【課題】
複雑な製造工程を必要とする多層膜干渉フィルタを使用したイメージセンサでは製造工程が複雑となり、歩留まりの低下という製造技術上の課題や、適用範囲を狭めるといった応用面での課題があった。
【解決手段】
イメージセンサの画素領域に、第一の透明層と第二の透明層から成る２層構造を設け、それぞれの透明層の屈折率と厚さを選択することにより、画素毎に異なった光透過波長特性を持たせる。 （もっと読む）

【課題】
従来技術によるインターポーザは高密度実装の形を実現できるが、大消費電力の集積回路素子に適用することには限界があった。具体的には、大電流を供給するため電源電圧が不安定になり、発熱による破壊の危険性もあった。このため、集積度増大や動作周波数増大への要求が強い分野には適用が困難であった。
【解決手段】
半導体基板から成るインターポーザの表裏面に集積回路素子を搭載し、インターポーザの配線材料、配線パターン密度などを表裏面では異なった技術で作成することにより、大電流が流れる経路での許容電流値を大きくすることができ、大消費電力の集積回路素子をインターポーザへ実装できるようにした。 （もっと読む）

【課題】
光の全反射のみを利用した画素構成では、全反射面の角度が重要な設計要因となり、半導体イメージセンサの他の特性との両立が困難であった。また、光の入射角によっては全反射が実現されず、隣接画素へ光が漏れ込むことによる光感度低下や分解能劣化を誘起していた。
【解決手段】
感光素子１１の上部に窪みを形成し、この内部に絶縁材料を充填して光学要素１９を形成する。光学要素１９は第１の材料と第２の材料とから構成されており、該光学要素の中央領域では第２の材料が、該光学要素内の周辺領域では第１の材料が、それぞれ主成分となり、屈折率分布を実現している。入射光２５はカラーフィルタ２０を通過した後、該光学要素内で屈折したり、側壁で全反射してから感光素子１１へ到達する。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板表面に保護テープを貼り付けてから当該基板の裏面を研磨し、薄板化された当該基板をダイシング用テープに貼り付けてから、保護テープを剥離し、チップを個片化するような従来製造方法では、マイクロレンズ表面が露出した状態でダイシングやチップハンドリングが行われるため、マイクロレンズ表面が破損・汚染される重大な課題があった。
【解決手段】
マイクロレンズを有する半導体イメージセンサの製造において、第１の剥離層と樹脂層と第２の剥離層とから成る３層構造体をマイクロレンズの表面側に形成し、前記３層構造体の表面に保護板を積層してから半導体基板の裏面を研磨し、前記保護板と前記樹脂層と前記第１の剥離層を剥離除去してからカバーガラスを積層し、前記半導体イメージセンサを外部の電気回路へ接続する手段を形成する工程で半導体イメージセンサを製造する。 （もっと読む）

【課題】
搭載されたイメージセンサで画像情報を得るイメージセンサ応用装置では、断面が円形の装置内に長方形のイメージセンサを搭載しているため、高解像度化、高感度化、さらには、装置外形の小型化に限界が存在していた。
【解決手段】
金属などから成る管の先端部に搭載され、少なくともレンズとイメージセンサと画像処理ＩＣとから構成されている撮像装置を有するイメージセンサ応用装置であって、前記イメージセンサの形状を円形あるいは五角形以上の多角形にする。 （もっと読む）

【課題】
半導体イメージセンサの低背化は、（１）画素部分での赤色感度の低下、（２）電気的接続手段での大きさ（厚さ）の２つの要因で制限されている。
【解決手段】
半導体基板に構成された感光領域４０と、前記半導体基板外部との電気的接続手段が含まれる接続領域４１とからなる半導体イメージセンサにおいて、前記接続領域にある前記半導体基板の一部の厚さを、前記感光領域にある前記半導体基板の一部の厚さよりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを積層した３次元積層ＬＳＩを動作すると、各々の半導体チップで動作熱が発生する。この熱は小さな体積のパッケージの中に閉じ込められることになり、最高速度での動作を行い放熱効率が不十分であると正常の動作ができない。また、高い温度で動作を継続すると、半導体チップの内部配線に断線が生ずるなど、長期的信頼性が低下するという問題がある。
【解決手段】支持基板８０の上に、基板を貫通するプラグ２１０ａ、２１０ｂが設けられた第１層の半導体チップ１１を、表面側（回路領域１１０が設けられた側）を下向きにして電気的接続を行う。続いて、基板を貫通するプラグ２１０ａ、２１０ｂが設けられた第２層の半導体チップを、同様に積層し電気的接続を行う。支持基板８０と第１層半導体チップ間、および半導体チップの各層間のスペースには、熱伝導率が金属並みに高い特性を有するカーボン・ナノチューブを含む樹脂膜を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体イメージセンサにおいて、薄膜化された半導体基板の裏面が平坦でないため発生する接続不良や接続信頼性低下、さらには、薄膜化工程以後に発生しがちな突発的な力による半導体基板の破壊危険性を回避するセンサ構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２の薄膜化工程で、マイクロレンズ３０群などが配列されているイメージセンサの主要領域がカバーガラス側へ押し込まれる現象を阻止するため、集光のためのマイクロレンズ群の表面をカバーガラス31の下面に接触させることを最も主要な特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの基板を貫通するプラグにおいて、微細になるとプラグに接続する電極との接続抵抗が大きくなる、またリーク電流が大きくなる、あるいは絶縁破壊やストレスマイグレーションが生じる、という問題があった。これらの問題の生じにくい貫通プラグの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の表面に設けられた電極パッド４００と、基板裏面に設けられた接続電極３８０とを電気的に接続する貫通プラグ３５０の端部が、電極パッドおよび接続電極に部分的に食い込んだ構造とする。および、半導体基板から貫通プラグを絶縁する絶縁分離部２１０が、半導体基板表面側の絶縁膜２０５に部分的に食い込んだ構造とする。 （もっと読む）

【課題】 チップ状半導体素子の表面側に接着剤膜で固着されたチップ状機能部材を持つ半導体装置において、前記接着剤膜またはそれに隣接する部材との界面を通って入り込む湿気に起因する性能または信頼性の低下を、簡単な構成で抑制する。
【解決手段】
受光素子領域（アクティブ領域）２１を持つ固体撮像素子１０の表面１０ａに、接着剤膜３０でガラスカバー（機能部材）４０を固着する。固体撮像素子１０の外側面全体、接着剤膜３０の外側面全体、接着剤膜３０と固体撮像素子１０の界面及び接着剤膜３０とガラスカバー４０の界面を少なくとも含む領域を、第１導電膜１９と第２金属膜２０の積層体で覆い、接着剤膜３０またはそれに隣接する部材との界面を通って入り込む湿気に起因する性能または信頼性の低下を抑制する。機能部材として、回路機能を持つ半導体素子も使用可能である。 （もっと読む）