【課題】 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、一組の結晶粒（Ｇ_１，．．．Ｇ_ｉ，．．．，Ｇ_ｎ）を含む多結晶材料の試料中に含まれる結晶粒の結晶格子の配向と偏差弾性歪を測定する方法であって、一系列のラウエパターンを記録する工程と、前記ラウエパターンをインターレース解除する演算であって、結晶粒の空間的広がりをさらに特定するようにトモグラフィ演算と組み合わせられると有利であるインターレース解除演算と、を含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＲＦＩＤ通信により物体を位置特定するための装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、リーダとタグとの間の電気的接触を伴わない誘導結合による無線周波数通信を介した物体の位置特定および識別に関する。装置は、既知の位置に配置された誘導性アンテナ（ＡＦ）を有するＲＦＩＤタグタイプのＮ個の固定ＲＦＩＤマーカ（ＥＦ）のアレイ（Ｎは１より大きい整数）と、Ｎ個のマーカの付近を通る固定読み取り誘導性アンテナ（ＡＬ）が設けられたＲＦＩＤタグリーダ（ＬＦ）とを備える。誘導性読み取りアンテナに対するＮ個のマーカの位置は、いずれのマーカの誘導性アンテナと誘導性読み取りアンテナとの間の相互インダクタンスも、マーカのアレイの近傍にいずれの位置特定対象の物体も存在しないときにはゼロとなり、検討中のマーカの近傍にＲＦＩＤタグが存在するときには非ゼロとなる。結合は、マーカの付近に移動タグが存在する状態で確立される。 （もっと読む）

【課題】金属相互接続線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板にトレンチを画定するエッチング・ステップと、金属の電着によって前記トレンチを充填するステップとを含み、金属の結晶粒で充填された前記トレンチの上に金属侵入層を形成するステップを含み、さらに、トレンチに沿った結晶粒方位の第１の方向と、トレンチに垂直な方向での結晶粒方位の第２の方向とを決定するステップと、前記金属の結晶格子内でのイオン・チャネリングの第３の方向を決定するステップと、前記金属侵入層内でのイオン注入ビームの向きＤｉ_１の少なくとも１つの方向を決定するステップと、イオン注入ビームの向きＤｉ_１の１つに応じて、侵入層にイオン・ビームによってイオン注入するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 画像格納方法および対応する格納媒体を提供する。
【解決手段】 本発明は、レーザビームを使用する書き込み手順に基づいてエッチング可能な媒体上に画像を格納する方法に関する。基板（好ましくはフレキシブル）は、横寸法が１０ミリメートル未満で画像のために各々確保された多数の区域を備え、画像のために確保された区域は、格納対象の画像の画素と同程度の数の基本領域（１６）を備え、区域に格納される画像は、光学拡大手段により読み込み可能である。各基本領域は、彫り込みパターン（１７）を備え、その直径は、取り得るｎ段階のレベルのうちのそれぞれ１つのグレーレベルを表す。 （もっと読む）

【課題】 異方性表面の拡散テンソルまたは表面エネルギーの異方性を測定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、特定の構造の形成を要求せずに拡散テンソルの異方性または表面エネルギーの異方性を決定する方法であって、適度な振幅の摂動の場合にこのような決定を可能にする方法に関する。
本発明は、直角な２方向に沿う２つの波長を有する空間的に定義された摂動であって、摂動の振幅／波長比により典型的に特徴付けられる適度な振幅の摂動についての、自然または人工的な粗さの時間的発展の測定、および２次元パワースペクトル密度の形式における結果の解析に基づき、前記比は典型的に０．３未満である。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ容量テスト構造と、それに関連した、電圧の関数として容量曲線を測定する方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳスタックの正確な特性化のためのテスト構造は、ＭＯＳトランジスタを含む２つの半導体装置ＤＴ１、ＤＴ２を含む。第１の装置Ｔｉのトランジスタの寸法（長さＬｉ、幅Ｗｉ）と第２の装置のトランジスタＴ’ｉの寸法（長さＬ’ｉ、幅Ｗ’ｉ）は、一方はトランジスタの長さの和と他方はトランジスタの幅の和がそれぞれ２つの装置において等しくなるように、かつ２つの装置間の表面積差分Ｓｅｑｕｉｖが非零となるように選択される。これに関連する測定法は、容量計により、電圧の関数として２つの装置間の差分容量の曲線を計算することを可能にする。適切に制御されたＣＭＯＳインバータの負荷として上記装置のそれぞれを配置することにより、この曲線は、各インバータにおける電流の測定に基づく動的測定方法により記録することができる。 （もっと読む）

