ＩＩＩ−Ｖナノ粒子およびその製造方法
【課題】 半導体で使用されるものなどのナノ粒子形態のＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法。
【解決手段】 ＩＩＩ化合物原料とＶ化合物原料との反応により大気圧にて反応液中で反応が進行する。反応は高沸点溶媒中で進行する。溶媒は安定剤および塩基を含む。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、反応溶液から析出され、単離され、精製され、分析される。
【解決手段】 ＩＩＩ化合物原料とＶ化合物原料との反応により大気圧にて反応液中で反応が進行する。反応は高沸点溶媒中で進行する。溶媒は安定剤および塩基を含む。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、反応溶液から析出され、単離され、精製され、分析される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、２００７年１１月２２日に出願の英国特許出願番号第０７２２９２０．６に基づく優先権を主張する。
【０００３】
リン化インジウムなどのＩＩＩ−Ｖ半導体粒子の製造方法は文献において公知である。例えば、米国特許第４７８３３２０号（Ａｄａｍｓｋｉら、空軍長官に代表されるアメリカ合衆国を出願人とする）は、合成サイクル全体にわたって安定した温度プロフィールを提供するヒートパイプを組み込んだ三帯式加熱炉の独立温度制御を使用したＩｎＰの高圧合成法を教示している。米国特許第４７８３３２０号に開示のこれら装置および方法は、８００℃を超える温度の加熱炉中でインジウム（Ｉｎ）およびリン（Ｐ）元素を直接反応させることによるＩｎＰの製造を教示している。
【０００４】
米国特許第４１８５０８１号（Ｆａｕｔｈら、空軍長官に代表されるアメリカ合衆国を出願人とする）は、Ａｄａｍｓｋｉの米国特許第４７８３３２０号で教示の方法と同様のＩｎＰの製造方法を教示している。米国特許第４１８５０８１号は、制御された装置中でのＩｎおよびＰ元素の直接反応を開示している。この装置は、ＩｎＰを安全に製造するための、特定の加熱、冷却、および加圧を用いる。
【０００５】
英国特許出願番号第２３５６３９５号（Ｖｅｎｅｚｉａ Ｔｅｃｎｏｌｏｇｉｅ Ｓ．ｐ．Ａ）は、ＩｎＰのさらなる直接製造法を開示しており、これによれば、ＩｎおよびＰ元素は、１０００℃を超える温度および１８５０〜２０００バールの圧力で経時的に一定の温度上昇をさせながら閉鎖系中で直接反応される。
【０００６】
国際公開第２００６／０９９３８６号（マサチューセッツ工科大学）は、コロイド状ＩＩＩ−Ｖナノ粒子の製造方法を開示している。この製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む少なくとも１種の原料物質の溶液を別の原料物質と反応させることを含む。原料物質は、溶媒中にＶ族元素および還元剤を含む。この特許出願に開示の製造方法で使用される溶媒は、高沸点溶媒ではない。ＩＩＩ−Ｖナノ粒子の製造は、高圧にて密閉容器中で行われる。
【０００７】
この文献には、ＩＩＩ−Ｖ半導体化合物の製造に関して多くの引用がある。例えば、Ｍｉｃｉｃら、「ＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＩｎＰ2の合成および特性決定（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．１９９５，９９，７７５４−７７５９）」は、ＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＩｎＰ2の量子ドットの製造および特性決定方法を開示している。この文献は、シュウ酸クロロインジウム錯体をＰ（ＳｉＭｅ3）3とＩｎ：Ｐが１．６：１のモル比で混合することによるＩｎＰの製造方法を開示している。著者は、この製造方法ではトリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）およびトリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）を用いている。
【０００８】
Ｍａｌｉｋら、「ヒ化ガリウムナノ粒子：合成および特性決定（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００３，１３，２５９１−２５９５）」は、１６７℃で７日間ゆっくりと加熱することによる、ＧａＣｌ3およびＡｓ（ＮＭｅ2）3からのＧａＡｓナノ粒子の製造を開示している。この出版物において使用されているＰ（ＳｉＭｅ3）3化合物は、非常に爆発および引火しやすく、また比較的高価である。
【０００９】
どの先行技術も、本明細書に開示のようなＩＩＩ−Ｖ粒子の簡潔な製造方法を開示していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第４７８３３２０号
【特許文献２】米国特許第４１８５０８１号
【特許文献３】英国特許出願番号第２３５６３９５号
【特許文献４】国際公開第２００６／０９９３８６号
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｍｉｃｉｃら著、「ＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＩｎＰ2の合成および特性決定」Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．１９９５，９９，７７５４−７７５９
【非特許文献２】Ｍａｌｉｋら著、「ヒ化ガリウムナノ粒子：合成および特性決定」Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００３，１３，２５９１−２５９５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、先行技術で開示の製造方法よりも安価かつ危険性の低い方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法を開示する。ＩＩＩ−Ｖ化合物の例は、半導体で使用される。ＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む少なくとも１種の原料物質とＶ族元素を含む原料物質とを含む溶液を反応させることを含む。反応は高沸点溶媒中で行われる。反応は不活性雰囲気中で大気圧にて行われる。高沸点溶媒は安定剤および還元剤を含む。反応は、所定の期間、所定の温度にて行われる。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、高沸点溶媒から析出されて単離される。
