【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ装置に導入される原料ガスの組成が変更された場合に、迅速に対向板の表面温度をこれに応じて変化させることでき、基板上の薄膜成長温度を常に適正に制御することができるようにする。
【解決手段】基板１３を回転可能に載置するサセプタ１１の上方に対向板１６を配し、この対向板の上方に温度調整用ディスク１７を配置し、この温度調整用ディスクを昇降させる駆動部を設ける。温度調整用ディスクはその内部に熱媒体を循環させる流路が形成され、熱媒体の温度および流量を調整して温度調整用ディスクに供給される。成膜する薄膜の組成に応じて温度調整用ディスクを上昇もしく下降させ、対向板表面温度を制御して薄膜形成を行う。 （もっと読む）