物質の中に挿入するために又は挿入せずに別の物質に接触させるよう構成された参照プローブを任意に具えた、物質の中に挿入するために構成されたテストプローブを用いて物質の特性を明らかにするための方法及び器具。テストプローブは、（１）物質の中への参照プローブの挿入とともに、（２）参照プローブが別の物質に接触した状態で、又は（３）参照プローブ無しに、少なくとも１ミクロンの距離挿入され、その後引き出される。物質の中へのテストプローブの挿入、物質の中でのテストプローブの移動、及び又はテストプローブの物質からの引き出しに関連する、物質とテストプローブとの相互作用を測定することによって、物質特性が判断される。 （もっと読む）

Ｈ−ＮＯＸタンパク質は、血液ガスＮＯの送達について、改善されたまたは最適な力学的および熱力学的特性を示すように変異する。操作されたＨ−ＮＯＸタンパク質には、対応する野生型Ｈ−ＮＯＸドメインと比較して変化したＮＯまたはＯ_２リガンド結合を付与する変異が含まれ、これは、生理学的に適合する哺乳動物の血液ＮＯガス担体として作用する。本発明によってはまた、そのためにはＮＯの送達が有効である任意の症状の治療のための、野生型または変異Ｈ−ＮＯＸタンパク質を使用する薬学的組成物、キット、および方法も提供される。
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腫瘍細胞に対する免疫応答を誘導するための細胞組成物および方法が記載される。この細胞組成物は、腫瘍抗原および細胞を含み、この細胞は、サイトカイン、ならびに腫瘍抗原、抗ＣＴＬＡ４抗体、およびさらなるサイトカインの１つ以上を発現するように改変された細胞を含む。この細胞組成物は、癌を処置するための方法において有用である。ヒト被験体への細胞ベースの免疫療法組成物の投与後、腫瘍抗原に対する免疫応答が検出され、ここで、この免疫応答は、細胞組成物を投与する前にヒト被験体において検出されない。
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グループ１代謝調節型グルタミン酸受容体（ｍＧｌｕＲ）のアンタゴニストによって、脳由来神経栄養因子（ＢＤＮＦ）などのニューロトロフィン発現に対するＡＭＰＡ受容体の正のモジュレーターの作用が増強される。本明細書に記載の所見から、ＡＭＰＡ受容体の正のモジュレーターとｍＧｌｕＲアンタゴニストとの両方を用いる薬剤治療の組み合わせアプローチにより、脳のニュートロフィズムが増強されると考えられる。一態様では、本発明は、神経変性性病状に罹患した哺乳動物の脳における神経栄養因子のレベルを上昇させる方法を提供する。
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プレート上の特定部位で生物学的材料および非生物学的材料をパターン化するため、ならびに三次元構造を成長するためのシステムおよび方法。好ましい実施形態は、上記プレートが液体中に沈められたとき、通常は泡の形態でガスをトラップする領域をもつプレートを含む。本発明のその他の実施形態は、トラップされたガスの使用によりプレート上の所定の位置に材料を配置し、材料が所望されない領域で収集されることを防ぐ。このプレートは、アレイ上のように、特定部位に細胞および組織を配置するために大きな有用性を有する。開示される方法はまた、パターン化されたコーティング適用のために特定位置でプレートの表面をコートするため、および、微小機械的構造であって、これら構造が、生存材料または非生存材料、有機または無機などから形成され得る構造を含む三次元構造を生成するよう材料を構築するに用いられ得る。
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明細書中で開示される本発明は、一般に、心房細動（ＡＦ）を治療または予防するのに有用な化合物および方法に関する。いくつかの実施形態は、ＡＦの治療方法を提供し、該方法は、このような治療を必要とする対象に対して治療有効量のｐ３８阻害剤化合物を投与することを含む。いくつかの実施形態において、該方法は、さらに、心房細動に罹患している、またはその発現の危険にさらされている対象を識別することをさらに含む。好ましくは、対象はヒトである。いくつかの実施形態において、治療有効量のｐ３８阻害剤化合物は、細動を予防、抑制、阻害、および／または終結する。いくつかの実施形態において、治療有効量のｐ３８阻害剤化合物は、正常な洞調律を回復する。
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電圧過負荷保護回路、ＲＦ入力ピン用ＥＳＤ保護回路、および分布増幅器用ユニット保護セルとして使用するための、改善された保護回路が提供される。好ましくは、上記保護回路は、スイッチをトリガするために使用される正閾値電圧トリガを含み、該トリガは抵抗器と直列のダイオードストリングを含み、該スイッチは単一のリバースダイオードと直列のバイポーラトランジスタを含む。あるいは、前記トリガは、単一のダイオードと単一の抵抗器とを含み、単一のリバースダイオードと直列のダーリントンペアトランジスタをトリガするために使用される。別の実施形態では、ダーリントンペアトランジスタスイッチはコンデンサによりトリガされる。分布増幅器との使用において、上記ＥＳＤ保護回路は、好ましくは分布増幅器の擬似伝送線内に組み込まれる。
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基質材料中に埋め込まれた単一壁、二重壁、および多重壁カーボンナノチューブが、ナノメートルスケールの流体力学および物質移動の研究、および商業用途のために製造された。平均ポアサイズは、２ｎｍ〜２０ｎｍ、７ｎｍ以下、または２ナノメートル以下である。膜は、気体または液体などの物質の輸送が、もっぱらチューブを通して行われるように、膜をスパンする大きい空隙がない方が良い。急速な液体、蒸気、および液体の輸送が観察される。多様な微細機械加工法を膜の製造に使用することができる。単一チップは、複数の膜を含む可能性がある。これらの膜は、閉じ込められた分子の輸送の研究のための堅固なプラットフォームであり、液体および気体の分離および化学感知、たとえば塩分除去、透析、および織物造形に応用される。
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ナノデバイスへの通信またはナノデバイスからの通信は、ナノ構造体ベースのアンテナを用いて提供される。このアンテナは、好ましくは、単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）から形成されるが、これに限定されない。他のナノ構造ベースのアンテナとしては、二層ナノチューブ、半導体ナノワイヤ、金属ナノワイヤなどが挙げられる。ナノ構造ベースのアンテナの使用は、ナノデバイスへの物理的な通信接続を提供する必要性を排除し、一方で同時に、ナノデバイスと他のナノデバイスまたは外部システムとの間の通信を可能にする。この外部システムはすなわち、ナノスケールより大きいシステムであり、例えば、半導体製造プロセスから形成されるものであり、例えば、ＣＭＯＳ、ＧａＡｓ、ダイポールプロセスなどである。
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本発明は、高周波回路での高速相互接続としての使用のために、高周波で電流を伝送可能であるナノチューブ相互接続を提供する。単層ナノチューブの動的コンタクタンスまたはＡＣコンダクタンスであって、少なくとも１０ＧＨｚに達するまでそれらのＤＣコンダクタンスに等しいものが示され、これは、ナノチューブ相互接続の電流伝送能力が、劣化を引き起こさずに高周波（マイクロ波）レジームまで拡大され得ることを説明している。結果として、ナノチューブ相互接続は、高周波回路、例えば、ＲＦまたはマイクロ波回路、および高周波ナノスケール回路における高速相互接続として使用され得る。
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