【００１４】
本発明の一態様では、高沸点溶媒と安定剤とＶ族原料との溶液は、トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）との溶液である。トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）には、追加のＶ族元素（生成物がＩＩＩ−Ｐ化合物である場合）を必要としないという利点がある。
【００１５】
反応の完了後、製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、極性有機液体の添加により反応液から析出される。極性有機液体としては、メタノール、エタノール、プロパノール、またはアセトンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、反応液から遠心分離されろ別される。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、トルエンなどの非極性有機液体に再溶解されてさらに精製され、得られた溶液から極性有機液体の添加により析出される。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、次いで、ろ過され単離される。精製工程は何度繰り返してもよい。
【００１６】
ＩＩＩ−Ｖ化合物の製造のために反応を進行させるための所定温度とは、１００℃〜３５０℃以上である。反応を完了させるための所定の時間とは、１〜３０時間である。
【００１７】
ＩＩＩ族化合物の原料物質は、ＩＩＩ族の塩、ＩＩＩ族のオキシド、またはＩＩＩ族の酢酸塩からなる群から選ぶことができる。Ｖ族化合物の原料物質は、ＩＩ−Ｖ化合物であってもよく、ここでＩＩ−Ｖ族化合物は、Ｃａ3Ｐ2またはＭｇ3Ａｓ2からなる群から選ばれる。Ｖ族化合物の原料物質はまた、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）であってもよい。これはまた、上記製造方法において高沸点溶媒として使用することができる。
【００１８】
上記製造方法を効果的に進行させるために、高沸点溶媒は安定剤を含む。安定剤としては、トリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシドが挙げられるが、これらに限定されるものではない。安定剤はまた、長鎖アミンであってもよい。安定剤はまた、トリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシドと長鎖アミンとの混合物であってもよい。
【００１９】
高沸点溶媒はまた、還元剤を含む。還元剤は、ルイス塩基である。還元剤としては、ブチルリチウム（Ｂｕｌｉ）または水素化ホウ素カリウムが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
この製造方法に使用される物質は、いずれも適度に安価である。この製造方法に使用される物質および装置は、利用しやすい。このＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、先行技術で開示の製造方法よりも安価かつ危険性の低い方法を提供する。
【００２１】
本発明およびその利点についての完全な理解のために、添付の図と併せて次なる詳細な説明を参照する。
【００２２】
付帯の請求項、以下の詳細な説明、および添付の図を考慮すれば、本明細書に開示の本発明の様々な態様は、単に本発明を製造および使用するための具体的な様式の例示であり、したがって、本発明の範囲を限定するものではないことが理解されるはずである。
【００２３】
本発明の一態様からの特徴は、本明細書を考慮するかまたは本明細書に開示の発明を実際に行うことから当業者に明らかになり、かつ当該特徴は、本発明の他の態様からの特徴と組み合わせることができることが分かるはずである。
【００２４】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法を教示する。特に、半導体粒子である。「ナノ粒子」とは、典型的には、１００ｎｍ未満の寸法の粒子であると定義される。しかしながら、本発明は、当該寸法以下の粒子に限定されるものではなく、より大きな寸法のＩＩＩ−Ｖ半導体ナノ粒子にも同様に適用可能であることに留意されたい。
【００２５】
ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法は次のように進行する。
【００２６】
【化１】
【００２７】
続いて：
【００２８】
【化２】
【００２９】
式中、Ｉｎ（Ｇａ）Ｘ1は、インジウムまたはガリウムの塩、オキシド、もしくは酢酸塩である。Ｉｎ（Ｇａ）Ｘ1の例としては、ＩｎＣｌ3が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｉｎ（Ｇａ）Ｘ1化合物は、ＩＩＩ−Ｖ粒子のためのＩＩＩ原料を提供する。
【００３０】
Ｘ2Ｐ（Ａｓ）は、金属リン化物、金属ヒ化物、またはアルキルホスフィンである。Ｘ2Ｐ（Ａｓ）の例としては、Ｃａ3Ｐ2、Ｍｇ3Ａｓ2、またはＰＰｈ3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。Ｘ2Ｐ（Ａｓ）化合物は、ＩＩＩ−Ｖ粒子のためのＶ原料を提供する。
【００３１】
Ｘ2Ｐはまた、高沸点溶媒、すなわちＴＯＰＯ／ＴＯＰ（後述のように）であってもよい。
【００３２】
反応は、沸点が高い溶媒中で行われる。ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法では、高沸点溶媒はまた、安定剤および還元剤を含む。
【００３３】
本発明によるＩＩＩ−Ｖ粒子の製造の一態様は、トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）との高沸点溶媒中で、少なくとも１時間、１００℃を超える温度、好ましくは１２０℃にて反応を行うことである。高沸点溶媒は、まず真空下で排気されて高沸点溶媒中に存在するすべての揮発性不純物が除去される。本発明のこの態様におけるトリオクチルホスフィンオキシドおよびトリオクチルホスフィンは、高沸点溶媒であり、コロイド状安定剤であり、かつリン原料である。本発明のこの態様においてそしてさらなる態様においては、ＴＯＰＯ／ＴＯＰは、ＩＩＩ−Ｐ化合物の製造に使用される（先行技術文献の節に記載のＭｉｃｉｃらによる論文、およびＭｕｒｒａｙ、Ｎｏｒｒｉｓらによる文献を参照のこと）。
