【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】吸着塔内における吸着剤の動作寿命を検出する装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明は、圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造装置および方法であって、当該装置においては、未精製水素ガスに不活性ガスを添加するガス供給部３と、吸着塔１から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器５を備える。不活性ガスはＡｒガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシラン（ＴＣＳ）からホウ素化合物を除去するとともに、再利用可能な化合物をＴＣＳに変換して、ジクロロシラン（ＤＣＳ）およびその他の化合物を効果的に再利用する。
【解決手段】本発明は、ホウ素化合物の量を減じたＴＣＳ製造方法に関し、（Ａ）ＴＣＳ含有反応ガスを生成するために、流動床反応器１において冶金級シリコン１１と塩化水素ガス１９とを反応させ、（Ｂ）第１蒸気留分１６と第１蒸留残渣１５とを分離するために、第１蒸留塔３頂部の蒸留温度をＴＣＳの沸点とテトラクロロシランの沸点との間に設定することにより、反応ガスの第１蒸留を実施し、第１蒸気留分を第２蒸留塔４へ供給し、（Ｃ）ＴＣＳ１７と、ホウ素化合物を含有する第２蒸気留分１８とを分離するために、第２蒸留塔頂部の蒸留温度をＤＣＳの沸点とＴＣＳの沸点との間に設定することにより、第２蒸留を実施し、（Ｄ）第２蒸気留分を流動床反応器に再供給する。 （もっと読む）

【課題】シリコンロッドの切断中に、分離した板状部材が傾いたり倒れたりすることなく、正確にかつ迅速に切断することができる多結晶シリコン製造用シードの製造装置を提供する。
【解決手段】シリコンロッドＲを載置するテーブルに、該シリコンロッドＲの両端面を軸方向に押圧して支持する一組の端面支持部材４，５と、シリコンロッドＲを軸方向に切断する切断刃１４とを備えるとともに、端面支持部材４，５には、切断刃１４を通過させる櫛歯状の溝部２７，３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む。 （もっと読む）