特にナノ領域で個々の材料成分を堆積する公知方法は顕微鏡のプローブチップと基板の間に電界を使用して運転し、電界に前駆物質ガスを、材料成分を含有する１種の化合物と一緒に導入する。電界の作用下に化合物が分離し、材料成分が遊離し、材料成分が引き続き基板上にプローブチップの下に狭く限られた領域に堆積する。本発明の方法では複数の先駆物質ガス（ＰＧ）を、他の材料成分（Ｃｄ、Ｔｅ）を含有するそれぞれ他の化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）と一緒にガス混合物中で、調節可能な混合比で、同時にまたは相前後して使用し、分離された異なる前駆物質化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）から分離された材料成分（Ｃｄ，Ｔｅ）から選択された混合比に相当して共通の化合物（ＣｄＴｅ）を形成し、この化合物を基板（Ｓ）に局所的に堆積する。従ってパラメーターを調節した化合物材料、特に化合物半導体を異なる材料成分と一緒に変動できる濃度で堆積できる。有利に異なるスペクトル帯域の間隙を有するナノ構造化された、堆積されたナノポイントからのフォトダイオードまたは発光ダイオードを有する半導体部品を形成することもできる。
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公知のパラメタライズされた半導体複合構造体はモノファンクショナルに作動する。同時に最大の普遍性において最大の柔軟性を実現するために、本発明のパラメタライズされた半導体複合構造体（ＴＥＭＰＯＳ）は、ドーピングチャネルとしてナノスケールの細孔（ＶＰ）及び電気的絶縁材料から成る層（ＥＩＬ）の表面において細孔（ＶＰ）の間に導電性材料から成る高オーミック被覆層（ＥＣＭ）を有し、電気的抵抗が発生され、この電気的抵抗は付加的な電荷担体の移動を半導体複合構造体（ＰＳＣ）内の垂直方向にサポートし、しかし同じ側面の電極（ｏ，ｗ）の間で水平方向に阻止する。微分負性抵抗特性（ＮＥＲＰＯＳ）も含みうる半導体複合構造体（ＴＥＭＰＯＳ）の機能調整のための基本的なパラメータは、細孔（ＶＰ）及び導電性材料（ＥＣＭ）の形成に関連する。有利には、細孔（ＶＰ）はイオン照射とその後のエッチングによって作られ、エッチング持続時間が細孔深度及び細孔直径を決定する。導電性材料（ＥＣＭ）は有利には導電性ナノクラスタ（ＤＮＰ）又は湿度感応性フラーレン（ＭＯＳＢＩＴ）から成りうる。使用はアナログ及びデジタル方式のアクティブ及びパッシブな、熱的な、抵抗性の、容量性の、周波数依存性の、化学的な及び／又はradiation-resistantな特性を有する電子的な、オプトエレクトロニクス的な、hygroscopic electronicな及びセンサ半導体構成素子を含む。
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本発明のヘテロコンタクト太陽電池は、反転した幾何形状の層構造を有しており、従って、反転したヘテロコンタクトを有している。アモルファスのエミッタは、結晶性の吸収層の、光とは反対側の下側面上に設けられている。吸収層は、光と同じ側の上側面上に、透明の反射防止層によってのみ覆われており、当該材料の選択に基づいて、同時に導電作用するパッシベーション層として作用する。従って、吸収損失を最小にすることができる。材料、時間及びエネルギ使用に関するエネルギ回収期間を、エミッタ及び反射防止層を低温で２５０℃〜３５０℃でのプラズマＣＶＤ処理によって製造することにより低減することができる。上側のコンタクト構造は、透明の反射防止層をフィンガ状に貫通して形成されており、透明の反射防止層は、大きな面積が金属層として形成されている。
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量子ドットはとりわけナノエレクトロニクスにおいて有利に利用可能なその電気的特性の量子化を示す。しかし、量子ドットの精確な構造、製造及び組み込みは非常に難しく、十分には成功していない。本発明の量子ドット（ＱＰ）は、ダイヤモンド状構造を有する電気絶縁性炭素層（ＤＬＣ_ＱＰ）の中にグラファイト状構造（ＧＬＣ）を有する円柱状領域として埋め込まれた構造を特徴としている。この電気絶縁性炭素層（ＤＬＣ_ＱＰ）は、２つの電気絶縁性の、この特性をイオン通過の後でも示す絶縁層（ＩＬ_１、ＩＬ_２）との間に設けられている。従って、初めて幾何学的かつ局所的に精確に定められた量子ドットがナノエレクトロニクスにとって非常に関心の高いＤＬＣ材料において提供されるのである。この量子ドットは８ｎｍより下の寸法を有することができ、とりわけ単一電子トランジスタ（ＳＥＴ）の実現に適している。集積されたナノワイヤによってシンプルな接続が行われる。製造は簡単なやり方でイオンビーム（ＩＢ）による層パケット（ＬＳ）の照射によって行われる。この場合、量子ドット（ＱＰ）及びナノワイヤ（ＮＷ）は、イオントラック（ＩＴ）においてダイヤモンド状構造を有する非導電性炭素（ＤＬＣ）をグラファイト状構造を有する導電性炭素（ＧＬＣ）に変換することによって生じる。 （もっと読む）