【００３４】
高沸点溶媒のさらなる例としては、ヘキサデシルアミン、およびオクタデセン（高い沸点を有することが公知であるが安定剤ではない）と長鎖アミン（ヘキサデシルアミン、またはコロイド状安定剤として作用する類似化合物など）との混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。トリフェニルホスフィンがリン原料として使用される本発明の態様において、トリフェニルホスフィンは、比較的融点が低いが、沸点が高いので反応溶媒として直接使用される。
【００３５】
使用される還元剤はルイス塩基であるが、本発明のさらなる態様においては、ブチルリチウム（Ｂｕｌｉ）または水素化ホウ素カリウム（ＫＢＨ4）であってもよい。
【００３６】
還元されたＩＩＩ化合物とＶ化合物とを含む混合物が調製される。反応混合物は、次いで、少なくとも２５０℃まで加熱されるが、上限温度は３５０℃を超えてもよい。反応は３０時間この加熱温度にて継続される。
【００３７】
ＩＩＩ−Ｖ粒子は、極性有機溶媒を使用して反応液から析出させた。ＩＩＩ−Ｖ粒子の析出に使用する適切な極性有機溶媒の例としては、メタノール、プロパノール、エタノール、およびアセトンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。析出したＩＩＩ−Ｖ粒子は、メタノールおよびトルエンなどの有機液体で洗浄された。
【００３８】
本発明のＩＩＩ−Ｖ粒子はナノドットとして使用できる。
【発明の効果】
【００３９】
この製造方法に使用される物質は、いずれも適度に安価である。この製造方法に使用される物質および装置は、利用しやすい。このＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、先行技術で開示の製造方法よりも安価かつ危険性の低い方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、リン化インジウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図２】図２は、リン化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図３】図３は、リン化インジウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図４】図４は、リン化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図５】図５は、リン化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図６】図６は、ヒ化インジウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図７】図７は、ヒ化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図８】図８は、ヒ化ガリウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図９】図９は、ヒ化ガリウムナノ粒子の高解像度ＴＥＭ画像を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
［実施例１］
下記式に従うリン化インジウムナノ粒子の調製
【００４２】
【化３】
【００４３】
グローブボックス内で、トリオクチルホスフィンオキシド（Ａｌｄｒｉｃｈから）を１ｇおよびトリオクチルホスフィン（Ｆｌｕｋａから）を１０ｍｌ、２５ｍｌ三つ口フラスコに一緒に加えた。この溶液を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００４４】
次に、トリオクチルホスフィン中のＩｎＣｌ3（Ａｌｄｒｉｃｈ）の０．５Ｍ溶液を１ｍｌ上記溶液に加え、次に３００℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００４５】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、次いでさらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００４６】
粒子をＴＥＭ（図１）およびＸＲＤ（図２）で特性決定した。
【００４７】
［実施例２］
下記式に従うリン化インジウムナノ粒子の調製
【００４８】
【化４】
【００４９】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、ヘキサデシルアミン（Ｍｅｒｃｋ）を９．０ｇ、ＩｎＣｌ3（Ａｌｆａ）を０．１ｇ、およびＣａ3Ｐ2（ＡＢＣＲ）を０．８ｇ加えた。この懸濁液を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００５０】
この溶液を３００℃まで加熱した。次に、ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００５１】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を反応液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００５２】
粒子をＴＥＭ（図３）およびＸＲＤ（図４）で特性決定した。
【００５３】
［実施例３］
下記式に従うリン化インジウムナノ粒子の調製
【００５４】
【化５】
【００５５】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、トリフェニルホスフィン（Ｆｌｕｋａ）を１０ｇ、ＩｎＣｌ3（Ａｌｆａ）を０．１ｇ加えた。この懸濁液を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００５６】
次に、この溶液を３００℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００５７】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００５８】
粒子をＸＲＤ（図５）で特性決定した。
【００５９】
［実施例４］
下記式に従うヒ化インジウムナノ粒子の調製
【００６０】
