【課題】製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂからなる急冷凝固母合金を生成し、この母合金とＰｔ粉末をボールミルにより機械的に合金化し、ＨＩＰ処理を行って機械的に合金化されたスパッタリングターゲットを緻密にすることにより、スパッタリングターゲットを製造する。母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】化学量論的に良好なカーバイド又は炭素含有のマスター合金スパッタターゲット材料を提供すること。
【解決手段】スパッタターゲット材料は、Cr-C、Cr-M-C又はCr-M₁-M₂-Cからなる合金系を含有してなり、Cは、0.5〜20at%を含み、Mは、0.5〜20at%を含み、かつTi、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及びWの群から選ばれた元素とし、またM₁は、0.5〜20at%を含み、かつTi、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta及びWの群から選ばれた元素とし、更にM₂は、0.5〜10at%を含み、Li、Mg、Al、Sc、Mn、Y及びTeの群から選択した元素とする。他方、基板及び上記のスパッタターゲット材料からなる少なくとも１つの下層を含む磁気記録媒体とすることができる。スパッタターゲット材料を製造する方法は、クロム合金やカーバイド又は炭素含有のマスター合金を含む元素の組み合わせからなる粉体材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ用途に有用な磁気特性を有するスパッタリングターゲット用低酸素含有合金およびその合金で構成したスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】Ｇａ，Ｉｎ，Ｎｉ及びＺｎから選択された１つの成分とＭｎを組み合わせたＭｎ合金、およびＦｅ又はＣｏをＰｔ又はＰｄと組み合わせたＦｅ合金またはＣｏ合金において、Ｌ１₀又はＬ１₂タイプの結晶構造を持つ規則化合物を形成する特定の組成範囲を限定し、不純物による磁気特性低下を防止のため、酸素および硫黄不純物含有量を低く限定した。 （もっと読む）

【課題】最適化された粒子サイズと粒子間分離性を持つ粒状媒体を形成するためのスパッタターゲット材を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、卑金属を含む強磁性合金と、０．２６６ｎｍ未満の原子径と前記卑金属の酸化電位より大きい酸化電位を有する金属であるＸとを含んで構成される。卑金属は、Ｆｅ、Ｃｏ又はその他の強磁性材料とすればよく、更に、保磁力を高めるためにＰｔ、Ｔａ及び／又はＣｒのような元素を含んでもよい。Ｘは、Ａｌ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｅ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇａ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｈｏ，Ｋ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｐｒ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｂ，Ｔｅ，Ｔｈ，Ｔｉ，Ｖ，Ｙ，Ｚｎ及びＺｒからなるグループから選択される金属であればよい。スパッタターゲットは、０原子％より多く１５原子％未満のＸを含有する。 （もっと読む）

【課題】１０００〜４０００エルステッドの間の保磁力値を持ち、低ノイズの磁気記録媒体を得るためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタターゲットは、Ｃｏ、０より多く２４原子パーセント以下のＣｒ、０より多く２０原子パーセント以下のＰｔ、０より多く２０原子パーセント以下のＢ及び０より多く１０原子パーセント以下のＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、Ａｇ，Ｃｅ，Ｃｕ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｉｎ，Ｌａ，Ｌｕ，Ｍｏ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｔｌ，Ｗ及びＹｂからなるグループから選択された１つの元素である。このスパッタターゲットは、更にＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、Ｗ，Ｙ，Ｍｎ及びＭｏからなるグループから選択された１つの元素である。スパッタターゲットは、更に０〜７原子パーセントまでのＸ₃を含み、前記Ｘ₃が、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ及びＩｒからなるグループから選択された１つの元素である。 （もっと読む）