活性層との電気的コンタクトで形成された金属のソースおよびドレインコンタクト（２０，２２）を有する活性半導体層を備えるトランジスタ構造。ゲートコンタクト（２６）が、活性層内の電界を変調するためにソースコンタクトとドレインコンタクトとの間に形成されている。スペーサ層（２４）が、活性層の上に形成されている。導電性フィールドプレート（２８）がスペーサ層の上に形成され、ゲートコンタクトの端からドレインコンタクトに向かって距離Ｌ_ｆ延びている。フィールドプレートは、ゲートコンタクトに電気的に接続されている。

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透明のプラスチックおよび燐光体添加剤を含む溶融液体を鋳型に充填し、この溶融液体を凝固させて、燐光体が内部に分散した透過型光学要素を作製することによって、透過型光学要素が製造される。したがって、別に燐光体被覆または燐光体含有封入剤を使用する必要がない。透過型光学要素は、燐光体が内部に分散されている透明のプラスチックから作製されたシェルを含む。燐光体はシェルの中に均一および／または不均一に分散され得る。

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半導体発光装置用の実装基板は、半導体発光装置をその内部に実装するように構成されたキャビティをその１つの面に有する固体金属ブロックを含む。キャビティに絶縁被覆を設け、キャビティの絶縁被覆上に、半導体発光装置に接続するように構成された離間した第１および第２の導電性トレースを設ける。実装基板は、半導体発光装置をその内部に実装するように構成されたキャビティをその１面に含む固体アルミニウムブロックを設けることによって製造してもよい。この固体アルミニウムブロックを酸化して、その上に酸化アルミニウム被覆を形成する。キャビティの酸化アルミニウム被覆上に、第１および第２の離間した電気トレースを製造する。

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炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。

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制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法を開示している。
前記方法は、昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程；水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程；そして、一方、得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで該成長結晶中の点欠陥の数を増加させるのに充分に高いそれぞれの温度に、該原料粉末及び該種結晶を、昇華成長している間、維持する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。 （もっと読む）

電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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ドープ化材料から活性領域内へのドーパントの移動を抑制すべく組成されたドープ化材料、活性領域、およびバリア材料を含むＩＩＩ族窒化物電子素子構造において、当該バリア材料は高Ａｌ含量Ａｌ_ＸＧａ_ｙＮを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０である。特定の態様において、ＡｌＮを厚さ約５〜約２００オングストロームの移動／拡散バリア層として用いて、例えばＵＶ−ＬＥＤ光電子素子等のＩＩＩ族窒化物電子素子の活性領域内へのマグネシウムおよび／またはシリコン・ドーパント材料の流入を抑制する。

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