【化６】
【００６１】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、トリオクチルホスフィンオキシド（Ａｌｄｒｉｃｈ）を３ｇ、ヘキサデシルアミン（Ｆｌｕｋａ）を７ｇ、Ｍｇ3Ａｓ2（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０６ｇ、およびＩｎＣｌ3（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０６ｇ加えた。この混合物を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００６２】
次に、この溶液を３００℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００６３】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００６４】
粒子をＴＥＭ（図６）およびＸＲＤ（図７）で特性決定した。
【００６５】
［実施例５］
下記式に従うヒ化ガリウムナノ粒子の調製
【００６６】
【化７】
【００６７】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、トリオクチルホスフィンオキシド（Ａｌｄｒｉｃｈ）を１ｇ、オクタデセン（Ｆｌｕｋａ）を１０ｍｌ、Ｍｇ3Ａｓ2（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０３２ｇ、およびＧａＣｌ3（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０４４ｇ加えた。この混合物を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００６８】
この溶液を次に３１５℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）４ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．７５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００６９】
反応は４時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００７０】
粒子をＴＥＭ（図８）および高解像度ＴＥＭ（図９）で特性決定した。
【００７１】
本明細書および実施例は単に例示として考慮されることを意図し、本発明の真の範囲は、下記請求項により示される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、２００７年１１月２２日に出願の英国特許出願番号第０７２２９２０．６に基づく優先権を主張する。
【０００３】
リン化インジウムなどのＩＩＩ−Ｖ半導体粒子の製造方法は文献において公知である。例えば、米国特許第４７８３３２０号（Ａｄａｍｓｋｉら、空軍長官に代表されるアメリカ合衆国を出願人とする）は、合成サイクル全体にわたって安定した温度プロフィールを提供するヒートパイプを組み込んだ三帯式加熱炉の独立温度制御を使用したＩｎＰの高圧合成法を教示している。米国特許第４７８３３２０号に開示のこれら装置および方法は、８００℃を超える温度の加熱炉中でインジウム（Ｉｎ）およびリン（Ｐ）元素を直接反応させることによるＩｎＰの製造を教示している。
【０００４】
米国特許第４１８５０８１号（Ｆａｕｔｈら、空軍長官に代表されるアメリカ合衆国を出願人とする）は、Ａｄａｍｓｋｉの米国特許第４７８３３２０号で教示の方法と同様のＩｎＰの製造方法を教示している。米国特許第４１８５０８１号は、制御された装置中でのＩｎおよびＰ元素の直接反応を開示している。この装置は、ＩｎＰを安全に製造するための、特定の加熱、冷却、および加圧を用いる。
【０００５】
英国特許出願番号第２３５６３９５号（Ｖｅｎｅｚｉａ Ｔｅｃｎｏｌｏｇｉｅ Ｓ．ｐ．Ａ）は、ＩｎＰのさらなる直接製造法を開示しており、これによれば、ＩｎおよびＰ元素は、１０００℃を超える温度および１８５０〜２０００バールの圧力で経時的に一定の温度上昇をさせながら閉鎖系中で直接反応される。
【０００６】
国際公開第２００６／０９９３８６号（マサチューセッツ工科大学）は、コロイド状ＩＩＩ−Ｖナノ粒子の製造方法を開示している。この製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む少なくとも１種の原料物質の溶液を別の原料物質と反応させることを含む。原料物質は、溶媒中にＶ族元素および還元剤を含む。この特許出願に開示の製造方法で使用される溶媒は、高沸点溶媒ではない。ＩＩＩ−Ｖナノ粒子の製造は、高圧にて密閉容器中で行われる。
【０００７】
この文献には、ＩＩＩ−Ｖ半導体化合物の製造に関して多くの引用がある。例えば、Ｍｉｃｉｃら、「ＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＩｎＰ2の合成および特性決定（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．１９９５，９９，７７５４−７７５９）」は、ＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＩｎＰ2の量子ドットの製造および特性決定方法を開示している。この文献は、シュウ酸クロロインジウム錯体をＰ（ＳｉＭｅ3）3とＩｎ：Ｐが１．６：１のモル比で混合することによるＩｎＰの製造方法を開示している。著者は、この製造方法ではトリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）およびトリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）を用いている。
【０００８】
Ｍａｌｉｋら、「ヒ化ガリウムナノ粒子：合成および特性決定（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００３，１３，２５９１−２５９５）」は、１６７℃で７日間ゆっくりと加熱することによる、ＧａＣｌ3およびＡｓ（ＮＭｅ2）3からのＧａＡｓナノ粒子の製造を開示している。この出版物において使用されているＰ（ＳｉＭｅ3）3化合物は、非常に爆発および引火しやすく、また比較的高価である。
【０００９】
