酸化シリコンのエッチング装置、そのエッチング方法、及びそのエッチングプログラム
【課題】酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化シリコンのエッチング装置、そのエッチング方法、及びそのエッチングプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンやその他の材料を用いたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスが適用される技術分野は日進月歩で拡大しており、近年では、その技術がマイクロタービンやセンサーのみならず情報通信分野や医療分野へも適用されている。このＭＥＭＳ技術を支える主要な要素技術の一つが、シリコンに代表される各種の材料を用いた微細構造体を形成するためのエッチング技術、特に酸化シリコンのエッチング技術であり、この要素技術の進歩はＭＥＭＳ技術の発展に欠かせない。
【０００３】
従来から、酸化シリコンをエッチングすることにより、各種の微細構造を形成するための要素技術が開発されてきた。代表的には、フッ化水素（ＨＦ）を用いた酸化シリコンのエッチング技術が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５２１２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特に量産段階においては、複数の被処理基板を一度にエッチング処理する必要があるため、その基板内の、あるいはそれらの基板間のエッチング速度の均一性を向上させることが厳しく要求されることになる。したがって、量産段階においては、単にエッチング速度を向上させることによって生産効率を向上させるという着眼点のみならず、被処理基板の全体を如何に均一にエッチングするかという技術課題を乗り越える必要がある。しかしながら、上述のフッ化水素を用いた酸化シリコンのエッチングのプロセス制御は非常に難しく、その基板内の、あるいはそれらの基板間のエッチング速度の均一性の向上を実現することは容易ではない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、被処理基板が備える酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上に大いに貢献するものである。従って、本発明は、特に量産技術として広く活用され得る。
【０００７】
発明者らは、複数の被処理基板が備える酸化シリコンをガス状のフッ化水素を用いてエッチングする際、いかなるパラメータがエッチング速度を制御するか、換言すれば、支配するかについて鋭意検討と分析を重ねた。その結果、発明者らは、複数の被処理基板をエッチングガスによってエッチングする場合、そのガスの流れと反応生成物の流れを適正化させるための工夫を行うことにより、エッチング速度の均一性が向上することを見出した。本発明は、そのような知見に基づいて創出された。
【０００８】
本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部と、そのエッチングガスと前述の酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物を排出する排出部と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。
【０００９】
この酸化シリコンのエッチング装置によれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとが、エッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。加えて、上述の範囲の間隔であれば、一度に処理しうる一定の被処理基板枚数を確保することが可能となるとともに、装置全体としてコンパクトさを維持することができる。
【００１０】
なお、上述の酸化シリコンのエッチング装置の発明に適用される被処理基板における酸化シリコンの表面積には特に限定されない。但し、被処理基板の少なくとも一方の面が有する上述の酸化シリコンが占める表面積が、その一方の面の総面積に対して３０％以下である場合は、特に上述の酸化シリコンのエッチング装置の発明の顕著な効果が奏され得る。
【００１１】
また、本発明の１つの酸化シリコンのエッチング方法は、プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置した後、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入する方法である。
【００１２】
この酸化シリコンのエッチング方法によれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとが、エッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。
【００１３】
また、本発明の１つの酸化シリコンのエッチングプログラムは、プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する配置ステップと、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入ステップとを有する。
【００１４】
この酸化シリコンのエッチングプログラムによれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとが、エッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置によれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとがエッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。加えて、上述の範囲の間隔であれば、一度に処理しうる一定の被処理基板枚数を確保することが可能となるとともに、装置全体としてコンパクトさを維持することができる。
【００１６】
また、本発明の１つの１つの酸化シリコンのエッチング方法又は酸化シリコンのエッチングプログラムによれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとがエッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の１つの実施形態における酸化シリコンのエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１における領域Ａの拡大図である。
