ダイヤモンドを合成する方法において、実質的にすべての雰囲気ガス及び他の軽量揮発性原子を除去するために、炭素源と溶媒／触媒の反応混合物を高温及び高真空で前処理する。次いで、低下した温度で、この除去されたガスを望ましいプロセスガスで置き換える。次いで、この前処理された反応混合物を、プロセスガスの存在下で炭素相図のダイヤモンド安定領域中の高温及び高圧条件にかけてダイヤモンドを製造する。このプロセスガスは、ダイヤモンドの成長速度を高め、溶媒／触媒包含物を減少させ、合成ダイヤモンド（成長した結晶）の形態を、主結晶面及びより塊状の方向へ移行させ、好ましくは望ましい高成長速度において、成長した結晶中の亀裂及びひずみを減少させ、且つ、ヘテロ原子、例えば、Ｐ（リン）又はＳ（硫黄）による、ダイヤモンド結晶の制御された均一なドーピングを可能にするように選択される。
（もっと読む）

約４５〜約７５体積％のＣＢＮで、二つ以上の平均粒径、好ましくは双峰型の粒子から構成されたＣＢＮ；第４、５、又は６族遷移金属の窒化物、炭窒化物、又は炭化物、又はそれらの混合物又は固溶体を含む化合物を含む第二硬質相；及び結合剤相；を含むＣＢＮ成形体を製造するのに用いられる組成物。 （もっと読む）

ＣＢＮ、第二硬質相、及び結合剤相を含むＣＢＮ成形体を製造するのに用いられる粉末組成物又は出発材料を製造するための方法は、二段階の摩擦粉砕を含む。第一は、第二硬質相と結合剤相とを摩擦粉砕することである。第二は、第一摩擦粉砕の微細粒子混合物にＣＢＮ粒子を添加し、次にその混合物を摩擦粉砕することである。 （もっと読む）

ＣＢＮ成形体は、ＣＢＮ、及びマトリックス相で、ＴｉＣＮ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、及びそれらの混合物及びそれらの固溶体から選択された第二硬質相、及び最大量の二硼化チタンを組込んだマトリックス相を含み、然も、（１０１）二硼化チタンピーク（バックグラウンド補正後）のＸＲＤピーク高さが、（１１１）ＣＢＮピークのピーク高さの１２％より小さい。 （もっと読む）