どの先行技術も、本明細書に開示のようなＩＩＩ−Ｖ粒子の簡潔な製造方法を開示していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第４７８３３２０号
【特許文献２】米国特許第４１８５０８１号
【特許文献３】英国特許出願番号第２３５６３９５号
【特許文献４】国際公開第２００６／０９９３８６号
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｍｉｃｉｃら著、「ＩｎＰ、ＧａＰ、およびＧａＩｎＰ2の合成および特性決定」Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．１９９５，９９，７７５４−７７５９
【非特許文献２】Ｍａｌｉｋら著、「ヒ化ガリウムナノ粒子：合成および特性決定」Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００３，１３，２５９１−２５９５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、先行技術で開示の製造方法よりも安価かつ危険性の低い方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法を開示する。ＩＩＩ−Ｖ化合物の例は、半導体で使用される。ＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む少なくとも１種の原料物質とＶ族元素を含む原料物質とを含む溶液を反応させることを含む。反応は高沸点溶媒中で行われる。反応は不活性雰囲気中で大気圧にて行われる。高沸点溶媒は安定剤および還元剤を含む。反応は、所定の期間、所定の温度にて行われる。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、高沸点溶媒から析出されて単離される。
【００１４】
本発明の一態様では、高沸点溶媒と安定剤とＶ族原料との溶液は、トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）との溶液である。トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）には、追加のＶ族元素（生成物がＩＩＩ−Ｐ化合物である場合）を必要としないという利点がある。
【００１５】
反応の完了後、製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、極性有機液体の添加により反応液から析出される。極性有機液体としては、メタノール、エタノール、プロパノール、またはアセトンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、反応液から遠心分離されろ別される。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、トルエンなどの非極性有機液体に再溶解されてさらに精製され、得られた溶液から極性有機液体の添加により析出される。製造されたＩＩＩ−Ｖ化合物は、次いで、ろ過され単離される。精製工程は何度繰り返してもよい。
【００１６】
ＩＩＩ−Ｖ化合物の製造のために反応を進行させるための所定温度とは、１００℃〜３５０℃以上である。反応を完了させるための所定の時間とは、１〜３０時間である。
【００１７】
ＩＩＩ族化合物の原料物質は、ＩＩＩ族の塩、ＩＩＩ族のオキシド、またはＩＩＩ族の酢酸塩からなる群から選ぶことができる。Ｖ族化合物の原料物質は、ＩＩ−Ｖ化合物であってもよく、ここでＩＩ−Ｖ族化合物は、Ｃａ3Ｐ2またはＭｇ3Ａｓ2からなる群から選ばれる。Ｖ族化合物の原料物質はまた、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）であってもよい。これはまた、上記製造方法において高沸点溶媒として使用することができる。
【００１８】
上記製造方法を効果的に進行させるために、高沸点溶媒は安定剤を含む。安定剤としては、トリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシドが挙げられるが、これらに限定されるものではない。安定剤はまた、長鎖アミンであってもよい。安定剤はまた、トリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシドと長鎖アミンとの混合物であってもよい。
【００１９】
高沸点溶媒はまた、還元剤を含む。還元剤は、ルイス塩基である。還元剤としては、ブチルリチウム（Ｂｕｌｉ）または水素化ホウ素カリウムが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
この製造方法に使用される物質は、いずれも適度に安価である。この製造方法に使用される物質および装置は、利用しやすい。このＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、先行技術で開示の製造方法よりも安価かつ危険性の低い方法を提供する。
【００２１】
本発明およびその利点についての完全な理解のために、添付の図と併せて次なる詳細な説明を参照する。
【００２２】
付帯の請求項、以下の詳細な説明、および添付の図を考慮すれば、本明細書に開示の本発明の様々な態様は、単に本発明を製造および使用するための具体的な様式の例示であり、したがって、本発明の範囲を限定するものではないことが理解されるはずである。
【００２３】
本発明の一態様からの特徴は、本明細書を考慮するかまたは本明細書に開示の発明を実際に行うことから当業者に明らかになり、かつ当該特徴は、本発明の他の態様からの特徴と組み合わせることができることが分かるはずである。
【００２４】
本発明は、ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法を教示する。特に、半導体粒子である。「ナノ粒子」とは、典型的には、１００ｎｍ未満の寸法の粒子であると定義される。しかしながら、本発明は、当該寸法以下の粒子に限定されるものではなく、より大きな寸法のＩＩＩ−Ｖ半導体ナノ粒子にも同様に適用可能であることに留意されたい。
【００２５】
ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法は次のように進行する。
【００２６】
【化１】
【００２７】
続いて：
【００２８】
【化２】
【００２９】
式中、Ｉｎ（Ｇａ）Ｘ1は、インジウムまたはガリウムの塩、オキシド、もしくは酢酸塩である。Ｉｎ（Ｇａ）Ｘ1の例としては、ＩｎＣｌ3が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｉｎ（Ｇａ）Ｘ1化合物は、ＩＩＩ−Ｖ粒子のためのＩＩＩ原料を提供する。