【図３】本発明の１つの実施形態における、距離ｄが５．１ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー内の圧力との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の１つの実施形態における、距離ｄが１０．８ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー内の圧力との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の１つの実施形態における、距離ｄと、酸化シリコンのエッチング速度の全測定点における均一性（％）との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の１つの実施形態における酸化シリコンのエッチングのフローチャートである。
【図７】本発明の１つの実施形態におけるエッチング速度の均一性を算出するための測定箇所の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
つぎに、本発明の実施形態を、添付する図面に基づいて詳細に述べる。尚、この説明に際し、全図にわたり、特に言及がない限り、共通する部分には共通する参照符号が付されている。また、図中、本実施形態の要素は必ずしもスケール通りに示されていない。また、各図面を見やすくするために、一部の符号が省略され得る。また、特に言及がない限り、以下の各種ガスの流量は、標準状態の流量を示す。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
図１は、本実施形態の酸化シリコンのエッチング装置１００（以下、単にエッチング装置１００ともいう）の装置構成の一例を示す断面図である。また、図２は、図１における領域Ａの拡大図である。なお、本実施形態における被処理基板２０は、下地となる単結晶シリコン基板（６インチウェハー，厚み６２５μｍ）上の表面上及び／又は裏面上に所定の酸化シリコンの層又は膜（以下、総称して「酸化シリコン層」といい、点状及び島状の酸化シリコン層を含む。）が形成された基板であるが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、下地となる基板が多結晶シリコン基板やアモルファスシリコン基板であっても本実施形態は適用され得る。同様に、下地となる基板がアルミニウム基板に代表される金属製の基板、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板に代表されるセラミック基板、ガラス基板、樹脂基板、又はそれらの幾つかの材質の層を積層した多層基板であっても、それらがエッチング対象となる酸化シリコン層を備えていれば、本実施形態は適用され得る。
【００２０】
まず、図１に示す酸化シリコンのエッチング装置１００の構成及びそのエッチングプロセスについて説明する。エッチング対象となる被処理基板（以下、単に「基板」又は「ウェハー」ともいう。）２０は、チャンバーの一部を構成する蓋部１０ａとチャンバー本体１０ｂとによって構成されるチャンバー１０内に設けられた基板支持部１５上に載置される。ここで、チャンバー１０については、シール材１１によって蓋部１０ａとチャンバー本体１０ｂとが密閉状態にされ得る。なお、図１では、図面を簡略化するために４枚の被処理基板２０が載置されているが、一度に処理し得る被処理基板２０の枚数はこの数に限定されない。
【００２１】
被処理基板２０がチャンバー１０内に載置された後、チャンバー１０内のガス（主に空気）がポンプ１８によって排気される。その後、エッチングガスのボンベ（図示しない）から送られてきたエッチングガスが、ガス流量制御器１２ａによって流量が調整され、ガス導入部１２を介してチャンバー１０内に導入される。なお、本実施形態のエッチングガスは、フッ化水素（ＨＦ）ガス３７５ｓｃｃｍ（３７５ｍＬ／ｍｉｎ．）、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）ガス２７２ｓｃｃｍ（２７２ｍＬ／ｍｉｎ．）、及び窒素（Ｎ２）ガス９００ｓｃｃｍ（９００ｍＬ／ｍｉｎ．）の混合ガスである。また、チャンバー１０の温度は約５０℃であった。
【００２２】
導入されたエッチングガスが導入用拡散板１４ａを通過することにより、ガスの流れを表す図１の矢印（Ｆ）が示すように、エッチングガスは被処理基板２０の表面又は裏面に沿って略水平方向に流れることになる。その後、エッチングガスが基板２０，・・・，２０の表面上に形成されている酸化シリコンと反応することにより、反応生成物の１つである水分（水及び／又は水蒸気、以下同じ。）が生成される。さらにその後、未反応のエッチングガスと反応生成物とが、排気用拡散板１４ｂを通過した後、ポンプ１８によって吸気されている排出部１６へと送られる。なお、本実施形態では、エッチングガスを被処理基板２０の表面又は裏面に沿って略水平方向に流れるようにするために導入用拡散板１４ａを用いたが、そのガスの流れを制御する手法は導入用拡散板１４ａに限定されず、他の公知の手法も適宜採用できる。
【００２３】
上述の条件において、本願発明者らは、ポンプ１８の排気能力及び／又は上述の排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７（例えば、開閉するバルブの開度）を調整することにより、チャンバー１０内の圧力と各基板２０，・・・，２０間の距離（図２におけるウェハー間の隙間の距離ｄ，以下、「距離ｄ」ともいう。）とを変化させた。具体的には、距離ｄについては、５．１ｍｍ、１０．８ｍｍ、１６．５ｍｍ、及び２２．２ｍｍの４種類の距離ｄの場合のエッチング速度均一性が測定された。また、チャンバー１０内の圧力については、１０ｋＰａ、１６ｋＰａ、２０ｋＰａ、２３ｋＰａ、及び２６．７ｋＰａの５種類の圧力の場合のエッチング速度均一性が測定された。なお、本実施形態における測定はウェハー面上のほぼ全面域に渡り一様に測定され、その測定箇所数は、図７に示すような４９箇所である。具体的には、図７の座標軸の中心に被処理基板の中心が来るようにしたときに、その中心点に加えて、同心円上に、８点、１６点、及び２４点について測定が行われた。また、本実施形態において、前述の測定箇所に基づく均一性（％）の算出式は、以下の通りである。
【数１】
なお、上記数式において、平均値とは、ウェハー面内であれば、ある１つウェハーの面内の測定箇所全てのエッチング速度の平均値であり、「全測定点」であれば、同時に処理した複数のウェハーにおける測定箇所の全てエッチング速度の平均値である。また最大値及び最小値は、それぞれ、算出の対象となる１つ又は複数のウェハーの測定箇所全てのエッチング速度のうちの最大値と最小値である。
