本発明の課題は、機械的応力に対し良好な耐性をもち、その製造が公知の従来技術よりも煩雑でない縦型ナノトランジスタを提供することである。本発明によればこの課題は、以下の特徴を備えた縦型ナノトランジスタによって解決される。すなわちソースコンタクトと、ドレインコンタクトと、ゲート領域と、ソースコンタクトとドレインコンタクトの間に配置され半導体特性をもつ円筒状のチャネル領域が設けられており、この円筒状チャネル領域は絶縁性フレキシブル基板に埋め込まれており、この領域は、ゲート領域とチャネル領域上部が同軸構造を成すよう、フレキシブル基板上およびチャネル領域上部の金属層により形成されたゲート領域により取り囲まれている。さらにソースコンタクトと半導体特性をもつチャネル領域とドレインコンタクトは縦方向に配置されていて、ソースコンタクトとドレインコンタクトと半導体特性をもつチャネル領域に対向するゲート領域と、基板の上側および下側は電気的に絶縁性の部材を有している。メモリ装置は多数のこの種の縦型ナノトランジスタから成る。本発明はこの種のトランジスタの製造方法にも関する。
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公知の光電池は水に包囲され、蓄積された日光により放射され、横方向の電流を集める部品のない光電気化学的に活性な光電池構造を有する。しかし前記光電池構造は腐食にきわめて弱く、製造される分解ガスを分離しなければならない。光の発生が片側からのみ起きる。本発明の光電池には自立する光電池膜（ＰＭ）が用意され、これをとおり電気分解電流が流れ、前記膜が包囲する水を２つの別々の水室（ＷＫＡ、ＷＫＫ）に分割する。一方の水室（ＷＫＡ）で酸素が製造され、他方の水室（ＷＫＫ）で水素が製造される。２つの室は日光に照射される。水室（ＷＫＫ）に活性光電池構造（ＰＶＳ）が水素を生じるために、特に簡略化されたＣＩＳ太陽電池の形で配置される。前記光電池膜（ＰＭ）は両面に導電性かつ光透過性二酸化チタン層（ＴＳ）が被覆されている。２つの二酸化チタン層（ＴＳ）は材料に関して変性され、酸素触媒特性および水素触媒特性を有する。有利に光電池膜（ＰＭ）は柔軟であり、軸方向の隔壁として柔軟な管（Ｓ）に組み込まれ、前記管は光透過性充填物（ＬＥ）を有し、簡単に光を集め、燃料を集める構造を有する。
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