【００３０】
Ｘ2Ｐ（Ａｓ）は、金属リン化物、金属ヒ化物、またはアルキルホスフィンである。Ｘ2Ｐ（Ａｓ）の例としては、Ｃａ3Ｐ2、Ｍｇ3Ａｓ2、またはＰＰｈ3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。Ｘ2Ｐ（Ａｓ）化合物は、ＩＩＩ−Ｖ粒子のためのＶ原料を提供する。
【００３１】
Ｘ2Ｐはまた、高沸点溶媒、すなわちＴＯＰＯ／ＴＯＰ（後述のように）であってもよい。
【００３２】
反応は、沸点が高い溶媒中で行われる。ＩＩＩ−Ｖ粒子の製造方法では、高沸点溶媒はまた、安定剤および還元剤を含む。
【００３３】
本発明によるＩＩＩ−Ｖ粒子の製造の一態様は、トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）との高沸点溶媒中で、少なくとも１時間、１００℃を超える温度、好ましくは１２０℃にて反応を行うことである。高沸点溶媒は、まず真空下で排気されて高沸点溶媒中に存在するすべての揮発性不純物が除去される。本発明のこの態様におけるトリオクチルホスフィンオキシドおよびトリオクチルホスフィンは、高沸点溶媒であり、コロイド状安定剤であり、かつリン原料である。本発明のこの態様においてそしてさらなる態様においては、ＴＯＰＯ／ＴＯＰは、ＩＩＩ−Ｐ化合物の製造に使用される（先行技術文献の節に記載のＭｉｃｉｃらによる論文、およびＭｕｒｒａｙ、Ｎｏｒｒｉｓらによる文献を参照のこと）。
【００３４】
高沸点溶媒のさらなる例としては、ヘキサデシルアミン、およびオクタデセン（高い沸点を有することが公知であるが安定剤ではない）と長鎖アミン（ヘキサデシルアミン、またはコロイド状安定剤として作用する類似化合物など）との混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。トリフェニルホスフィンがリン原料として使用される本発明の態様において、トリフェニルホスフィンは、比較的融点が低いが、沸点が高いので反応溶媒として直接使用される。
【００３５】
使用される還元剤はルイス塩基であるが、本発明のさらなる態様においては、ブチルリチウム（Ｂｕｌｉ）または水素化ホウ素カリウム（ＫＢＨ4）であってもよい。
【００３６】
還元されたＩＩＩ化合物とＶ化合物とを含む混合物が調製される。反応混合物は、次いで、少なくとも２５０℃まで加熱されるが、上限温度は３５０℃を超えてもよい。反応は３０時間この加熱温度にて継続される。
【００３７】
ＩＩＩ−Ｖ粒子は、極性有機溶媒を使用して反応液から析出させた。ＩＩＩ−Ｖ粒子の析出に使用する適切な極性有機溶媒の例としては、メタノール、プロパノール、エタノール、およびアセトンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。析出したＩＩＩ−Ｖ粒子は、メタノールおよびトルエンなどの有機液体で洗浄された。
【００３８】
本発明のＩＩＩ−Ｖ粒子はナノドットとして使用できる。
【発明の効果】
【００３９】
この製造方法に使用される物質は、いずれも適度に安価である。この製造方法に使用される物質および装置は、利用しやすい。このＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法は、先行技術で開示の製造方法よりも安価かつ危険性の低い方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、リン化インジウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図２】図２は、リン化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図３】図３は、リン化インジウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図４】図４は、リン化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図５】図５は、リン化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図６】図６は、ヒ化インジウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図７】図７は、ヒ化インジウムナノ粒子のＸＲＤ画像を示す。
【図８】図８は、ヒ化ガリウムナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。
【図９】図９は、ヒ化ガリウムナノ粒子の高解像度ＴＥＭ画像を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
［実施例１］
下記式に従うリン化インジウムナノ粒子の調製
【００４２】
【化３】
【００４３】
グローブボックス内で、トリオクチルホスフィンオキシド（Ａｌｄｒｉｃｈから）を１ｇおよびトリオクチルホスフィン（Ｆｌｕｋａから）を１０ｍｌ、２５ｍｌ三つ口フラスコに一緒に加えた。この溶液を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００４４】
次に、トリオクチルホスフィン中のＩｎＣｌ3（Ａｌｄｒｉｃｈ）の０．５Ｍ溶液を１ｍｌ上記溶液に加え、次に３００℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００４５】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、次いでさらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００４６】
粒子をＴＥＭ（図１）およびＸＲＤ（図２）で特性決定した。
【００４７】
［実施例２］
下記式に従うリン化インジウムナノ粒子の調製
【００４８】
【化４】
【００４９】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、ヘキサデシルアミン（Ｍｅｒｃｋ）を９．０ｇ、ＩｎＣｌ3（Ａｌｆａ）を０．１ｇ、およびＣａ3Ｐ2（ＡＢＣＲ）を０．８ｇ加えた。この懸濁液を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００５０】
