本発明は、小さい欠陥密度を有するＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、ベース基板上において核形成層をエピタキシャル成長させ、この核形成層を熱処理し、不連続なマスク層をエピタキシャル成長させることを含む。簡単に説明されるこの方法は、マスクし、消滅させ、および、融合させることによって欠陥を減少させることを促進し、それによって、小さい欠陥密度の半導体構造をもたらす。本発明は、広い範囲の半導体材料に適用されてもよく、元素半導体、例えば、ひずみＳｉ（ｓＳｉ）と組み合わせたＳｉ（シリコン）、および／または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、および、化合物半導体、例えば、ＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体材料のいずれにも適用されてもよい。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたＩＩＩ族窒化物材料からなる複数のピラー／アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および／または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー／アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。 （もっと読む）

本発明は、電気化学（EC）信号および電気（E）信号を使用して検体を検出することができる統合された検知装置を開示する。本装置は、相乗的な新しい性能をもたらすとともに、液相および気相での高濃度の干渉の存在を含む複合マトリクス中の検体の実時間検出における感受性および選択性を高める。

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本発明は、共振回路の後方散乱を直接変調することによる、低レベルの生体電気信号およびバイオセンサ信号のワイヤレスバイオテレメトリに関する。アナログ生体電気またはバイオセンサ波形データを表すように、共振周波数および無線周波数後方散乱の振幅を比例的にシフトする、バラクタダイオードなどの電圧可変コンデンサを含む共振回路に、低レベルの電気アナログまたはディジタル信号が直接印加される。共振回路を無線周波数源で強力に駆動することによって、パラメトリックプロセスによって生体信号レベルを増幅し、さらなる増幅を行うことなく低ミリボルトおよびマイクロボルトレベルの信号を遠隔測定するために十分な感度を供給するように電圧可変容量を生じ得る。デバイスの特徴は、その簡潔さであり、デバイスのサイズおよび電力消費を低減する同じ可変容量回路によって、低レベルセンサ信号の変調および前置増幅の両方を達成する。 （もっと読む）

その発現および／またはコード領域配列の点で改変された関心対象の遺伝子を含む、改変された光合成独立栄養細菌を開示する。関心対象の遺伝子の改変は、その細菌における所望の産物の産生を、関心対象の遺伝子に関して改変されていない光合成独立栄養細菌における所望の産物の産生量に比して増加させる。 （もっと読む）

導管内で光合成細胞を増殖させるシステムおよび方法を開示する。本システムおよび方法は、光、CO₂、および養分を細胞に供給する。本システムおよび方法はまた、導管における熱変動を緩衝する。

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