【課題】ピュアシリコンの含有率が高いシリコン汚泥を回収すること。
【解決手段】結晶シリコンの研磨および／または研削に伴う排水を流通させる樹脂製またはステンレス製の配管を用いることとしたうえで、流通される排水を貯留する貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着装置と、吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥装置とを配置し、シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、かかる状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、配管によって流通される単位時間あたりの排水の量および汚泥吸着装置によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定するようにシリコン回収システムを構成する。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。
【解決手段】シリコン酸化膜を１ｕｍ以上の幅で１ｕｍ以上に深い溝を作り、溝の中にシリコン酸化膜を埋め、結晶欠陥のある基板でも５００Ｖ以上に耐圧のあるアイソレイションを実現する。これによりシャロートレンチアイソレイションで高速で動作する既存デバイスと同一基板に電力デバイスを混載させることが可能となる。また、厚いアイソレイション材料で囲まれたシリコンを除去した空洞にメタルを埋め、金属汚染の拡散を防止した基板貫通電極を形成することにより、基板の積層を可能にする。これにより、電源からの配線を基板貫通で供給することで、ヒートシンクを兼ねた電力給電と、これにより動作する大電力デバイスと高速高集積のデバイスを積層させたデバイスを実現させる。 （もっと読む）