この溶液を３００℃まで加熱した。次に、ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００５１】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を反応液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００５２】
粒子をＴＥＭ（図３）およびＸＲＤ（図４）で特性決定した。
【００５３】
［実施例３］
下記式に従うリン化インジウムナノ粒子の調製
【００５４】
【化５】
【００５５】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、トリフェニルホスフィン（Ｆｌｕｋａ）を１０ｇ、ＩｎＣｌ3（Ａｌｆａ）を０．１ｇ加えた。この懸濁液を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００５６】
次に、この溶液を３００℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００５７】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００５８】
粒子をＸＲＤ（図５）で特性決定した。
【００５９】
［実施例４］
下記式に従うヒ化インジウムナノ粒子の調製
【００６０】
【化６】
【００６１】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、トリオクチルホスフィンオキシド（Ａｌｄｒｉｃｈ）を３ｇ、ヘキサデシルアミン（Ｆｌｕｋａ）を７ｇ、Ｍｇ3Ａｓ2（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０６ｇ、およびＩｎＣｌ3（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０６ｇ加えた。この混合物を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００６２】
次に、この溶液を３００℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）１ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００６３】
反応は２０時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００６４】
粒子をＴＥＭ（図６）およびＸＲＤ（図７）で特性決定した。
【００６５】
［実施例５］
下記式に従うヒ化ガリウムナノ粒子の調製
【００６６】
【化７】
【００６７】
グローブボックス内で、２５ｍｌ三つ口フラスコに、トリオクチルホスフィンオキシド（Ａｌｄｒｉｃｈ）を１ｇ、オクタデセン（Ｆｌｕｋａ）を１０ｍｌ、Ｍｇ3Ａｓ2（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０３２ｇ、およびＧａＣｌ3（Ａｌｄｒｉｃｈ）を０．０４４ｇ加えた。この混合物を１．５時間１２０℃で排気して、揮発成分を除去した。
【００６８】
この溶液を次に３１５℃まで加熱した。ヘキサン（Ｍｅｒｃｋから）４ｍｌ中のブチルリチウム（Ｍｅｒｃｋから）を０．７５ｍｍｏｌこの熱溶液に滴下した。
【００６９】
反応は４時間後には完了していた。遠心分離により析出物を溶液から分離した。次に、メタノール（Ｍｅｒｃｋから）の添加、さらなる遠心分離により粒子を抽出した。トルエン（Ａｌｄｒｉｃｈから）および再びメタノールで粒子をさらに抽出した。この洗浄工程を４回繰り返した。
【００７０】
粒子をＴＥＭ（図８）および高解像度ＴＥＭ（図９）で特性決定した。
【００７１】
本明細書および実施例は単に例示として考慮されることを意図し、本発明の真の範囲は、下記請求項により示される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧でのＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法であって、
高沸点溶媒および安定剤を加熱すること、
前記溶媒にＩＩＩ族化合物を加えること、
得られた溶液にＶ族化合物を加えること、
得られた溶液を加熱すること、
加熱された得られた溶液に還元剤を加えることを含み、
前記ＩＩＩ−Ｖ化合物は前記加熱された得られた溶液から析出されて精製される方法。
【請求項２】
前記高沸点溶媒と安定剤とＶ族化合物との溶液が、トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）との溶液である、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３】
極性有機液体の添加により前記反応液から前記ＩＩＩ−Ｖ化合物を析出させることをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記析出したＩＩＩ−Ｖ化合物を前記反応混合物から遠心分離することをさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記析出したＩＩＩ−Ｖを非極性有機溶媒に溶解すること、およびさらに極性有機溶媒を添加して精製物を析出させることをさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記非極性有機溶媒がトルエンである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記極性有機液体が、メタノール、エタノール、プロパノール、およびアセトンからなる群から選ばれる、請求項３〜６の一項に記載の方法。
【請求項８】
