説明

イムラ アメリカ インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】偏光モード結合の量と偏光モード分散とを減らすと共に偏光保持能を増加させたファイバを提供すること、及び大きな外側クラッドがファイバコア内モード結合の減少を確実にしながらポンプ光が内側クラッド内を導波されるような偏光保持大外径の高効率ファイバ増幅器あるいはレーザを提供する。
【解決手段】偏光保持ファイバが、楕円の断面を有するマルチモードのファイバコアと、ファイバコアを囲む第1クラッドと、第1クラッドを囲む第2クラッドと、第2クラッドを囲む被覆とを有し、第1クラッドは円形断面をもち、第2クラッドは非円形断面をもち、ファイバコアにシングルモードの光を伝搬させる。 (もっと読む)


【課題】線形にチャープした高パワーの放物線型パルスが発生可能な受動モードロックファイバレーザを提供する。
【解決手段】 短光パルスを生成する受動モードロックファイバレーザであって、共振器内分散をもつレーザ共振器と、このレーザ共振器に設けられ、共振器内分散が正分散であり、πより大きい共振器内自己位相変調の値を生成するように動作する希土類ドープ利得媒質と、を有し、共振器内光学パルスのバンド幅がレーザ共振器中を伝搬中に変化する。 (もっと読む)


光ファイバの実施形態は、クラッド特徴が配置されているクラッド材料に対して非常に小さな相対屈折率差を生じることがある材料(例えば、フッ素添加石英ガラス)を含むクラッド特徴を含むことがある。この相対屈折率差は、(ni−n2)/niによって特徴付けられ、ここで、niは、クラッド特徴が含まれているクラッド材料の屈折率であり、n2は、クラッド特徴の屈折率である。ある実施形態では、相対屈折率差は4.5×10−3未満であることがある。様々な実施形態では、例えばクラッド特徴のサイズおよび間隔を含んだクラッド特徴の構成は、基本モードの閉じ込めを可能にし、それでも第2モードおよびより高次のモードの漏れを可能にするように選ぶことができ、このことが、モード・フィルタリング、単一モード伝播、および/または低曲げ損失を実現することがある。
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【課題】画像生成装置は、弱い電磁波源と低い検出感度によって困難とされた拡張テラヘルツ電磁波範囲を使用した撮像対象の効率的かつスピーディーな画像生成のために、方向変換用光学系と組み合わされた集束光学系及び集光光学系を用いる。スピーディーな画像生成速度と結びついた電磁波の効率的な検出法を提供する。
【解決手段】ビームの角度変換を水平走査に使用する光学系を適正に配置して、撮像対象又は画像生成システム全体を可動させることのないラスタ走査画像生成装置が実証される。ミラー・レンズセットはテラヘルツ(THz)ビームの方向変換及び(又は)撮像対象の各点からのTHzビームの集光する。撮像対象は、撮像対象又は画像生成システム全体を移動させる場合に比して、遥かに高速で画像生成される。THz波画像は、実現可能とは考えられていなかった多様な応用分野においてそれぞれの装置の実際の用途に合った映像周波数で撮像可能である。 (もっと読む)


【課題】どのような非ファイバ共振器内偏光操作素子も使用しないで、短光パルスを広く発生する超小型モードロックファイバレーザの安定な動作を可能にする。
【解決手段】レーザが高複屈折性ファイバの一つの偏光軸でモードロックされると偏光軸の縮退は除去され、他の偏光軸に沿うcw発振も防止される。共振器内に偏光依存損失が無いとモードロック偏光軸は未定である、すなわち、モードロッキングはどちらの偏光軸でも起こることができる。しかしながら、少しの偏光依存損失の導入は、低損失軸だけでのモードロッキングの確かな開始を確実にする。そのような僅かの偏光依存損失は、高速軸に沿ってより高い損失を発生する高複屈折性ファイバの固い巻き付けによって導入され、低速軸に沿う確実なモードロック動作が行われる。あるいは、単一偏光動作が、偏光依存損失を備えた可飽和吸収体を使用するかレーザ共振器外に偏光操作素子を導入することで、行われる。 (もっと読む)


