【課題】本発明は、ウェーハの裏面研削特性を高めることができるウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ積層体１の製造方法であって、ウェーハ２を上側に位置するウェーハ吸着台で吸着し、支持層３を下側に位置する支持層吸着台で吸着し、ウェーハ２と支持層３とを上下方向に対向させて配置する工程と、ウェーハ２に対する支持層３の対向面に、接着層４を形成するために液状の接着性樹脂を塗布する工程と、ウェーハ２及び支持層３の平行度を維持したまま両者を接近させ、接着性樹脂が介在している状態で加圧して、接着性樹脂を広げることで、ウェーハ２と支持層３との間を接着性樹脂で塞ぎ、かつ、ウェーハ２の側壁外周に樹脂突出部４ａを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造効率に優れ、安定した電気接続を形成可能にする、ＦＦＣの接続端子と基板の接続端子とを電気接続する方法及び電気接続された接続構造体を提供する。
【解決手段】露出した複数の平板型導体からなる第１接続端子を備えたフレキシブルフラットケーブルを用意する工程と、複数の導体からなる第２接続端子を備えた基板を用意する工程と、第１接続端子及び第２接続端子をそれぞれ位置合せし、第１接続端子の上に接着フィルムを配置する工程と、接着フィルムに圧力を与えながら加熱溶融することによって第１接続端子及び第２接続端子を熱圧着し、それによって第１接続端子及び第２接続端子を封止し、第１接続端子の各平板型導体と第２接続端子の対応する各導体とが直接接触した電気接続を形成し、及び互いに隣り合う第１接続端子の各平板型導体を接着フィルムにより絶縁する工程とを含む、フレキシブルフラットケーブルと基板を接続する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】光学フィルムを伸張する方法を提供する。
【解決手段】フィルを処理する方法は、フィルムの対向端部を保持しながら流れ方向に沿って伸張機内でフィルムを搬送するステップと、末広がりの非線形経路に沿って前記対向端部を移動させることにより前記伸張機内で前記フィルムを伸張して延伸フィルムを形成するステップとを含み、前記フィルムの伸張中に、前記流れ方向に沿った前記フィルムの速度が、λが横断方向延伸比である場合におよそλ^１／２だけ減少する。 （もっと読む）

発光システムが開示される。発光システムは、第１の波長で発光するＬＥＤを含み、ＬＥＤの上面からの発光を強化し、ＬＥＤの１つ以上の側面からの発光を抑制するパターンを含む。この発光システムは、ＩＩ〜ＶＩ族ポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造体を更に含む。この再発光半導体構造体は、ＬＥＤを出射する第１の波長の光を受容し、受容した光の少なくとも一部を第２の波長の光に変換する。発光システムを出射する第２の波長のすべての光の総合発光強度は、発光システムを出射する第１の波長のすべての光の総合光強度の少なくとも４倍である。
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光源が開示される。開示される光源は、窒素を含み、かつ第１波長の光を放射するＩＩＩ−Ｖ系ポンプ光源（１７０）を含む。光源は、ポンプ光源（１７０）によって放射された第１波長の光（１７４）の少なくとも一部分を、第２波長（１７６）の少なくとも部分コヒーレント光に変換する、垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）更に含む。ＶＣＳＥＬは、第２波長の光のための光学キャビティを形成する第１ミラー（１２０）及び第２ミラー（１６０）を含む。第１ミラー（１２０）は第２波長において実質的に反射性であり、第１多層スタックを含む。第２ミラー（１６０）は、第１波長において実質的に透過性であり、第２波長において部分的に反射性かつ部分的に透過性である。第２ミラーは、第２多層スタックを含む。ＶＣＳＥＬは、第１ミラーと第２ミラーとの間に配置され、かつ第１波長の少なくとも一部分を第２波長の光に変換する半導体多層スタック（１３０）を更に含む。半導体多層スタック（１３０）は、Ｃｄ（Ｍｇ）ＺｎＳｅ合金を含む量子井戸を含む。
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発光システムが開示される。発光システムは、第１の波長でエレクトロルミネッセンスデバイスの上面から発光する、エレクトロルミネッセンスデバイスを含む。この発光システムは、遮断しなければ側面から出射する第１の波長の光を遮断するための、エレクトロルミネッセンスデバイスの側面に隣接する構造体を更に含む。この発光システムは、ＩＩ〜ＶＩ族ポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造体を更に含む。この再発光半導体構造体は、エレクトロルミネッセンスデバイスを出射する第１の波長の光を受容し、受容した光の少なくとも一部を第２の波長の光に変換する。発光システムを出射する第２の波長のすべての光の総合発光強度は、発光システムを出射する第１の波長のすべての光の総合光強度の少なくとも４倍である。
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導電性材料を含む電磁波遮蔽層の片面上に積層された、フェライト粒子を含む電磁波吸収層を含むことで、電子機器の内部及び／又は外部から生じる電磁波から電子機器を保護する、電磁干渉抑制ハイブリッドシートを開示する。 （もっと読む）

発光システムが開示される。一実施形態において、発光システムは、第１の波長で発光するＬＥＤを含む。放射された第１の波長の光の主要部分は、最小横寸法Ｗｍｉｎを有するＬＥＤの上面からＬＥＤを出射する。放射された第１の波長の光の残りの部分は、最大縁厚Ｔｍａｘ（１２２、１２４）を有するＬＥＤの１つ以上の側面からＬＥＤを出射する。比率Ｗｍｉｎ／Ｔｍａｘは、少なくとも３０である。この発光システムは、半導体ポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造体を更に含む。この再発光半導体構造体は、上面からＬＥＤを出射する第１の波長の光を受容し、受容した光の少なくとも一部を第２の波長の光に変換する。発光システムを出射する第２の波長のすべての光の総合発光強度は、発光システムを出射する第１の波長のすべての光の総合光強度の少なくとも４倍である。
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発光システムが開示される。この発光システムには、第一波長の光を放射するエレクトロルミネセンスデバイスが含まれる。この発光システムには更に、発光システムの上表面からの光放射を強化し、発光システムの１つ以上の側面からの光放射を抑制する、光キャビティが含まれる。この光キャビティには、放射された第一波長光を受け取って、その受け取った光の少なくとも一部を第二波長光へと変換する、半導体多積層物が含まれる。この半導体多積層物には、ＩＩ〜ＶＩ族ポテンシャル井戸が含まれる。この発光システムを出る第二波長の光を全て統合した放射強度は、発光システムを出る第一波長の光を全て統合した放射強度の少なくとも１０倍である。
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プローブブロックアセンブリは、ブロックと、そのブロック中に挿入された複数のプローブと電気的に導通するよう構成された同軸コネクタを末端とするケーブルとを含む。この同軸コネクタは、ブロックの開口部に挿入可能な第１プローブに分離可能に接続するよう構成され、ブロックから絶縁されたコネクタ信号接触部と、ブロック内に挿入された１本以上の第２プローブを共通接地するよう構成された弾力性接地ビームとを含む。 （もっと読む）