【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供すること。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、反応部の圧力は、気化管の圧力より低く設定されるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液を供給するための手段６と、分散された原料溶液を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を流れるを冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、板状基体に対する気体の噴出によって、板状基体を浮上した状態にし、この状態で板状基体を移動、停止、静止および方向転換させる場合、重い板状基体でも、移動および方向転換を高速で行うことができ、かつ、確実に板状基体を停止させることができる浮上搬送装置および浮上搬送システムを提供する。
【解決手段】 搬送面に設けられた複数の噴出孔１１Ｂを具備し、噴出孔１１Ｂから噴出する気体によって、板状基体を浮上させた状態で移動させる移送部１と、搬送面に設けられた複数の噴出孔を具備し、この噴出孔から噴出する気体によって、板状基体を浮上させた状態で移動、停止、静止および方向転換の少なくとも１つを行う制御ユニットとを組み合わせた浮上搬送システムにおいて、浮上している板状基体を押して移動させる移動手段（移動装置１３）を移送部１に設けた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 極めて低い誘電率を有するホウ素炭素窒素膜を成膜することができる
成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜室１内にプラズマを生成するプラズマ生成手段２と、窒素、ホウ素および炭素材料を導入する導入手段５，９，１０と、プラズマの下部または内部に基板６１を保持する手段６と、基板保持部を昇温する昇温手段７とを備えることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、板状基体に対する気体の噴出によって、板状基体を浮上した状態にし、この状態で板状基体を移動、停止、静止および方向転換させる場合、板状基体に当たった気体によって、板状基体が帯電したとき、この板状基体の帯電を完全に中和することができる浮上搬送装置用の帯電中和装置および浮上搬送システムを提供する。
【解決手段】 搬送面１Ａに空けられた複数の噴出孔１１から噴出する気体によって、板状基体を浮上させた状態で搬送する浮上搬送装置に設けられた浮上搬送装置用の帯電中和装置において、搬送面１Ａに設けられた溝部（第１収納部分３１Ａ、石英板３１Ｂ、第２収納部分３１Ｃ）と、この溝部内に設置されると共に、気体をイオン化する電磁波を溝部から、搬送面１Ａ上の搬送空間に向けて出力する帯電中和部（ＵＶランプ３２、制御部３３）とを設けた。 （もっと読む）

【課題】目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供する。
【解決手段】分散部本体１の内部に形成されたガス通路２と、ガス通路２に加圧されたキャリアガス３を導入するガス導入口４と、ガス通路２を通過するキャリアガスに原料溶液５を供給するための手段６と、分散された原料溶液５を含むキャリアガスを気化部２２に送るためのガス出口７と、ガス通路２内を冷却する手段１８と、を有する分散部８と、装置の反応部と分散部８のガス出口７に接続された気化管２０と、気化管２０を加熱するヒータ２１と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部２２と、を有し、ガス出口７の外側に細孔１０１を有する輻射防止部１０２を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、回転式の万能型洗浄装置であって、回転摺動部からの発塵の問題を排除した洗浄装置を提供することを目的とする。さらには、外気と完全に遮断した状態で洗浄及び乾燥処理を行うことが可能な洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 洗浄液の供給部及び排出部を有する洗浄槽の内部に、被処理物の保持部材が回転軸に連結されて配置され、前記被処理物を回転しながら洗浄及び／又は乾燥する洗浄装置であって、前記回転軸が前記排出部を貫通することを特徴とする。また、前記排出部から排出される洗浄液の流量を調節する流量制御手段を有することを特徴とし、さらには、前記排出部から排出される洗浄液自体により前記洗浄槽内部を外気から遮断する外気遮断手段を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの高温化を実現することができ、よってより高い均質処理を実現することができる基板表面処理装置を提供する。
【解決手段】所定の熱媒体を供給する熱媒体入口に上流環が接続され、熱媒体を放出する熱媒体出口に下流環が接続され、上流環から下流環へと至る熱媒体の流れ方向が互いに隣接するもの同士で逆方向となるように上流環と下流環とに複数の熱伝達路が接続されると共に、熱媒体として気体が用いられている。 （もっと読む）