【課題】 液浸紫外線フォトリソグラフィ方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、１９３ナノメートルまたは１５７ナノメートルの紫外線フォトリソグラフィに関する。解像度を最大にするために、非常に高い開口数を有する光学系を用いるが、この高い開口数から最大の利益を得るのに十分な屈折率を有するフォトレジストを使用しない。標準レジスト（ＰＲ）を使用するが、投影光学系（ＯＬ）とフォトレジスト（ＰＲ）との間に浸漬液（ＬＱ）があるにもかかわらず、入射角の非常に大きい光線が全反射する場合はエバネッセント波によって局所的に露光されるほど薄い厚さのものを使用することを提案する。 （もっと読む）

【課題】
適応可能な地上中継局を伴うハイブリッド地上−衛星通信ネットワークを提供する。
【解決手段】
部分的区域（ＺＡ、ＺＢ、ＺＣ）から成る地理的区域をカバーする少なくとも１つの信号を送信する、少なくとも１つの衛星（Ｓ）、衛星（Ｓ）からの衛星信号を受信及び処理した信号を部分的区域（ＺＡ、ＺＢ、ＺＣ）内に送信する地上中継局（Ｒ）及び移動受信端末（Ｔ）とを備えたハイブリッド通信ネットワークであって、部分的区域（ＺＡ、ＺＢ、ＺＣ）における衛星信号の受信品質のマッピングを行う第１の手段、マッピング情報を地上中継局（Ｒ）に送信する第２の手段を備え、地上中継局（Ｒ）がマッピング情報を受信し、該マッピング情報に基づき部分的区域（ＺＡ、ＺＢ、ＺＣ）における衛星信号の受信品質を改善する信号を送信する第３の手段を備える。 （もっと読む）

【課題】放射画素を有するマトリックス熱画像センサ及び空間ノイズの低減方法を提供する。
【解決手段】本発明は、画素により受け取られる熱流によって値が変化する放射抵抗（Ｒｂ）を各画素が含む放射タイプのマトリックス画像センサに関する。
抵抗（Ｒｂ）はＶｐｏｌの値のバイアス電圧によりバイアスをかけられる。それを通る電流は補償電流Ｉｃｏｍｐによって補償され、これらの電流間の差は測定信号を生じるために積分される。バイアス電圧（又は補償電流）は、全画素が放射抵抗の公称値のばらつきにかかわらず、同一の実視感度を有するように、例えば較正段階の間に画素ごとに調整される。調整は、各画素に特有の個々の電圧（ＶＧ）を、この画素に特有の感度トリマー・コンデンサ（Ｃａ）内に蓄えることにより、アナログ式に行なわれる。コンデンサはバイアス電圧の調整に、又は画素の感度において役割を果たす他のパラメータ（例えば積分時間）に直接作用する。
空間ノイズはそれにより大幅に低減される。 （もっと読む）

本発明は、半導体をベースとしたチップ上に作製された共有メモリ（２０）に関する。共有メモリは：
・２以上の整数ｍ個のデータバス（２４）；
・ｍ個のアドレスおよび制御バス（２００）；
・ｍ個の入出力インターフェース（ＰＩ／ＰＯ、ＰＯ’）であって、それぞれが、ｍ個のデータバス（２４）の１つおよびｍ個のアドレスおよび制御バス（２００）の１つに接続されている入出力インターフェース（ＰＩ／ＰＯ、ＰＯ’）；
・２以上の整数ｐ個のメモリバンク（２１、２２、２３）であって、それぞれが：
−データ入出力端子（Ｉ／Ｏ）ならびにアドレスおよび制御バス（２００）の各々によって制御されたアドレスおよび制御入力端子（Ｉ）を含むメモリ（２１０、２２０、２３０）；
−一組のｍ個のスイッチ（２１４、２２４、２３４）であって、ｍ個のスイッチ（２１４、２２４、２３４）の各々が、一方では、メモリ（２１０、２２０、２３０）のデータ入出力端子（Ｉ／Ｏ）に接続されているメモリデータバス（２１３、２２３、２３３）に、他方ではｍ個のデータバス（２４）の１つに接続されている、一組のｍ個のスイッチ（２１４、２２４、２３４）
を含むメモリバンク（２１、２２、２３）
を含む。共有メモリ（２０）は、特にマイクロエレクトロニクスの分野に応用される。 （もっと読む）