【課題】ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】まず、ワイドギャップ半導体基板Ｋの表面に開口部を有したマスクＭを形成する。そして、マスクＭが形成されたワイドギャップ半導体基板Ｋを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋを２００℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、プラズマ化されたエッチングガスによるワイドギャップ半導体基板Ｋのエッチングと、プラズマ化された保護膜形成ガスによる保護膜の形成とを並行して行い、保護膜によって保護しつつ、炭化ケイ素基板Ｋのエッチングを進行させ、炭化ケイ素基板Ｋにテーパ状の凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】省電力モードからの復旧を従来装置より迅速にするとともに、復帰後における良好な基板処理を実現する。
【解決手段】処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に処理ガスを供給するガス供給装置２０と、処理チャンバ１１内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２５と、処理チャンバ１１を加熱するヒータ１４ａ，１４ｂと、制御装置４０とを備え、プラズマによって処理チャンバ１１内の基板を処理するプラズマ基板処理装置であって、制御装置４０は、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を低減または停止させた状態にし、かつプラズマ生成部２５への電力供給を停止させた状態とする省電力モード実行部４７と、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を復帰させるとともに、プラズマ生成部２５への電力供給をして、処理チャンバ１１の内部温度を基板処理に適した温度に上昇させる復帰モード実行部４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じない基板エッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成空間９及び処理空間６を有するチャンバ２と、プラズマ生成空間９に対応する部分の外方に配設されたコイル１６と、処理空間６に設けられた基板Ｋ載置用の基台１０と、プラズマ生成空間９に処理ガスを供給する処理ガス供給手段１９と、コイル１６に高周波電力を供給する高周波電力供給手段１７と、基台１０に高周波電力を供給する基台電力供給手段１３とを備える。プラズマ密度調整部材２０を、プラズマ生成空間９と基台１０との間のチャンバ２内壁に固設する。プラズマがプラズマ密度調整部材２０を通過する際にその平面内密度が平準化されて、基板Ｋに導かれる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じないプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成空間９に誘導電界を生じさせ、プラズマ生成空間９に処理ガスを供給してプラズマ化するプラズマ生成段階と、接地された導電性の材料から構成されるとともに、上部及び下部が開口し、その下端部の内径が、その上端部の内径及びプラズマ生成空間９を形成する胴部内径よりも小径となった漏斗状に形成されてなるプラズマ密度調整部材２０の上端部を、プラズマ生成空間９と基台１０との間の、チャンバ２の内壁に配置し、プラズマ密度調整部材２０の開口部に、プラズマ生成空間９で生成されたプラズマを通過させることにより、前記プラズマの平面内密度を調整して基台１０上の基板Ｋに導くプラズマ密度調整段階とを備える。 （もっと読む）