【００２４】
図３は、上述の条件において、距離ｄが５．１ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー１０内の圧力との関係を示すグラフである。また、図４は、上述の条件において、距離ｄが１０．８ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー１０内の圧力との関係を示すグラフである。なお、本実施形態では、測定対象となる被処理基板２０は、基板支持部１５において支持される幾つかの被処理基板２０のうち、上段に載置されたもの、中段に載置されたもの、及び下段に載置されたものが各１枚抽出された。また、図３及び図４では、参考データとして、測定した計３枚の被処理基板２０における測定点の全てに関するエッチング速度均一性（％）のチャンバー１０内圧力依存性も示されている。
【００２５】
図３に示すように、各基板２０，・・・，２０間の距離ｄが５．１ｍｍの場合は、酸化シリコンのエッチング速度の分布がチャンバー１０内の圧力によって大きく変動することが明らかとなった。特に、圧力の上昇に伴って、基板支持部１５における中段と下段に配置された被処理基板２０のウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性は非常に悪いことが分かった。その結果、測定した計３枚の被処理基板２０における測定点の全てに関するエッチング速度均一性も悪くなった。
【００２６】
一方、図４に示すように、距離ｄが１０．８ｍｍの場合は、どの載置位置の被処理基板２０も、少なくとも２３ｋＰａ以下の圧力におけるウェハー面内のエッチング速度均一性が７％以下であることが分かった。より正確には、１６ｋＰａの圧力における上段の被処理基板２０の結果（６．６％）と２３ｋＰａの圧力における下段の被処理基板２０の結果（５．６％）とを除いて、全てその均一性が５％未満であることが確認された。その結果、測定した計３枚の被処理基板２０における測定点の全てに関するエッチング速度均一性もエッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まることが分かった。
【００２７】
上述と同様に、距離ｄが１６．５ｍｍ又は２２．２ｍｍの場合についても、ウェハー面内のエッチング速度均一性のチャンバー１０内圧力依存性が調べられた。その結果、距離ｄが１０．８ｍｍ以上になれば、どの載置位置の被処理基板２０についても、チャンバー１０内の圧力が少なくとも２３ｋＰａ以下であれば、ウェハー面内のエッチング速度均一性がエッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まる。
【００２８】
次に、図５は、チャンバー１０内の圧力が２０ｋＰａにおける、上述の４種類の距離ｄの場合の、距離ｄと、酸化シリコンのエッチング速度の全測定点における均一性（％）との関係を示すグラフである。すなわち、上述の複数のウェハーを算出対象とする「全測定点」に関するエッチング速度均一性を示すグラフである。図５に示すように、距離ｄが１６．５ｍｍの場合が、全測定点のエッチング速度均一性が最も良く（約５．７％）、距離ｄが１０．８ｍｍ又は２２．２ｍｍの場合もその均一性が８％以下に抑えられることが確認された。従って、各基板２０，・・・，２０間の距離ｄが、少なくとも、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の範囲内であれば、エッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まることになる。なお、距離ｄが、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下であれば、どの載置位置の被処理基板２０も、ウェハー面内のエッチング速度均一性が２．３％以上３．２％以下の範囲であったことは特筆に値する。
【００２９】
また、上述と同様に、チャンバー１０内の圧力が１０ｋＰａ、１６ｋＰａ、２３ｋＰａ、及び２６．７ｋＰａの場合についても調べられた。その結果、距離ｄが、少なくとも、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の範囲内であれば、エッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まる。特に、２６．７ｋＰａの場合を除けば、距離ｄが、少なくとも、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の範囲内となることは、エッチング処理を行う上で非常に好ましい。
【００３０】
さらに、本願発明者らの調査と分析によれば、本実施形態において酸化シリコンをエッチングすると、副生成物（反応生成物）として水分（水又は水蒸気）が発生するため、エッチング速度の不均一性を増大させる要因になり得る。従って、被処理基板２０の少なくとも一方の面が有する酸化シリコンが占める表面積が、その一方の面の総面積に対して３０％以下であれば、反応生成物としての水分量が抑えられるため、ウェハー面内、及び全測定点のエッチング速度均一性がエッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まる。
【００３１】
ところで、本実施形態のエッチング装置１００は、図１に示すように、ガス導入部１２（本実施形態において、より直接的にはガス流量制御器１２ａ）、ポンプ１８、チャンバー１０に設けられた温度調節器（図示しない）、及び排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７を、制御部３０によって制御している。具体的な制御の一例として、制御部３０は、ガス導入部１２におけるエッチングガスの導入量、ポンプ１８における排気速度、排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７（バルブの開度）、及びチャンバー１０の温度を制御する。
【００３２】
また、上述のエッチング装置１００が備える制御部３０は、コンピュータ６０に接続されている。コンピュータ６０は、上述の酸化シリコンのエッチングプロセスを実行するためのエッチングプログラムにより、上述のプロセスを監視し、又は統合的に制御する。以下に、具体的な製造フローチャートを示しながら、酸化シリコンのエッチングプログラムを説明する。尚、本実施形態では、上述のエッチングプログラムがコンピュータ６０内のハードディスクドライブ、又はコンピュータ６０に設けられた光ディスクドライブ等に挿入される光ディスク等の公知の記録媒体に保存されているが、このエッチングプログラムの保存先はこれに限定されない。また、このエッチングプログラムは、ローカルエリアネットワークやインターネット回線等の公知の技術を介して上述の各プロセスを監視し、又は制御することもできる。
