTデバイスを製造することのできる半導体デバイス製造プロセスを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、チャネル層及びショットキーコンタクトを形成するため、バリア層上においてドレイン領域とソース領域との間に配設されるTゲートを含む。第1の不活性電界緩和プレートは、Tゲートの一部の上に配設され、第2の活性フィールドプレートは、バリア層上においてTゲートの近傍に配設される。 (もっと読む)


【課題】サブ・ミリメータ波動作に適した半導体デバイスの生産を可能とする半導体デバイスの形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板(100)上にフォトレジスト層(102)が堆積され、ウインド(106)がフォトレジスト層(102)内に電子ビーム・リソグラフィによって形成され、共形層(108)がフォトレジスト(102)上、およびウインド(106)内に堆積され、実質的に全ての共形層(108)がフォトレジスト層(102)およびウインドの底部から選択的に除去されて、ウインド(106)内に誘電体側壁(110)を形成する。 (もっと読む)


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