【課題】高濃度のドーパントを含有し、高い導電率及び移動度を有し且つ大きなスケールのＡｌＮ又はＡｌＧａＮ結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の不純物種を含む混晶を形成し、その混晶の少なくとも一部中において、１つの不純物種を電気的に活性化させる。混晶の形成には、多結晶ソースを用いた昇華−再凝縮法を利用する。その際、複数の不純物種を含むソース化合物を多結晶ソースに含有させるか、又はソース化合物のガス前駆体を蒸気混合物に導入することによって行う。 （もっと読む）

予測臨界厚みを上回る歪みエピタキシャル層を有する半導体構造を製造する。 （もっと読む）

ドープされた及びドープされていない化学量論的な高純度の多結晶ＡｌＮセラミックスの製造が、例えばＡｌペレットを窒素ガスと反応させることによって行われる。このような多結晶ＡｌＮセラミックスは、高純度のＡｌＮ単結晶の製造で使用することができ、このＡｌＮ単結晶は、その導電性を増大させるためにアニールすることがでる。 （もっと読む）

高い導電率及び移動度を有するドープされたＡｌＮ結晶及び／又はＡｌＧａＮエピタキシャル層の製造を、例えば、複数の不純物種を含む混晶を形成し、この結晶の少なくとも一部を電気的に活性化させることによって達成する。 （もっと読む）

ＡｌＮ中のマイクロボイド（ＭＶ）密度を低減することによって、結晶成長時のクラック生成、研磨時のエッチピット生成、ＡｌＮウェハ中の光学透過性の低減、並びに場合によってはＡｌＮ及び／又はＧａＮのエピタキシャル成長時の成長ピット密度に関連する多くの問題が排除される。これによって、実際の結晶製造上の方針、並びに低欠陥密度、例えば１０^４ｃｍ^−３を下回る転位密度及び１０^４ｃｍ^−３を下回るインクルージョン密度及び／又は１０^４ｃｍ^−３を下回るＭＶ密度を有する大きなバルクＡｌＮ結晶を得ることが容易となる。 （もっと読む）