【００３３】
図６は、本実施形態の酸化シリコンのエッチングのフローチャートである。
【００３４】
図６に示すとおり、本実施形態の酸化シリコンのエッチングプログラムが実行されると、まず、ステップＳ１０１において、被処理基板２０がチャンバー１０内に搬送された後、チャンバー１０内のガスが排気される。その後、ステップＳ１０２〜ステップＳ１０４において、チャンバー１０内で各被処理基板２０，・・・，２０が備える酸化シリコンのエッチングが行われる。
【００３５】
具体的には、まず、ステップＳ１０２において、ガス導入部１２からチャンバー１０内にエッチングガスの導入作業が実行される。加えて、ステップＳ１０３において、チャンバー１０内の圧力が所望の圧力値になるように調整する作業が実行される。ここで、チャンバー１０内の圧力は、ポンプ１８の排気能力及び／又は上述の排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７（例えば、バルブの開度）を調整することにより行われる。また、ステップＳ１０２とステップＳ１０３とが実質的に同時に行われる場合も採用し得る好適な一態様である。
【００３６】
そして、所定時間、上記の条件を維持しつつエッチングステップが実行される（ステップＳ１０４）。酸化シリコンのエッチングが停止（ステップＳ１０５）した後、本実施形態のプログラムは、被処理基板２０，・・・，２０が取り出される状態にし（ステップＳ１０６）、その後、本実施形態のプログラムが終了する。なお、このとき、チャンバー１０内の雰囲気が大気圧に回復した後にチャンバー内から直接基板２０，・・・，２０が取り出されても良いが、チャンバー１０内が減圧された状態のままチャンバー１０に接続し得るローダー／アンローダー（図示しない）を介して被処理基板２０，・・・，２０が取り出されてもよい。
【００３７】
本実施形態の酸化シリコンのエッチングプログラムは、上述のとおり、エッチング処理における各条件等を統合的に制御する。本実施形態のエッチングプログラムが実行される結果、複数の被処理基板が備える酸化シリコンのエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上が実現される。
【００３８】
以上、述べたとおり、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３９】
１０ チャンバー
１０ａ 蓋部
１０ｂ チャンバー本体
１１ シール材
１２ ガス導入部
１２ａ ガス流量制御器
１４ａ 導入用拡散板
１４ｂ 排気用拡散板
１５ 基板支持部
１６ 排出部
１７ 圧力制御器
１８ ポンプ
２０ 被処理基板（基板）
３０ 制御部
６０ コンピュータ
１００ エッチング装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化シリコンのエッチング装置、そのエッチング方法、及びそのエッチングプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンやその他の材料を用いたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスが適用される技術分野は日進月歩で拡大しており、近年では、その技術がマイクロタービンやセンサーのみならず情報通信分野や医療分野へも適用されている。このＭＥＭＳ技術を支える主要な要素技術の一つが、シリコンに代表される各種の材料を用いた微細構造体を形成するためのエッチング技術、特に酸化シリコンのエッチング技術であり、この要素技術の進歩はＭＥＭＳ技術の発展に欠かせない。
【０００３】
従来から、酸化シリコンをエッチングすることにより、各種の微細構造を形成するための要素技術が開発されてきた。代表的には、フッ化水素（ＨＦ）を用いた酸化シリコンのエッチング技術が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５２１２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特に量産段階においては、複数の被処理基板を一度にエッチング処理する必要があるため、その基板内の、あるいはそれらの基板間のエッチング速度の均一性を向上させることが厳しく要求されることになる。したがって、量産段階においては、単にエッチング速度を向上させることによって生産効率を向上させるという着眼点のみならず、被処理基板の全体を如何に均一にエッチングするかという技術課題を乗り越える必要がある。しかしながら、上述のフッ化水素を用いた酸化シリコンのエッチングのプロセス制御は非常に難しく、その基板内の、あるいはそれらの基板間のエッチング速度の均一性の向上を実現することは容易ではない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、被処理基板が備える酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上に大いに貢献するものである。従って、本発明は、特に量産技術として広く活用され得る。
【０００７】
発明者らは、複数の被処理基板が備える酸化シリコンをガス状のフッ化水素を用いてエッチングする際、いかなるパラメータがエッチング速度を制御するか、換言すれば、支配するかについて鋭意検討と分析を重ねた。その結果、発明者らは、複数の被処理基板をエッチングガスによってエッチングする場合、そのガスの流れと反応生成物の流れを適正化させるための工夫を行うことにより、エッチング速度の均一性が向上することを見出した。本発明は、そのような知見に基づいて創出された。
【０００８】
本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部と、そのエッチングガスと前述の酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物を排出する排出部と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。
【０００９】
