説明

國立中央大學により出願された特許

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【課題】ディスプレーの画面が更に艶やかになる。
【解決手段】カラーディスプレーの各色彩の原色光源と、それらに対応する光線強度調節機構とを、個別の応答スペクトルの色もれ状況によってグループを分けることにより、同じグループの原色光源の光線強度調節機構の応答スペクトルと、別グループの原色光源のスペクトルとの色もれが最低になる、カラー画面からカラーセパレーション・サブ画面を分離するステップと、上記のカラーセパレーション・サブ画面のグループ分けの状況によって、単一の時間区間で一グループだけの原色光源が同時に発光し、そしてそれに対応する色彩の原色の光線強度調節機構がオンになり、このとき、全ての別グループがオフになるように制御して、グループ別に順次作動して、最後に時間的混色にて完備なカラー画面を組成する、サブ画面に表示される信号を同期にするステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、屈折率と厚さの修正効果を有する精密光学コーティングモニタリング法を提供する。
【解決手段】
光学モニタリンググラフィックによって提供された情報により、また、極値点と終点の膜堆積の光学特性に合わせて、各フィルム層の屈折率や厚さ及び対応する補正厚さを推定でき、これにより、作業者が最初に入力した屈折率に対して即時に修正でき、また、フィルム層の終点透過率や反射率により、前のフィルム層の厚さを算出でき、モニタリング波長に対してエラー補正厚さを有する切点を推定でき、そのスペクトル位置が偏移しなく、中心極値も変更せず、そして、作業者が任意に各フィルム層に対して、予測した切点の近くに対応する感度が高いモニタリング波長を選択でき、作業者が工程状況をより把握でき、元の設計に満たす光学素子を作製できる。 (もっと読む)


パターン化サファイア基板の製造方法を提供する。本製造方法は、以下の処理を含んでいる。最初に、サファイア基板を準備し、そのサファイア基板上にマスク層を形成する。ここで、適切なパターンを有するそのマスク層は、サファイア基板の一部を露出させている。次いで、ウェットエッチング処理を行い、サファイア基板の露出部分を除去する。このウェットエッチング処理でのエッチング剤には、硫酸および硫酸とリン酸との混合物が含まれる。次に、マスク層を除去し、パターン化サファイア基板を形成する。さらに、発光ダイオードの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、製造コストを削減することのできる周期ドメイン反転構造を製造する方法を提供する。
【解決手段】非線形光学強誘電材料基板を準備する。フォトレジスト層を基板の上表面および下表面に形成し、2つのレーザービームの干渉により形成される周期性格子を上表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。同時に、2つのレーザービームを基板を通過させ、周期性格子を下表面のフォトレジスト層を露光することに用いる。現像プロセスを行い、基板の2つの表面上の周期性フォトレジストパターンを形成する。導電層を基板上方に形成し、フォトレジストパターンおよび露出された基板の表面を被覆する。フォトレジストパターンおよびその上の導電層の一部をリフトオフ法により除去する。電圧を残存導電層を経由して基板に印加し、基板の複数の部分を分極化する。 (もっと読む)


【課題】光増感色素の提供。
【解決手段】下記式の化合物。


(Y、Yは水素又は陽イオンを、Xはチオフェン含有基を、Xは水素を表す) (もっと読む)


【課題】オーミックコンタクトを有効に形成し、デバイスの操作特性を向上させる、p型ひずみInGaNベース層を有するGaNへテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】p型ひずみInGaNベース層を有する窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが提供され、窒化ガリウムへテロ接合バイポーラトランジスタが、基板、基板上に設置される高濃度ドープしたコレクタ接触層、前記コレクタ接触層上に設置される低濃度ドープしたコレクタ層、前記コレクタ層上のp型ベース層、前記p型ベース層上に設置された高濃度ドープしたp型ひずみInGaNベース層、前記p型ひずみInGaNベース層上に設置されるエミッタ層、前記エミッタ層上に設置される高濃度ドープしたエミッタ接触層および前記エミッタ接触層上、前記p型ひずみInGaNベース層上、および前記コレクタ接触層上にそれぞれ設置される、エミッタ金属電極、ベース金属電極およびコレクタ金属電極を含む。 (もっと読む)


【課題】基板上に堆積された被膜と基板との間に蓄積される応力を低減するために、補償用被膜を基板に基板した、構造体及び熱応力補償方法を提供することである。
【解決手段】熱応力補償構造体は、少なくとも基板、第1の被膜及び第2の被膜を具える。この基板は、正の値である第1の熱膨張係数を有する。正の値である第2の熱膨張係数を有する第1被膜を基板上に配置する。負の値である第3の熱膨張係数を有する第2被膜を基板上に配置する。 (もっと読む)


【課題】強化された放熱能力をもち、電力リサイクルに適合する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板、少なくとも1つの発光チップ、および、第1の放熱要素を備えている。基板が頂面および底面を有し、接点が頂面に配置されている。基板の頂面に配置された発光チップが接点と接触している。発光チップが、発光層、正電極、および負電極を備えている。発光層が励起されて、正電極と負電極との間に印加された電流によって光が放射される。第1の放熱要素は、発光チップによって生成された熱を発光素子から移動させるために基板の底面に配置され、それによって、発光チップの動作温度を低くできる。 (もっと読む)


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