【課題】所望の分散を提供することができ、かつ小さな光損失で適切な分散勾配も提供することができる光ファイバを提供すること。
【解決手段】記載された様々な実施形態は、約1の開口数(NA)を有する超高開口数光ファイバ(UHNAF)のための光ファイバ設計および製造プロセスを含む。UHNAFの様々な実施形態は、約0.7より大きく、約0.8より大きく、約0.9より大きく、または約0.95より大きいNAを有することができる。UHNAFの実施形態は、小さいコア直径を有することができ、かつ低い伝送損失を有することができる。十分に小さいコア直径を有するUHNAFの実施形態は、シングル・モード動作を提供する。いくつかの実施形態は、例えば2.4未満の低いV数、および大きな分散を有する。UHNAFのいくつかの実施形態は、非常に大きな負の分散、例えばいくつかの実施形態において約−300ps/nm/km未満を有する。UHNAFを使用するシステムおよび装置も開示される。 (もっと読む)


超短パルスを発生させるレーザヘッドが、ヘッド内で能動的ビームステアリングデバイスと一体化されている。適切なインターフェースプロトコルを用いた照射システムとの直接結合により、能動素子を照射システムによって直接に制御することが可能になる。
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チタニアまたは金属チタンターゲットの超高速パルスレーザーアブレーションを使用して結晶二酸化チタン(TiO)のような酸化金属のナノ粒子またはナノコンポジット(ナノ粒子集合)膜を基板表面に堆積させるワンステップ室温プロセスである。システムには、数フェムト秒から数十ピコ秒の範囲のパルス幅を備えるパルスレーザと、レーザービームを、所定の平均エネルギー密度および所定のエネルギー密度分布でビームがターゲット表面上に焦点を結ぶように処理する光学構成と、ターゲットおよび基板が設置されてバックグラウンドガスおよびその圧力が適切に調整される真空チャンバとが含まれる。
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【課題】固定波長の超短光パルスを出す単一光源から可変または可調波長の超短光パルスを発生させるための光スイッチを提供する。
【解決手段】OSSM24は、1.55μm等の超短パルスをUPL10からWCCsのどれか1つ又はいくつかに直接送り込む。OSSM24の入力ポートから任意のWCCsへの超短パルスの制御は、電気−光学または音響−光学方法のどちらかを使って行われる。図12は、入力放射光を出力ポートのどれか又は全てに分配するための1×3光方向性結合器60の使用を示している。波長1.55μmのパルスは、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのような強誘電体基板にTI、PEまたはTIPEで形成された光導波路に送り込まれる。全ての導波路は、光源波長でシングルモード伝搬するように設計された同じ幅の断面積を有する。分岐作用の条件は、1×3光方向性結合器60への電圧V1またはV2の印加によって決定される。 (もっと読む)


固体基材のレーザテクスチャリングを行うシステムおよび方法が開示される。テクスチャリングを使用して、鋼、アルミニウム、ガラス、およびシリコンを含むことができる基材から取得可能なグレースケール画像をもたらすことができる。いくつかの実施形態では、基材または基材表面の反射、回折および/または吸収特徴を、ランダム、周期的、および/または半周期的な微細構造フィーチャを基材(または基材表面)上に超高速レーザパルス列で形成することにより改質して、画像が基材から取得可能となる。微細構造フィーチャは、超高速パルス列の光の波長よりもわずかに大きな、それと同等の、かつ/またはそれよりも小さな平均サイズを有する。超高速パルス列は、例えば光露光時間、パルス列強度、レーザ偏光、レーザ波長、または前述のものの組合せを変化させるために変調できる。微細構造フィーチャは、基材付近の環境(例えば、いくつかの実施形態では反応性化学種を含むことができる雰囲気)を制御することにより改質できる。
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