白金不含のキレート触媒材料は、たとえば自動車産業における水素およびメタノールの燃料電池における選択的な酸素の還元のために使用される。達成可能な多孔度および触媒活性は、商業的な適用のための製造の際の高温処理の間の焼結効果に基づいて不十分である。従って本発明による方法は、プラズマ反応室中で、不活性なプラズマガスを用いて、遷移金属キレートの分子がプラズマ中で断片化され、かつその後の化学反応において架橋することによって、一方では炭素マトリックスが形成されるが、しかし他方では遷移金属の周辺におけるキレートの基本構造は維持されるようにプラズマ出力、プラズマガス圧、プラズマ初期化および処理時間を選択して、粉末状の遷移金属キレートを低温プラズマ処理することを特徴とする。得られるキレート触媒粒子は高多孔質であり、かつ０．０６μｍの範囲の大きさを有する。こうして製造された中間生成物は、並行して、または交互に運転される異なった出力の２つの異なった低温プラズマによる組み合わされたスパッタ−プラズマ処理により、特にガス拡散電極への応用において、最終生成物としての電極触媒被覆へとさらに加工することができる。
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自然界からその全ての構造的および材料的な構造によりガス交換および浄化プロセスを可能にする異なった機能を有する機能性の膜は公知である。しかし公知の技術的な膜およびフィルムは機能性または柔軟性が欠ける。本発明は、その表面範囲において漏斗形に拡張した孔の範囲でナノスケールの粒子系により改質されており、かつ特に包装の目的のために適切な、安価でフレキシブルな、通気性のポリマーフィルムを提供する。変性は少なくとも、化学的に不活性な、無機ナノ粒子からなるバインダーフィルムと、短波光の照射下で光触媒活性な、親水性の非毒性金属酸化物のナノ粒子からなるライニングフィルムとからなる、抗菌性作用および自浄作用を有する複合層構造からなる。その際、その作用は孔の漏斗形の拡張部の開口角の選択により調節可能である。機能の拡張のために異なった層の添加が可能である。製造はたとえば漏斗形の毛管孔を有するポリマーフィルムの、周囲条件において実施可能な、コロイド状のナノ粒子の、特にセラミックをベースとする分散液によるゾル・ゲル系中での安価な表面処理により高エネルギーのイオン照射および片面もしくは両面のエッチングにより行う。
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最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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慣用的な硫化カドミウム（ＣｄＳ）析出させる化学浴析出（ＣＢＤ）は、半導体基板、例えば黄銅鉱薄膜太陽電池上へのバッファ層の施与に非常に好適な方法であることが判明している。カドミウムは極めて有毒な重金属であるので、代替法が既に探索されている。硫酸亜鉛（０．０５〜０．５モル／ｌ）とチオ尿素（０．２〜１．５モル／ｌ）とを蒸留水中に７０〜９０℃の温度で溶解させて、そしてアンモニア（約２５％）添加後にこの溶液が澄明になった後に半導体基板をこの溶液中に約１０分にわたって浸漬させ、この温度をこの時間内で実質的に一定に維持することを目下提供する。ＺｎＳ層を用いることにより、今までのところ有毒なカドミウム化合物を用いてのみ可能である効率と比べて比肩しうるかもしくはより大きい効率を達成することが初めて可能になる。従って本方法は同じ結果をもたらす際に顕著に無公害である。
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電界効果トランジスタにおいて、ソースコンタクトとドレインコンタクトとの間に垂直方向に配向されナノメータ領域の直径を有する少なくとも１つの半導体支柱が設けられており、この半導体支柱が絶縁間隔を残してゲートコンタクトによってリング状に取り囲まれていることは、すでに知られている。本発明によれば、簡単にされた製造方法が提供される。本発明に従い製造されたトランジスタは、半導体支柱（２）が第１および第２の絶縁層（３，５）に組み込まれており、これらの絶縁層の間にゲートコンタクトとして外側に向かって案内された金属層（４）が設けられている。上方に向かって第２の絶縁層（５）を貫通するこの金属層の端部は、部分的に絶縁体（６）に変換されるかまたは、部分的に除去されて絶縁材料によって充填される。
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本発明の課題は、機械適応力に対する耐性が良好であり、公知の従来技術よりも製造が煩雑でない縦型ナノトランジスタを提供することである。本発明によればこの課題は、以下の特徴を備えた縦型ナノトランジスタによって解決される。すなわちソース領域と、ドレイン領域と、ゲート領域と、ソース領域とドレイン領域との間に配置され半導体特性をもつチャネル領域が設けられており、ゲート領域は金属シートにより形成されており、ゲート領域と半導体特性をもつチャネル領域により同軸構造が形成されるよう、この金属シートにトランジスタが埋め込まれていている。この場合、ソース領域と半導体特性をもつチャネル領域とドレイン領域は垂直方向に配置されており、ゲート領域は、ソース領域とドレイン領域と半導体特性をもつチャネル領域に対向して電気的絶縁部材を有している。さらに本発明はこの種のトランジスタの製造方法ならびにメモリ装置にも関する。
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