説明

ザ・ビーオーシー・グループ・インコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】溶媒中に溶解している低揮発性固体ALD前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のALD操作モードとの新規な組み合わせを提供する。
【解決手段】THFなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ALD前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のALD膜を成長をする。 (もっと読む)


【解決課題】水素及び一酸化炭素を製造するための改良された炭化水素類の接触部分酸化プロセスを開示する。
【解決手段】本プロセスは、担体上の貴金属又は遷移金属触媒の第1層及び担体上にウオッシュコーティングされた安定な無機金属酸化物上に担持された還元金属触媒の第2層を含む第1ステージ反応器と、シフト反応器である第2ステージ反応器とを具備する新規な触媒構造装置を利用する。 (もっと読む)


【解決課題】予混合プロセスに関連する燃焼の危険を回避しながら、反応体ガスを接触部分酸化反応器に供給する前に反応体ガスを完全に混合する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス混合装置は、典型的には、接触部分酸化プロセスで用いられる供給ガスを混合するベンチュリタイプエダクター(eductor)などのエダクター(eductor)である。2個のガス混合装置を直列に用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】ビーム形成器の腐食や溶融による損傷を回避する電子ビーム銃を提供する。
【解決手段】ビーム形成器(104)から離れるように熱を導く質量の大きな陰極ブロック(103)の一体部品として形成した湾曲形状のビーム形成器と、改善された整合のために陰極ブロックに装着されたフィラメント(109)と、を備えた電子ビーム銃。 (もっと読む)


【課題】半導体のエッチング室の表面から破片を有効に除去するために用いる洗浄装置と方法を提供する。
【解決手段】噴霧流体の入口4と、研磨剤スラリーの入口6と、噴霧化研磨剤スラリーの出口8とを有する噴霧ヘッド22を含む。しかし、態様200においては、内部の流路は、より流線型にした収束−発散ノズル24、28、およびスロート部26を有する。また、この態様におけるスロート部26は、研磨剤スラリーのための入口孔または開口部16を有し、研磨剤スラリーは流動流体の流れによって生じる負圧によってスロート部26の中に導入される。1つまたはそれより多い研磨剤スラリー容器20から研磨剤スラリーを引き上げることができ、そしてヘッド22は、1つまたはそれより多い流動流体供給源18への1つまたはそれより多い流体接続を有していてもよい。 (もっと読む)


【課題】ツインワイヤーアークスプレーの複合コーティングを施用して、予め決められた特徴を有する基板に対して表面効果を達成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ部品の基板にツインワイヤーアークスプレーコーティング装置56を用いて複合コーティングを行う。部品のコーティング、ノズル流及び基板の組成を調節することで、コーティング表面は、第一の接着コーティングよりも粗い第二のトップコーティング層を形成する。 (もっと読む)


【解決課題】ガラス形成バッチ原料の熔解速度、ガラス品質及び/又はガラス収率の改良。
【解決手段】空気燃料バーナーと、上流熔解ゾーン27と下流清澄ゾーン28とを含み、バーナーが熔解ゾーン27内のガラス形成バッチ材料よりも上方で天井22に配設されているガラス熔解炉10内で、ガラス形成バッチ材料30を熔解する。空気燃料バーナーへの燃料及び燃焼空気流を減少させ、天井に取り付けられたバーナー34に気体酸化剤を流し、バーナー34に気体燃料を流し、バーナー34から炎36を発生させて、空気燃料バーナーからの減少したエネルギを置換して、追加のエネルギを与え、ガラス形成バッチ材料30に実質的な乱れを生じさせずに、炎36からガラス形成バッチ材料30に至る熱転移を最大にするために十分な速度を有するように炎36を制御する。 (もっと読む)


【課題】炭化水素などの不純物を含有する一酸化炭素含有ガス流を、極低温吸着プロセスを用いることにより、精製する方法を提供する。
【解決手段】好ましいプロセスは、一酸化炭素含有ガス流を−75℃未満の極低温での温度スイング吸着プロセスによって精製することができる。別の態様では、一酸化炭素含有ガス流は、膜分離ユニット又は真空スイング吸着ユニット又は極低温蒸留による極低温吸着プロセスを用いて精製することができる。 (もっと読む)


【課題】反応プロセスに用いられる反応器を密封する新規な方法が開示される。
【解決手段】触媒含浸担体物質は、モノリス触媒と反応器の耐火性ライニングとの間のギャップに設けられる。触媒担体は、モノリス触媒と同一触媒物質であるか又はモノリス触媒と実質的に同等の触媒活性を有する。さらに、触媒物質は、耐火性ライニング上に成膜された薄い触媒膜として塗布される。これらの方法は、耐火性ライニングの内壁に沿っての反応体の流れを最小化する圧力降下ばかりでなく、追加の活性反応ゾーンをも提供する。この密封方法は、モノリス触媒上での任意の反応に適し、特にメタンの部分酸化による合成ガス(シンガス)製造に適し、メタン及び酸素の漏洩を減少させる。 (もっと読む)


磁場の均一性が決定され、測定システムにおける潜在的ドリフトの補償が提供され、サンプル中の金属の存在が決定される、サンプルの質量を決定する磁気共鳴測定法(1)が提供される。該方法は、検査ゾーン(103)において、該検査ゾーン(103)内に置かれたサンプル(1)内の全体の磁化を生成するために、第1の方向に磁場を印加するステップと、検査ゾーン(103)において、該検査ゾーン(103)内に置かれたサンプルの全体の磁化を一時的に変化させるために、第2の方向に交番磁場を印加するステップと、サンプルの全体の磁化が元の状態に戻る際にサンプル(1)によって放射されるエネルギーを監視し、放射されるエネルギーに比例する特性を有する出力信号を生成するステップと、監視による出力信号を他のデータと比較するステップとを備える。

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