【課題】表面に炭素皮膜を形成した基板にイオン照射して、基板の表面に形成された各微小突起の頂部に１本ずつカーボンナノ構造材を成長させて、基板上にナノ構造材をバラけた疎の状態で得るに際し、基板の表面に形成する炭素皮膜を適切なものに選択することによって、低い電流密度のイオン照射によってナノ構造材を疎な状態で成長可能としたカーボンナノ構造材の製造方法。
【解決手段】有機ポリマー溶液としてアクリロニトリル系重合体の溶液を基板の表面に塗布し、ついで基板を酸素含有雰囲気中で２００〜４００℃の温度で焼成してアクリロニトリル系重合体の塗膜を予備酸化処理し、ついで基板を不活性雰囲気中で少なくとも１０００℃の温度で焼成することによって塗膜を炭化処理して、基板表面に炭素皮膜を形成する。基板表面に７０μＡ／ｃｍ²で１００分間のイオン照射を行うと（実施例１）、カーボンナノファイバをバラけた状態で得ることができる。 （もっと読む）