【課題】残留硫酸や異物の除去効果が高く、また、位相シフトフォトマスクの遮光膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）の透過率等に変動を与えることなく異物除去を効果的に行うことのできるフォトマスクの洗浄方法を得る。
【解決手段】半導体製造の写真製版工程において原盤として使用されるフォトマスクの表面に存在する有機物を分解し、また金属不純物を除去するために高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄する第一の工程と、フォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去する第二の工程と、フォトマスクの表面に付着した異物を除去する第三の工程と、第一、第二および第三の工程が終了したフォトマスクを乾燥する第四の工程とを備えたフォトマスクの洗浄方法であって、第二の工程はアノード水を用いてフォトマスクの表面に残留する残留硫酸を除去し、第三の工程はカソード水を用いて異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 被搬送体が搬送路中心からずれてしまった場合の調整を行うことができる浮上搬送装置を提供する。
【解決手段】 被搬送体の搬送経路を形成する搬送路と、被搬送体を前記搬送路に沿って浮上搬送する複数の噴射ノズルと、前記搬送路中における被搬送体の搬送方向を検出する一つ以上の検出部と、該検出部の検出結果に基づいて前記複数の噴射ノズルを独立して制御する制御部とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を提供すること
【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高純度でシラノール基含量の極めて少ない合成石英ガラスを、効率よく得ることのできる石英ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリカを加熱し、第１加熱段階として１５０℃〜４００℃の温度範囲に３時間以上保持した後、第２加熱段階として１１００℃〜１３００℃の温度範囲に１時間以上保持する。 （もっと読む）