説明

ナノテック株式会社により出願された特許

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【課題】低温度の環境下で被加工材の表面に、良好かつ高品位な炭素膜を形成することを目的とする。
【解決手段】所定の真空度に減圧可能とされる真空チャンバ1内に、被加工材4を保持し、基板電圧印加手段3により所定の電圧に印加される基板2と、上記基板2に対向配置される炭素原料基板5上で、真空チャンバ1内に導入される放電発生用の媒体ガスをパルス電源7より炭素原料基板5に出力される調整電力に基づきプラズマ化し、炭素原料基板5から上記基板2に保持される被加工材4に向けて炭素原料とともに放電するプラズマ発生源を備える。これにより被加工材4の表面に放電されるプラズマにより炭素膜を加工形成する。 (もっと読む)


【課題】 真空装置の真空容器や真空容器内部品等の真空容器類の表面全面にガス放出の少ない均質な膜を成膜する表面処理方法及び真空容器類を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素のうち少なくとも1種類の元素と、水素と、炭素とが含まれたシリコン化合物を原料とし、この原料を10−3〜10−5Paの圧力に減圧された処理容器に気体状態で導入し、該原料によるプラズマを生成することにより、シリコン、水素と炭素及び酸素、窒素の少なくとも1種類の元素が含まれた膜を、この減圧された処理容器内に収容した被処理真空容器類の表面に堆積させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】成膜対象物たる中空体の内面に均一にDLC膜を形成することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内を減圧する減圧手段と、中空体内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、中空体を囲む空間を形成し、この空間内で発生した放電によって中空体内の原料ガスをプラズマ状態とする電極と、電極の外側に配置され、中間体を囲む空間内に磁場を発生させる磁場発生手段と、を備え、磁場発生手段が発生した磁場を用いて、プラズマ状態の原料ガスによって中空体の内面に膜厚が均一なダイアモンドライクカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 表面保護膜として各種用途に有用な表面エネルギーが低く、離型性、摺動性に優れ、かつ硬度の高いダイヤモンドライクカーボン薄膜を大面積に均一な膜厚で効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 フッ素化炭化水素化合物を含むガスを、イオン化電流によりプラズマ化し、それにより生じた各イオンを、被成膜部材上に吸引衝突、付着させて、フッ素化ダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成させることを特徴とするフッ素化ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


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