前記高沸点溶媒および安定剤が少なくとも１時間少なくとも１００℃の温度で加熱される、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ＩＩＩ−Ｖ化合物が３０時間以内に前記溶液中で形成される、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩＩＩ族化合物が、ＩＩＩ族の塩、ＩＩＩ族のオキシド、またはＩＩＩ族の酢酸塩を含む群から選ばれる、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｖ族化合物が、ＩＩ−Ｖ化合物からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＩＩ−Ｖ族化合物が、Ｃａ3Ｐ2またはＭｇ3Ａｓ2からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｖ族化合物がトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記高沸点溶媒とＶ族化合物との溶液がトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記安定剤が、トリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシド、長鎖アミン、またはこれらのいずれかと前記高沸点溶媒との混合物からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記還元剤がルイス塩基である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記還元剤が、ブチルリチウムまたは水素化ホウ素カリウムからなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１】
大気圧でのＩＩＩ−Ｖ化合物の製造方法であって、
高沸点溶媒および安定剤を加熱すること、
前記溶媒にＩＩＩ族化合物を加えること、
得られた溶液にＶ族化合物を加えること、
得られた溶液を加熱すること、
加熱された得られた溶液に還元剤を加えることを含み、
前記ＩＩＩ−Ｖ化合物は前記加熱された得られた溶液から析出されて精製される方法。
【請求項２】
前記高沸点溶媒と安定剤とＶ族化合物との溶液が、トリオクチルホスフィンオキシドとトリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ／ＴＯＰ）との溶液である、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３】
極性有機液体の添加により前記反応液から前記ＩＩＩ−Ｖ化合物を析出させることをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記析出したＩＩＩ−Ｖ化合物を前記反応混合物から遠心分離することをさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記析出したＩＩＩ−Ｖを非極性有機溶媒に溶解すること、およびさらに極性有機溶媒を添加して精製物を析出させることをさらに含む、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記非極性有機溶媒がトルエンである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記極性有機液体が、メタノール、エタノール、プロパノール、およびアセトンからなる群から選ばれる、請求項３〜６の一項に記載の方法。
【請求項８】
前記高沸点溶媒および安定剤が少なくとも１時間少なくとも１００℃の温度で加熱される、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ＩＩＩ−Ｖ化合物が３０時間以内に前記溶液中で形成される、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩＩＩ族化合物が、ＩＩＩ族の塩、ＩＩＩ族のオキシド、またはＩＩＩ族の酢酸塩を含む群から選ばれる、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｖ族化合物が、ＩＩ−Ｖ化合物からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＩＩ−Ｖ族化合物が、Ｃａ3Ｐ2またはＭｇ3Ａｓ2からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｖ族化合物がトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記高沸点溶媒とＶ族化合物との溶液がトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記安定剤が、トリオクチルホスフィン／トリオクチルホスフィンオキシド、長鎖アミン、またはこれらのいずれかと前記高沸点溶媒との混合物からなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記還元剤がルイス塩基である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記還元剤が、ブチルリチウムまたは水素化ホウ素カリウムからなる群から選ばれる、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公表番号】特表２０１１−５０４４４５（Ｐ２０１１−５０４４４５Ａ）
【公表日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５３４４２３（Ｐ２０１０−５３４４２３）
【出願日】平成２０年９月１９日（２００８．９．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００８／０６２５２７
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０６５６３９
【国際公開日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【出願人】（５０６３７０６８５）ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー（ツェーアーエン）ゲーエムベーハー (4)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月１９日（２００８．９．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００８／０６２５２７
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０６５６３９
【国際公開日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【出願人】（５０６３７０６８５）ツェントラム・フューア・アンゲヴァンテ・ナノテヒノロギー（ツェーアーエン）ゲーエムベーハー (4)
【Ｆターム（参考）】
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