【課題】製造装置から排出され、減圧ポンプの故障原因となる排気中の微粉体を効率よく除去できる保護フィルター装置を提供する。
【解決手段】保護フィルター装置(10)を、内部空間(19)を有するケーシング(12)と、ケーシング(12)内に微粒子を含む排気(H)を導入する排気導入管(14)と、ケーシング(12)内における排気導入管(14)の開口部において、排気導入管(14)の中心軸線(CL)上に回転可能に保持された回転体(16)と、ケーシング(12)内において、回転体(16)を介して排気導入管(14)の開口部に正対配置されており、少なくとも表面側に微粒子捕集液(L)を含んでいる無端ベルト(18)とで構成し、無端ベルト(18)の表面を回転体(16)に接触させて、無端ベルト(18)が回転することによって回転体(16)を回転させる、無端ベルト(18)の表面側における微粒子捕集液(L)を回転体(16)の表面に塗布することにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】減圧ポンプの故障原因となる微粉体を効率よく除去し、できるかぎり減圧ポンプの損傷を回避し、その長寿命化を図る保護フィルター装置の提供。
【解決手段】微粒子を含む排出気体Hを導入する排気管3が接続され、内部に前記微粒子捕集液4が貯留された固定ケーシング1と、内部に微粒子捕集用充填材5が充填され、固定ケーシング1内にて微粒子捕集液4に前記微粒子捕集用充填材5の一部が浸漬されつつ回転し、固定ケーシング1内に導入された排出気体Hが前記微粒子捕集用充填材5の表面の微粒子捕集液4に接触しつつ流入し、回転中心部CLに設けられた開口部6から流入気体hが排出される回転ドラム2と、回転ドラム2の開口部6に対面して開口し、固定ケーシング1に取り付けられ、減圧ポンプCに接続される接続管7とで構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水濡れしたシリコン材料に対してコンタミを生じさせることがなく、しかも当該シリコン材料を効率的に乾燥させることのできるシリコン用乾燥装置を提供する。
【解決手段】乾燥対象となる水濡れしたシリコン材料を密閉可能に収容するチャンバ１２と、前記チャンバ１２内に熱媒体として供給される清浄空気を加熱する加熱手段１６と、前記洗浄空気の前記チャンバ１２内への流路を開閉する開閉弁１８と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、減圧開閉弁４４を介して下流側に減圧ポンプ４６が取り付けられた減圧配管系２０と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、排気開閉弁５２を介して下流側に排気ファン５４が取り付けられた排気配管系２２とで構成されると共に、前記加熱手段１６が、高純度シリコンの塊体からなり、ケーシング１６ａ内に収容される熱交換エレメント１６ｃを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータ断線時に炉内の加熱バランスが大きく崩れるのを防止することができ、しかもヒータ交換などのメンテナンスが容易なシリコン加熱炉を提供する。
【解決手段】２つの円筒炉半体２４ａ，２４ｂを円筒状に組み合わせることによって構成され、その内部にて加熱対象となる原料シリコン塊１２を加熱するシリコン加熱炉１０において、２つの円筒炉半体２４ａ，２４ｂの内側に、円筒炉半体２４ａ，２４ｂの胴長と略同等の長さに形成され、且つ石英管６４で被覆された複数の直線状のヒータＨが、円筒炉半体２４ａ，２４ｂの内周方向にて互いに離間し且つ円筒炉半体２４ａ，２４ｂの胴長方向に沿って配置されると共に、ヒータＨのそれぞれが並列に電気接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層されたときに電極間の接触不良が生じるおそれのない貫通電極を備えるＩＣチップを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＣチップ１０は、基板表面１４ａの回路部Ｅの配線１８の接続端部であるパッド２０と電気的に接続され、パッド２０から基板１４を貫通して基板裏面１４ｂから突出して形成された貫通電極１１を備え、パッド２０から基板裏面１４ｂに至る貫通孔１４ｃの内周面に、貫通孔１４ｃの内周面と貫通電極１１との間の絶縁を行う絶縁膜２６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工時或いはその後の工程において、厚みが薄くなった半導体ウエーハの破損を確実に防止することができると共に、デバイスの生産効率を向上させることが可能な半導体ウエーハの薄肉加工方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハＷの表面Ｗａに水溶性樹脂Ａからなる保護層１０を形成してパターンｐを被覆した後、保護層１０の表面に接着材１２を介して表面支持板１４を貼り合わせ、当該表面支持板１４にて支持された状態で半導体ウエーハＷの裏面Ｗｂ側を除去し、薄肉化した半導体ウエーハの裏面Ｗｂにウエーハシート２０を貼着した後、ウエーハシート２０の裏面に水溶性樹脂Ａを介して裏面支持板２２を貼り合わせると共に、ウエーハシート２０の表面側にウエーハフレームＦを取着し、然る後、保護層１０を水２４で溶解し、半導体ウエーハＷから表面支持板１４を除去する。 （もっと読む）