フラッシュＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリが、自己限定プログラミング技術を用いて並列にプログラムされ得るメモリセルを有する。個々のセルは、自己限定的に熱い電子で荷電され得る電荷記憶装置を有する。電荷記憶装置が必要なレベルの電荷に達すると、熱い電子はそれ以上生成されないか、或いは少数しか生成されない。熱い電子の生成が停止する電荷レベルは、セルに印加される電圧によって決まる。このように、複数のセルが並列にプログラムされ、印加電圧に対応する電荷レベルで各々のセルが自己限定される。
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メモリ・システムにおいて読み取り処理を改善するために、トラッキング・セルが使用される。トラッキング・セルは、データの品質を指摘することもできるし、エラーがある場合にデータ復元動作の一部として使用することもできる。トラッキング・セルは、メモリ・システムの現在の状態を反映するために、読み取りパラメータを最適なレベルに調整する手段を提供する。加えて、複数状態のメモリ・セルを使用する幾つかのメモリ・システムは、消耗を最小限に抑えるために、ローテーション・データ・スキームを適用する。ローテーション・スキームは複数のトラッキング・セルの状態に基づいて、トラッキング・セルにおいて符号化することができ、それは読み取りの際に復号化される。 （もっと読む）

記憶素子間の静電結合レベルを低減するために、隣接する電荷記憶素子を有するフラッシュＥＥＰＲＯＭまたは他のタイプのメモリセルアレイを素子間にガスが充填されているボイドとともに形成し、これにより電荷記憶素子間の漏れ結合およびアレイから読み出されるデータ中に結果として生じるエラーを低減する。
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