【課題】計測された回折スペクトルと特性領域における複数のシミュレートされた回折スペクトルとの類似性を比較して、格子構造パラメータを決定する方法を提供する。
【解決手段】光波散乱計測方法は、Ａ）格子構造パラメータを入力し、Ｂ）前記パラメータを基礎として入射光値に渡り回折形状を計算し、Ｃ）前記パラメータのうち１以上を増分的に変更し、Ｄ）ステップＢを繰り返し、変更された格子構造パラメータを基礎として前記入射光値に渡り追加的な回折形状を計算し、Ｅ）増分的に増大する格子構造パラメータ値の変更が回折形状内にしきい値を超える変化を発生させる、計算された回折形状の特性領域を識別し、Ｆ）計算された回折形状の特性領域をライブラリに格納し、Ｈ）サンプル基板上で光波散乱計測を実行し、入射光値に渡って散乱シグナチャを生成し、Ｇ）散乱シグナチャをライブラリ内の計算された回折形状と比較し、Ｈ）選択された類似レベルまで散乱シグナチャとマッチする、計算された回折形状を識別する。 （もっと読む）

【課題】 高感度を有し、オーバレイ測定の改善された精度を提供するスキャトロメトリシステム及び方法を提供する。
【解決手段】 スキャトロメトリ測定で使用するオーバレイターゲットグレーティングの設計方法は、Ａ）サンプル層パラメータを選択し、Ｂ）第１ターゲット特性を有する第１ターゲットグレーティングを選択し、Ｃ）入射光の角度範囲にわたって第１ターゲット特性のオーバレイオフセット変化の標準偏差を平均して、数学モデル化ターゲットでの反射光のＡＳＤを計算し、Ｄ）第１増分によって第１ターゲットグレーティング特性をシフトさせ、Ｅ）ステップＣから繰り返して、Ｆ）ステップＣとステップＥのＡＳＤを比較し、大きい方を新たな開始グレーティング特性とし、Ｇ）最大の所望のＡＳＤが得られるまで、ステップＣ−Ｆを繰り返し、Ｈ）実際のターゲットを、上記ＡＳＤと対応するターゲットグレーティング特性を有するように設計する。 （もっと読む）

本発明の側面は、マイクロ電子フィーチャのアレイの対称性／非対称性を測定するための方法及び機構を提供する。本発明の一実施形態は、マイクロ電子デバイスにおける三次元構造の非対称性を測定する方法を提供する。本方法により、光は、マイクロ電子デバイスのマイクロ電子フィーチャのアレイに向けられる。光は、複数のマイクロ電子フィーチャの全長及び全幅を含むアレイの一部を照射する。アレイから散乱し戻された光は、一又はそれ以上の反射角、一又はそれ以上の波長、或いはそれらの組み合わせから成る群より選択された条件で検出される。本方法はまた、反射の余角からのデータを調べることを含む操作を実行することにより、戻り散乱光の一又はそれ以上の特性を調べることも含む。
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