【課題】 半導体で使用されるものなどのナノ粒子形態のＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法。
【解決手段】 ＩＩＩ化合物原料とＶ化合物原料との反応により大気圧にて反応液中で反応が進行する。反応は高沸点溶媒中で進行する。溶媒は安定剤および塩基を含む。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、反応溶液から析出され、単離され、精製され、分析される。 （もっと読む）

少なくとも１種の実質的に官能化されていない炭素表面（例えば、フラーレン、グラファイトまたは非晶質炭素、グラフェンまたは前もって配向されたカーボンナノチューブ）と、少なくとも半導体ナノ粒子（例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＩｎＰおよび／またはＺｎＯ）あるいは金属合金ナノ粒子との組み合わせであって、前記少なくとも１種のナノ粒子が前記実質的に官能化されていない炭素表面に直接結合されている組み合わせが記載される。ナノ粒子の製造方法も記載される。本方法は、
・カチオン源を第１の有機溶媒に溶解して、カチオン含有媒体を製造すること、
・前記カチオン含有媒体に複数の実質的に官能化されていない炭素表面を加えて、カチオン−炭素混合物を形成すること、
・前記カチオン含有媒体と炭素表面との混合物にアニオン含有媒体を加えて、カチオン−炭素−アニオン混合物を形成すること、合金ナノ粒子の場合には、別のカチオン媒体が代わりに加えられる、
・前記カチオン−炭素−アニオン混合物を、反応系によって、６０℃〜３００℃の温度で１０分〜１週間放置すること、を含む。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子の表面処理方法に関する。本発明は、特に、溶媒中でのナノ粒子の分散能を向上させ、多価酸とアミンのような窒素含有塩基から構成される混合物、又は多価酸と窒素含有塩基の塩、例えばアンモニウム塩、或いは対応するベタインを用いるナノ粒子の表面処理方法に関する。本発明は、また、本発明方法によって得ることができる表面変性ナノ粒子にも関する。 （もっと読む）

本発明は、金属が多価金属または1価の遷移金属から選択される、場合によっては、ドープされたナノ粒状金属硫酸塩ナノ粒子を製造するための方法であって、該方法が、 a) 少なくとも1つのスルホキシド基を含む極性有機溶剤または少なくとも2つのヒドロキシ基を含む極性有機溶剤； b) 多価金属または1価の遷移金属、硫酸塩源および、場合によっては、ドーパント金属源；および、 c) i) イミダゾールを除く芳香族N-含有ヘテロ環を有する塩基； ii) 脂肪族N-含有ヘテロ環を有する塩基； iii) 脂肪族ヒドロキシ置換されたアミン類； iv) 脂肪族ポリアミン類； v) 芳香族アミン類； vi) アンモニアおよびアンモニアリリース化合物； vii) 金属水酸化物から選択される塩基を含む反応混合物を加熱する工程を含む方法；および、この方法によって得られる金属硫酸塩に係る。生ずる硫酸塩ナノ粒子は、高い白色度；優れた水への分散性；および、好ましい実施態様に従えば、また、メタノールへの優れた分散性を示す。
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