位置規則性の３−置換−チオフェン、３−置換−セレノフェン、３−置換−チアゾール及び／又は３−置換−セレナゾールのホモポリマー又はコポリマーの製造方法であって、
ａ）３−置換の２，５−ジハロチオフェン、２，５−ジハロセレノフェン、２，５−ジハロチアゾール又は２，５−ジハロセレナゾールを、反応性亜鉛、マグネシウム及び／又は有機マグネシウムハロゲン化物と反応させて、一個のハロ亜鉛又は一個のハロマグネシウム基を有する有機亜鉛又は有機マグネシウム中間体を得る工程、ｂ）前記有機亜鉛又は有機マグネシウム中間体をＮｉ（ＩＩ）とＮｉ（０）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｐｄ（０）触媒に接触させて重合反応を開始させる工程、及びｃ）前記有機亜鉛又は有機マグネシウム中間体を重合させて、３−置換−チオフェン、３−置換−セレノフェン、３−置換−チアゾール又は３−置換−セレナゾールの位置規則性の頭−尾結合ホモポリマー又はコポリマーを得る工程により行われ、且つ前記重合反応が、温度を低温Ｔ₁から高温温度Ｔ₂に時間ｔ₁をかけて上昇させながら行われ、Ｔ₁が−４０〜５℃の範囲であり、Ｔ₂が−２０〜４０℃の範囲であり、Ｔ₂−Ｔ₁が少なくとも１０℃であり、平均温度上昇速度（Ｔ₂−Ｔ₁）／ｔ₁が０．０５℃／分〜１℃／分であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

式（Ｉ）
【化１】


で表わされる基を含むポリマー、特にポリ［ベンゾチオフェン−２，６−ジイル］の誘導体。 （もっと読む）

本発明は、位置規則性ＨＴポリ（３−置換チオフェン）を調製する方法を提供するものである。該方法は、３−置換チオフェン−金属錯体とマンガン（ＩＩ）ハロゲン化物とを接触させ、３−置換チオフェン−マンガン錯体を得るステップと；前記チオフェン−マンガン錯体とニッケル（ＩＩ）触媒とを接触させ、位置規則性ＨＴポリ（３−置換チオフェン）を得るステップとを含む。３位での置換基は、様々な異なる基であってよい。さらに、非置換ポリチオフェンおよび３，４−二置換ポリチオフェンも該方法で調製できる。電子装置は、本明細書に記載されているように調製したポリマーを用いて製造できる。 （もっと読む）

レジオレギュラー置換ポリチオフェンを調製するための改良されたプロセスが記載され、少なくとも２つの脱離基を有する置換チオフェンが、有機マグネシウムハロゲン化物、次いで、塩化亜鉛または臭化亜鉛で処理され、そして溶液中の得られる反応混合物は、Ｎｉ（ＩＩ）触媒で重合される。本発明は特に、ポリ−（３−置換）チオフェンを調製するためのプロセスであって、約０℃と室温との間の不活性溶媒中で、少なくとも２つの脱離基を有する３−置換チオフェンを有機マグネシウムハロゲン化物と反応する工程であって、その後、塩化亜鉛または臭化亜鉛を添加する工程が続く工程；および重合を開始するために、ほぼ室温で同じ溶媒中のＮｉ（ＩＩ）触媒に得られる溶液を添加する工程を包含し、ここで、得られるポリマーが約９５％より多いレジオレギュラーであるプロセスを提供する。 （もっと読む）