この酸化シリコンのエッチング装置によれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとが、エッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。加えて、上述の範囲の間隔であれば、一度に処理しうる一定の被処理基板枚数を確保することが可能となるとともに、装置全体としてコンパクトさを維持することができる。
【００１０】
なお、上述の酸化シリコンのエッチング装置の発明に適用される被処理基板における酸化シリコンの表面積には特に限定されない。但し、被処理基板の少なくとも一方の面が有する上述の酸化シリコンが占める表面積が、その一方の面の総面積に対して３０％以下である場合は、特に上述の酸化シリコンのエッチング装置の発明の顕著な効果が奏され得る。
【００１１】
また、本発明の１つの酸化シリコンのエッチング方法は、プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置した後、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入する方法である。
【００１２】
この酸化シリコンのエッチング方法によれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとが、エッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。
【００１３】
また、本発明の１つの酸化シリコンのエッチングプログラムは、プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する配置ステップと、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入ステップとを有する。
【００１４】
この酸化シリコンのエッチングプログラムによれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとが、エッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置によれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとがエッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。加えて、上述の範囲の間隔であれば、一度に処理しうる一定の被処理基板枚数を確保することが可能となるとともに、装置全体としてコンパクトさを維持することができる。
【００１６】
また、本発明の１つの１つの酸化シリコンのエッチング方法又は酸化シリコンのエッチングプログラムによれば、未だ詳細なメカニズムは分からないが、各被処理基板の間隔の適正化が図られると考えられる。その結果、各基板面に沿って流れるように導入されるエッチングガスの流れと、それらの基板からの反応生成物の流れとがエッチング速度の均一性の観点で結果として適正に制御されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の１つの実施形態における酸化シリコンのエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１における領域Ａの拡大図である。
【図３】本発明の１つの実施形態における、距離ｄが５．１ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー内の圧力との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の１つの実施形態における、距離ｄが１０．８ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー内の圧力との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の１つの実施形態における、距離ｄと、酸化シリコンのエッチング速度の全測定点における均一性（％）との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の１つの実施形態における酸化シリコンのエッチングのフローチャートである。
【図７】本発明の１つの実施形態におけるエッチング速度の均一性を算出するための測定箇所の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
つぎに、本発明の実施形態を、添付する図面に基づいて詳細に述べる。尚、この説明に際し、全図にわたり、特に言及がない限り、共通する部分には共通する参照符号が付されている。また、図中、本実施形態の要素は必ずしもスケール通りに示されていない。また、各図面を見やすくするために、一部の符号が省略され得る。また、特に言及がない限り、以下の各種ガスの流量は、標準状態の流量を示す。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
図１は、本実施形態の酸化シリコンのエッチング装置１００（以下、単にエッチング装置１００ともいう）の装置構成の一例を示す断面図である。また、図２は、図１における領域Ａの拡大図である。なお、本実施形態における被処理基板２０は、下地となる単結晶シリコン基板（６インチウェハー，厚み６２５μｍ）上の表面上及び／又は裏面上に所定の酸化シリコンの層又は膜（以下、総称して「酸化シリコン層」といい、点状及び島状の酸化シリコン層を含む。）が形成された基板であるが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、下地となる基板が多結晶シリコン基板やアモルファスシリコン基板であっても本実施形態は適用され得る。同様に、下地となる基板がアルミニウム基板に代表される金属製の基板、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板に代表されるセラミック基板、ガラス基板、樹脂基板、又はそれらの幾つかの材質の層を積層した多層基板であっても、それらがエッチング対象となる酸化シリコン層を備えていれば、本実施形態は適用され得る。
【００２０】
まず、図１に示す酸化シリコンのエッチング装置１００の構成及びそのエッチングプロセスについて説明する。エッチング対象となる被処理基板（以下、単に「基板」又は「ウェハー」ともいう。）２０は、チャンバーの一部を構成する蓋部１０ａとチャンバー本体１０ｂとによって構成されるチャンバー１０内に設けられた基板支持部１５上に載置される。ここで、チャンバー１０については、シール材１１によって蓋部１０ａとチャンバー本体１０ｂとが密閉状態にされ得る。なお、図１では、図面を簡略化するために４枚の被処理基板２０が載置されているが、一度に処理し得る被処理基板２０の枚数はこの数に限定されない。
