【課題】本発明は、Ｍ−ＰＰＭに属する情報シンボルを使用するＰ本のアンテナを伴うＭＩＭＯ−ＵＷＢシステムのための空間時間符号化方法に関する。ここで、ＭはＰの倍数である。
【解決手段】変調アルファベットは、変調位置の連続的な範囲に対応するＰ個の部分アルファベットに区分される。最初のアルファベットの拡張は、いくつかの情報シンボルが部分アルファベットに属することを強制することによって取得され、それによってシステムの２進レートを増大する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画像センサのピクセルの２次元マトリクス（１２）を読み取るための方法を提供する。
【解決手段】前記マトリクスは、マクロピクセルを形成するピクセルのブロック（１６）に体系化され、各マクロピクセルは、高解像度モード及び／又は低解像度モードで相互に独立して読み取られる。本発明によれば、この方法は、Ａ）マクロピクセルのための高解像度読み出しモードの選択（ステップ５０）の間に、基準マクロピクセルを定義するために、そのピクセル値を読み取り（ステップ５８）、かつ、格納する（ステップ６０）ステップと、Ｂ）このマクロピクセルの次の高解像度読み出しサイクル（ステップ６２）の間に、そのピクセルの読み取り値と、基準マクロピクセルの対応するピクセルの値との間の差分を形成する（ステップ６６）ステップとを具備している。 （もっと読む）

【課題】コグニティブ通信端末のための未使用帯域を迅速かつ効果的に検索する方法を提供する。
【解決手段】多数の周波数帯域Ｂを使った第１世代の通信システムによってカバーされた区域内で、機能するコグニティブ通信端末を使用した未使用帯域の検索方法に関する。前記端末は、これらの、使用可能となる条件付き確率（ｐ（ｂ_ｍａｘ｜Ｂ_ｏｃｃ，Ｂ_ｏｐｐ））の関数として、前記帯域を分類し、前記第１世代の通信システム（Ｂ_ｏｃｃ）によって占有された帯域の第１の集合と、すでに別のコグニティブ端末（Ｂ_ｏｐｐ）によって使用されているが、この第１世代の通信システムによって占有されていない帯域の第２の集合とを知り、前記端末が、最大の条件付き確率（ｂ_ｍａｘ）をもった前記帯域によって、それの検索を開始する。 （もっと読む）

【課題】有機電解質使用二次電池の製造時や使用時の制約がなく、電力性能が向上した二次電池を提供する。
【解決手段】正極と、負極と、リチウム塩の水溶液からなる電解質とを含むセルを備えたリチウム電池であって、該電解質が、少なくとも１４のｐＨを有し、該正極が、３．４Ｖを超えるリチウム挿入電位を有し、且つ該負極が、２．２Ｖ未満のリチウム挿入電位を有する水性リチウム二次電池であって、正極活物質にはオリビン構造を有するリチウム化合物、負極にはチタン酸リチウム又は酸化チタン又は両者の混合物からなる水性リチウム二次電池。 （もっと読む）

【課題】ＯＦＤＭ信号の少なくとも一の時間変調パラメータのブラインド推定方法を提供する。
【解決手段】ＯＦＤＭ信号の複数の復調試みが、時間パラメータの複数の値を各々用いて実施され、各復調試みにおいて、復調信号のエントロピーを表すコスト関数が計算され、時間パラメータの推定値が該コスト関数を最小限に抑えるパラメータの値として取得される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カルコゲナイド固体電解質のメモリセル、陽極及び陰極をそれぞれ備えた複数のＣＢＲＡＭメモリの製造方法に関する。
【解決手段】本方法は、１．３Ｗ／ｍ／Ｋよりも高い高熱伝導性物質製であって、一組のコンタクト（２８）を覆う副層（３０）を提供する段階と、その後、この副層上に、カルコゲナイド層（３２）と電極層（３４）と第二コンタクトを備えた層（３６）とを備えた三重層（３２、３４、３６）を提供する段階と、最後に、エッチング段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】新しいダブルゲートトランジスタ構造の提供。
【解決手段】支持体と、少なくとも一つのマルチブランチチャネルを形成し、多数の分離した平行な半導体ロッドを含むのに適し、支持体の主平面に対し直交する平面に位置し、ロッドが、トランジスタのソース領域を形成するのに適した第一のブロックと、トランジスタのドレイン領域を形成するのに適した第二のブロックとを連結する構造と、前記半導体ロッドの側面に対向する前記構造の一方側に位置する第一のゲート電極１５２と、第一のゲートから分離し、ロッドの反対側面に対向する構造の他方側に位置する第二のゲート電極１５４と、を含み、半導体ロッドおよび半導体ロッド間に位置する一つまたは複数の分離ロッドが第一のゲート電極と第二のゲート電極とを分離する、ダブルゲートトランジスタマイクロ電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】薄層をターゲット基板に結合する前に初期基板を薄化するならば、上述の全欠陥を回避することができる。
【解決手段】（ａ）初期基板（１）から始めて薄層（７）を形成する段階であって、薄層（７）は第１の接触面（８）を有するものである段階と、（ｂ）第１の接触面を介在支持体（１０）の面（１１）に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の初期基板の薄化と両立するものである段階と、（ｃ）第２の接触面（１４）でありかつ第１の接触面（８）の反対側の面を露出するために初期基板（１）を薄化する段階と、（ｄ）ターゲット基板（１５）の面を第２の接触面（１４）の少なくとも一部に結合接触させ、得られる構造は後の介在支持体の全て又はその一部の除去と両立するものである段階と、（ｅ）積層構造を得るために介在支持体（１０）の少なくとも一部を除去する段階と、を備える。 （もっと読む）

【課題】個々のチップを拘束基板（４４）上に集合的にボンディングする方法および異なる膨張係数の材料の基板によって半導体読み取り回路を拘束状態に配置する方法を提供すること。
【解決手段】機能性層（４０）を、二つの隣接する層（４０）間に間隔をあけて隣接した非接触状態で支持体（４１）に配列し、
接着剤（４３）の調整された滴を前記機能性層のそれぞれに付着し、
前記拘束基板（４４）を前記接着剤の滴の上に搬送し、
こうして形成されたアセンブリを、拘束基板に結合されたチップ（４５）を形成する部分に単一化する。 （もっと読む）

【課題】電磁放射を検出するデバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、並列された要素センサ（１）のマトリックスを具備し、それぞれは、各センサに固有の、シーケンシャルアドレッシングリード回路が形成される共通基板を有し、それによって、多数のピクセルを構成し、放射とセンサとの相互作用は、それらの次の処理のために、電荷を生成して電圧に変換し、前記各センサは、注入トランジスタ（２）を介してバイアスされ、その端子の中の１つは、積分キャパシタ（３）に接続され、積分フェーズの間にセンサによって生成された電荷を格納し、その結果、電荷量を電圧へ変換するために処理する、電磁放射を検出するデバイスにおいて、前記マトリックスの各ピクセルは、当該ピクセルによって受信された放射フラックスに拘わらず、各要素センサによって生成された電流を基準電流と呼ばれる最大値に制限するための電流制限デバイス（５）に関する。 （もっと読む）