バルク状の酸化亜鉛にマンガンを最大で５原子％の濃度までドープすることによって、ドープされた希薄強磁性半導体を生産する方法を提供する。この材料は好ましくは、最高で６５０℃までの温度で焼結される。この方法によれば、５原子％を超えないＭｎ濃度でＭｎドープされたＺｎＯを含有している半導体材料が得られる。上記ＭｎドープされたＺｎＯは、約２１８Ｋ〜約４２５Ｋの温度範囲の少なくとも一部において強磁性である。
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本発明は、トンネル障壁層を有する磁気トンネル接合部であって、スピン感度を持つ希薄磁性半導体を含む磁気トンネル接合部を提供する。本発明に係る磁気トンネル接合部は、下部電極と結合される下部導線を含む。下部電極は、希薄磁性半導体に結合される。希薄磁性半導体は、上部導線と結合される上部電極へ結合される。前記下部電極は、非磁性体である。本発明は、更に、本発明に係るトンネル接合部を利用した、様々な構成部品やコンピュータを提供する。
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非酸化物材料又は既にドーピングされた酸化物材料である半導体材料であって、前記半導体材料は、マンガン（Ｍｎ）がドーピングされ、室温と５００Ｋとの間の範囲における少なくとも１つの温度で強磁性を示す。好適には、前記マンガンがドーピングされた材料は、５ａｔ％以下のマンガン濃度を持つ。
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本発明は、半導体材料、材料の製造方法、材料の実装方法に関する。その材料は、Ｃｕ又はＣｕＯがドーピングされて、−５５℃〜１２５℃の範囲における少なくとも１つの温度において強磁性を示す。典型的には、その材料は、ＧａＰ又はＧａＮを含む。
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