【００２１】
被処理基板２０がチャンバー１０内に載置された後、チャンバー１０内のガス（主に空気）がポンプ１８によって排気される。その後、エッチングガスのボンベ（図示しない）から送られてきたエッチングガスが、ガス流量制御器１２ａによって流量が調整され、ガス導入部１２を介してチャンバー１０内に導入される。なお、本実施形態のエッチングガスは、フッ化水素（ＨＦ）ガス３７５ｓｃｃｍ（３７５ｍＬ／ｍｉｎ．）、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）ガス２７２ｓｃｃｍ（２７２ｍＬ／ｍｉｎ．）、及び窒素（Ｎ２）ガス９００ｓｃｃｍ（９００ｍＬ／ｍｉｎ．）の混合ガスである。また、チャンバー１０の温度は約５０℃であった。
【００２２】
導入されたエッチングガスが導入用拡散板１４ａを通過することにより、ガスの流れを表す図１の矢印（Ｆ）が示すように、エッチングガスは被処理基板２０の表面又は裏面に沿って略水平方向に流れることになる。その後、エッチングガスが基板２０，・・・，２０の表面上に形成されている酸化シリコンと反応することにより、反応生成物の１つである水分（水及び／又は水蒸気、以下同じ。）が生成される。さらにその後、未反応のエッチングガスと反応生成物とが、排気用拡散板１４ｂを通過した後、ポンプ１８によって吸気されている排出部１６へと送られる。なお、本実施形態では、エッチングガスを被処理基板２０の表面又は裏面に沿って略水平方向に流れるようにするために導入用拡散板１４ａを用いたが、そのガスの流れを制御する手法は導入用拡散板１４ａに限定されず、他の公知の手法も適宜採用できる。
【００２３】
上述の条件において、本願発明者らは、ポンプ１８の排気能力及び／又は上述の排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７（例えば、開閉するバルブの開度）を調整することにより、チャンバー１０内の圧力と各基板２０，・・・，２０間の距離（図２におけるウェハー間の隙間の距離ｄ，以下、「距離ｄ」ともいう。）とを変化させた。具体的には、距離ｄについては、５．１ｍｍ、１０．８ｍｍ、１６．５ｍｍ、及び２２．２ｍｍの４種類の距離ｄの場合のエッチング速度均一性が測定された。また、チャンバー１０内の圧力については、１０ｋＰａ、１６ｋＰａ、２０ｋＰａ、２３ｋＰａ、及び２６．７ｋＰａの５種類の圧力の場合のエッチング速度均一性が測定された。なお、本実施形態における測定はウェハー面上のほぼ全面域に渡り一様に測定され、その測定箇所数は、図７に示すような４９箇所である。具体的には、図７の座標軸の中心に被処理基板の中心が来るようにしたときに、その中心点に加えて、同心円上に、８点、１６点、及び２４点について測定が行われた。また、本実施形態において、前述の測定箇所に基づく均一性（％）の算出式は、以下の通りである。
【数１】
なお、上記数式において、平均値とは、ウェハー面内であれば、ある１つウェハーの面内の測定箇所全てのエッチング速度の平均値であり、「全測定点」であれば、同時に処理した複数のウェハーにおける測定箇所の全てエッチング速度の平均値である。また最大値及び最小値は、それぞれ、算出の対象となる１つ又は複数のウェハーの測定箇所全てのエッチング速度のうちの最大値と最小値である。
【００２４】
図３は、上述の条件において、距離ｄが５．１ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー１０内の圧力との関係を示すグラフである。また、図４は、上述の条件において、距離ｄが１０．８ｍｍである場合の、主としてウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性（％）とチャンバー１０内の圧力との関係を示すグラフである。なお、本実施形態では、測定対象となる被処理基板２０は、基板支持部１５において支持される幾つかの被処理基板２０のうち、上段に載置されたもの、中段に載置されたもの、及び下段に載置されたものが各１枚抽出された。また、図３及び図４では、参考データとして、測定した計３枚の被処理基板２０における測定点の全てに関するエッチング速度均一性（％）のチャンバー１０内圧力依存性も示されている。
【００２５】
図３に示すように、各基板２０，・・・，２０間の距離ｄが５．１ｍｍの場合は、酸化シリコンのエッチング速度の分布がチャンバー１０内の圧力によって大きく変動することが明らかとなった。特に、圧力の上昇に伴って、基板支持部１５における中段と下段に配置された被処理基板２０のウェハー面内の酸化シリコンのエッチング速度均一性は非常に悪いことが分かった。その結果、測定した計３枚の被処理基板２０における測定点の全てに関するエッチング速度均一性も悪くなった。
【００２６】
一方、図４に示すように、距離ｄが１０．８ｍｍの場合は、どの載置位置の被処理基板２０も、少なくとも２３ｋＰａ以下の圧力におけるウェハー面内のエッチング速度均一性が７％以下であることが分かった。より正確には、１６ｋＰａの圧力における上段の被処理基板２０の結果（６．６％）と２３ｋＰａの圧力における下段の被処理基板２０の結果（５．６％）とを除いて、全てその均一性が５％未満であることが確認された。その結果、測定した計３枚の被処理基板２０における測定点の全てに関するエッチング速度均一性もエッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まることが分かった。
【００２７】
上述と同様に、距離ｄが１６．５ｍｍ又は２２．２ｍｍの場合についても、ウェハー面内のエッチング速度均一性のチャンバー１０内圧力依存性が調べられた。その結果、距離ｄが１０．８ｍｍ以上になれば、どの載置位置の被処理基板２０についても、チャンバー１０内の圧力が少なくとも２３ｋＰａ以下であれば、ウェハー面内のエッチング速度均一性がエッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まる。
【００２８】
次に、図５は、チャンバー１０内の圧力が２０ｋＰａにおける、上述の４種類の距離ｄの場合の、距離ｄと、酸化シリコンのエッチング速度の全測定点における均一性（％）との関係を示すグラフである。すなわち、上述の複数のウェハーを算出対象とする「全測定点」に関するエッチング速度均一性を示すグラフである。図５に示すように、距離ｄが１６．５ｍｍの場合が、全測定点のエッチング速度均一性が最も良く（約５．７％）、距離ｄが１０．８ｍｍ又は２２．２ｍｍの場合もその均一性が８％以下に抑えられることが確認された。従って、各基板２０，・・・，２０間の距離ｄが、少なくとも、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の範囲内であれば、エッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まることになる。なお、距離ｄが、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下であれば、どの載置位置の被処理基板２０も、ウェハー面内のエッチング速度均一性が２．３％以上３．２％以下の範囲であったことは特筆に値する。
