【課題】 基板上に形成されているシリコン膜と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制すること。
【解決手段】 基板上に形成されている、シリコン層と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_５、ＢｒＦ_３、ＩＦ_７、ＩＦ_５から選ばれる少なくとも１種類のガスとＦ_２とを含有するガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 （もっと読む）

【解決手段】 バンプ７を覆う被覆材８を除去して該バンプを露出させるレーザ加工方法に関する。第１ステップでは、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材にレーザ光を照射して該部分に浅い凹部９を形成することにより、上記バンプの周辺部分に被覆材を残したまま該バンプの中心頂部を露出させる。第２ステップでは、レーザ光による上記被覆材の有効穿孔径Ｒ_２を第１ステップにおける有効穿孔径Ｒ_１よりも小さく設定して、該レーザ光を上記第１ステップで穿孔された凹部９内の被覆材８に照射して上記バンプの周辺部分の被覆材を除去することにより、該バンプの周辺部分を露出させる。
【効果】 バンプ７の溶融を防止しながら、バンプの中心頂部とその周辺部分とを覆う被覆材を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を残さず、かつ、レジストの下層（例えば半導体層）へのダメージを従来よりも抑えることが可能なレジスト除去方法を実現する。
【解決手段】本発明は、素子に付いたレジスト３の一部を除去対象として除去するレジスト除去方法の発明である。本発明では、例えば、除去対象の一部が除去加工されるとともに除去対象の残りの一部６が露光されるように除去対象に向けてレジストが吸収する波長のレーザー光４を照射するとともに、露光された部分６を現像により除去することで、半導体素子に塗布したレジスト３の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを供給し、下地２表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層３上にアモルファスシリコン膜４を、層成長する厚さに形成する工程と、層成長する厚さに形成されたアモルファスシリコン膜４をエッチングし、該アモルファスシリコン膜４の膜厚ｔを減ずる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ₃，ＸｅＦ₂，ＢｒＦ₃およびＢｒＦ₅からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルと、大気圧以下に減圧可能な洗浄室と；洗浄室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；半導体基板表面に向けて、純水、フッ化水素水からなる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む乾燥ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はドライプラズマエッチングを用いた基板のエッチング方法に関する。
【解決手段】 ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンのエッチング処理、特に、複数の被処理基板のエッチング処理における被処理基板内のエッチング速度の均一性及び被処理基板間のエッチング速度の均一性の向上を図る。
【解決手段】本発明の１つの酸化シリコンのエッチング装置１００は、酸化シリコンを有する複数枚の被処理基板２０を所定の間隔を設けて各基板面が対向するように配置する基板支持部１５と、その酸化シリコンと反応するフッ化水素を含むエッチングガスを、前述の基板面に沿って略水平方向に流れるように導入するガス導入部１２と、そのエッチングガスと酸化シリコンとの反応によって生成された反応生成物とを排出する排出部１６と、を備えるプロセスチャンバーを有している。その上で、前述の間隔は、１０．８ｍｍ以上２２．２ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いて被処理物に対するより効果的な処理が可能となるレーザ処理装置及び方法を提供することである。
【解決手段】液体の存在のもとで被処理物１００の表面にレーザビームを照射して当該被処理物を処理するレーザ処理装置であって、気体供給機構３４と、液体に前記気体供給機構からの気体を加えて気体含有液を生成する気体含有液生成機構３６、３８、３９と、処理槽１１内において、少なくとも被処理物１００の処理すべき部位を前記気体含有液生成機構からの気体含有液が満たされた状態を形成する処理状態形成機構１５ｃとを有し、前記気体含有液が満たされた状態の被処理物１００の表面の処理すべき部位に前記レーザビームを照射する構成となる。 （もっと読む）

【課題】ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。
【解決手段】イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】 反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。
【解決手段】 上述の課題を解決するために、
温度測定器（１１１）によって被加工物（１０３）の表面の複数の点の温度を測定することで被加工物の温度プロファイルを計測する工程と、その温度プロファイルと局所加工ツール（１０１）の単位加工形状とに基づき被加工物に対する局所加工ツールの滞留時間分布を算出する工程と、この滞留時間分布に基づき局所加工ツールを制御して被加工物を加工する工程と、を有する局所加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 全てのウエーハのエッチング量を容易に測定可能なエッチング量検出方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精密な形状加工され、低反射率のテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること、およびそれを用いて太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明によって、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位（１００）のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の逆錐状の凹部が形成され、かつ前記逆錐状の凹部の錐面は階段状であるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板は、好ましくは、ガスエッチングによってテクスチャを形成することで得る。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに搭載されたＬＥＤ素子を傷付けることなく、プラズマ洗浄するプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】収納装置２内の３つの収納ブロック１０の各収納溝１３内に複数枚のリードフレーム３が収納されて開閉扉が閉じた状態で、プラズマ洗浄装置１において真空状態にされたチャンバー１Ａ内にプラズマ反応性ガスを供給すると共に、一対の電極のうちの一方に高周波電源により高周波を印加して前記反応性ガスをプラズマ化して前記リードフレーム３を洗浄する。このとき、収納装置２の各収納溝１３内に収納された状態の各リードフレーム３は各マグネット１４の磁力により下方に引かれて垂直状態に自立するので、傾いて各リードフレーム３は上端部が互いに近くなったり、逆に遠くなったりしないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工することで極めて平坦な表面を形成しつつ、かつその表面の加工歪みを取り除くことによって、III族金属窒化物の無歪研磨加工面を得ることである。
【解決手段】本方法は、III族金属窒化物の非極性面を有する基板を研磨加工し、前記非極性面の平均表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下とする研磨加工工程、次いで基板を不活性雰囲気下で熱処理する熱処理工程、および基板の非極性面を、ハロゲン含有ガスを用いて反応性ドライエッチングするか、または化学機械研磨加工する加工工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比の高いマスクを形成する技術を提供する。
【解決手段】エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するためのマスク用材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料を提供する。また、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクの形成方法であって、パターン化されたホトレジスト上に上記マスク形成用材料を用いてＡＬＤ法により共形膜を形成する工程、エッチバックして前記レジスト膜の側面にマスク形成用材料が残るように加工する工程、前記レジスト膜を除去する工程、とを有することを特徴とするマスクの形成方法を提供する。こうして形成したマスク形成用材料をマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物に微細パターンを形成する （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】被処理物のエッチングを良好に行うことが可能な大気圧プラズマエッチング装置を提供する。また、ＳＯＩ基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図る。
【解決手段】大気圧プラズマエッチング装置に被処理物の状態を検知する状態検知手段を設け、当該状態検知手段によって検知された情報に応じて大気圧プラズマエッチング装置の動作を制御する。これにより、被処理物の状態を検知しながらエッチングを行うことが可能である。したがって、被処理物のエッチングを良好に行うことが可能である。また、当該大気圧プラズマエッチング装置を用いてＳＯＩ基板を作製することで、当該ＳＯＩ基板の製造コストの低減及びピーリングの抑制の両立を図ること可能である。 （もっと読む）

【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域（スポット）に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 （もっと読む）