【００２９】
また、上述と同様に、チャンバー１０内の圧力が１０ｋＰａ、１６ｋＰａ、２３ｋＰａ、及び２６．７ｋＰａの場合についても調べられた。その結果、距離ｄが、少なくとも、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の範囲内であれば、エッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まる。特に、２６．７ｋＰａの場合を除けば、距離ｄが、少なくとも、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の範囲内となることは、エッチング処理を行う上で非常に好ましい。
【００３０】
さらに、本願発明者らの調査と分析によれば、本実施形態において酸化シリコンをエッチングすると、副生成物（反応生成物）として水分（水又は水蒸気）が発生するため、エッチング速度の不均一性を増大させる要因になり得る。従って、被処理基板２０の少なくとも一方の面が有する酸化シリコンが占める表面積が、その一方の面の総面積に対して３０％以下であれば、反応生成物としての水分量が抑えられるため、ウェハー面内、及び全測定点のエッチング速度均一性がエッチング処理を行う上で好ましい数値範囲に収まる。
【００３１】
ところで、本実施形態のエッチング装置１００は、図１に示すように、ガス導入部１２（本実施形態において、より直接的にはガス流量制御器１２ａ）、ポンプ１８、チャンバー１０に設けられた温度調節器（図示しない）、及び排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７を、制御部３０によって制御している。具体的な制御の一例として、制御部３０は、ガス導入部１２におけるエッチングガスの導入量、ポンプ１８における排気速度、排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７（バルブの開度）、及びチャンバー１０の温度を制御する。
【００３２】
また、上述のエッチング装置１００が備える制御部３０は、コンピュータ６０に接続されている。コンピュータ６０は、上述の酸化シリコンのエッチングプロセスを実行するためのエッチングプログラムにより、上述のプロセスを監視し、又は統合的に制御する。以下に、具体的な製造フローチャートを示しながら、酸化シリコンのエッチングプログラムを説明する。尚、本実施形態では、上述のエッチングプログラムがコンピュータ６０内のハードディスクドライブ、又はコンピュータ６０に設けられた光ディスクドライブ等に挿入される光ディスク等の公知の記録媒体に保存されているが、このエッチングプログラムの保存先はこれに限定されない。また、このエッチングプログラムは、ローカルエリアネットワークやインターネット回線等の公知の技術を介して上述の各プロセスを監視し、又は制御することもできる。
【００３３】
図６は、本実施形態の酸化シリコンのエッチングのフローチャートである。
【００３４】
図６に示すとおり、本実施形態の酸化シリコンのエッチングプログラムが実行されると、まず、ステップＳ１０１において、被処理基板２０がチャンバー１０内に搬送された後、チャンバー１０内のガスが排気される。その後、ステップＳ１０２〜ステップＳ１０４において、チャンバー１０内で各被処理基板２０，・・・，２０が備える酸化シリコンのエッチングが行われる。
【００３５】
具体的には、まず、ステップＳ１０２において、ガス導入部１２からチャンバー１０内にエッチングガスの導入作業が実行される。加えて、ステップＳ１０３において、チャンバー１０内の圧力が所望の圧力値になるように調整する作業が実行される。ここで、チャンバー１０内の圧力は、ポンプ１８の排気能力及び／又は上述の排出部１６近傍に設けられた圧力制御器１７（例えば、バルブの開度）を調整することにより行われる。また、ステップＳ１０２とステップＳ１０３とが実質的に同時に行われる場合も採用し得る好適な一態様である。
【００３６】
そして、所定時間、上記の条件を維持しつつエッチングステップが実行される（ステップＳ１０４）。酸化シリコンのエッチングが停止（ステップＳ１０５）した後、本実施形態のプログラムは、被処理基板２０，・・・，２０が取り出される状態にし（ステップＳ１０６）、その後、本実施形態のプログラムが終了する。なお、このとき、チャンバー１０内の雰囲気が大気圧に回復した後にチャンバー内から直接基板２０，・・・，２０が取り出されても良いが、チャンバー１０内が減圧された状態のままチャンバー１０に接続し得るローダー／アンローダー（図示しない）を介して被処理基板２０，・・・，２０が取り出されてもよい。
【００３７】
本実施形態の酸化シリコンのエッチングプログラムは、上述のとおり、エッチング処理における各条件等を統合的に制御する。本実施形態のエッチングプログラムが実行される結果、複数の被処理基板が備える酸化シリコンのエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上が実現される。
【００３８】
以上、述べたとおり、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３９】
１０ チャンバー
１０ａ 蓋部
１０ｂ チャンバー本体
１１ シール材
１２ ガス導入部
１２ａ ガス流量制御器
１４ａ 導入用拡散板
１４ｂ 排気用拡散板
１５ 基板支持部
１６ 排出部
１７ 圧力制御器
１８ ポンプ
２０ 被処理基板（基板）
３０ 制御部
６０ コンピュータ
１００ エッチング装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部と、
前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前記基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部と、
前記エッチングガスと前記酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物を排出する排出部と、
を備えるプロセスチャンバーを有し、かつ、
前記間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である、
酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項２】
前記プロセスチャンバー内の圧力が、１６ｋＰａ以上２３ｋＰａ以下である、
請求項１に記載の酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項３】
前記被処理基板の少なくとも一方の面が有する前記酸化シリコンが占める表面積が、前記一方の面の総面積に対して３０％以下である、
請求項１又は請求項２に記載の酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項４】
プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置した後、
前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前記基板面に沿って略水平方向に流れるように導入する、
酸化シリコンのエッチング方法。
【請求項５】
前記プロセスチャンバー内の圧力が１６ｋＰａ以上２３ｋＰａ以下となるように、前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前記基板面に沿って流れるように導入する、
請求項４に記載の酸化シリコンのエッチング方法。
【請求項６】
プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する配置ステップと、
前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前記基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入ステップとを有する、
酸化シリコンのエッチングプログラム。
【請求項７】
前記ガス導入ステップは、前記プロセスチャンバー内の圧力が１６ｋＰａ以上２３ｋＰａ以下となるように導入するステップである、
請求項６に記載の酸化シリコンのエッチングプログラム。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載のエッチングプログラムを記録した記録媒体。
【請求項９】
請求項６又は請求項７に記載のエッチングプログラムにより制御される制御部を備えた
酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項１】
酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部と、
前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前記基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部と、
前記エッチングガスと前記酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物を排出する排出部と、
を備えるプロセスチャンバーを有し、かつ、
前記間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である、
酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項２】
前記プロセスチャンバー内の圧力が、１６ｋＰａ以上２３ｋＰａ以下である、
請求項１に記載の酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項３】
前記被処理基板の少なくとも一方の面が有する前記酸化シリコンが占める表面積が、前記一方の面の総面積に対して３０％以下である、
請求項１又は請求項２に記載の酸化シリコンのエッチング装置。
【請求項４】
プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置した後、
前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前記基板面に沿って略水平方向に流れるように導入する、
酸化シリコンのエッチング方法。
【請求項５】
前記プロセスチャンバー内の圧力が１６ｋＰａ以上２３ｋＰａ以下となるように、前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前記基板面に沿って流れるように導入する、
請求項４に記載の酸化シリコンのエッチング方法。
【請求項６】
プロセスチャンバー内に、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板を１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する配置ステップと、
前記酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを前記基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入ステップとを有する、
酸化シリコンのエッチングプログラム。
【請求項７】
前記ガス導入ステップは、前記プロセスチャンバー内の圧力が１６ｋＰａ以上２３ｋＰａ以下となるように導入するステップである、
請求項６に記載の酸化シリコンのエッチングプログラム。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載のエッチングプログラムを記録した記録媒体。
【請求項９】
請求項６又は請求項７に記載のエッチングプログラムにより制御される制御部を備えた
酸化シリコンのエッチング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−２４８７７９（Ｐ２０１２−２４８７７９Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２１２５４（Ｐ２０１１−１２１２５４）
【出願日】平成２３年５月３１日（２０１１．５．３１）
【出願人】（５１１２６５１５４）ＳＰＰテクノロジーズ株式会社 (6)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月３１日（２０１１．５．３１）
【出願人】（５１１２６５１５４）ＳＰＰテクノロジーズ株式会社 (6)
【Ｆターム（参考）】
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