本発明は複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に関し、これらの半導体チップはそれぞれ少なくとも１つの半導体層を備えた複数の構造素子をそれぞれ有する。この方法においては基板ならびに成長表面を有するチップ結合体ベースが提供される。閉塞していないマスク材料層を、形状および／または開口面が異なる静的で分散的な複数の窓を有するように成長表面上に形成し、ここでマスク材料は後続のステップにおいて成長すべき半導体層の半導体材料がこのマスク材料上では実質的に成長しない、または成長表面に比べて実質的に成長しにくい。続けて、半導体層が実質的に窓の内部に位置する成長表面の領域の上に析出される。さらなるステップではチップ複合体ベースが被着された材料と共に半導体チップに個別化される。さらに本発明は本方法に応じて製造されるオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。
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本発明は発光素子を含み、この発光素子は、動作時に電磁的一次放射線を放出する少なくとも１つの一次放射線源と、少なくとも１つのルミネセンス変換素子を有しており、当該ルミネセンス変換素子によって、前記一次放射線の少なくとも一部が、波長が変化した放射線に変換される。前記ルミネセンス変換素子の後には、前記素子の放射方向において、多数のナノ粒子を有するフィルタ素子が配置されており、当該ナノ粒子はフィルタリング物質を有しており、該フィルタリング物質は、不所望な放射線の少なくとも１つのスペクトル部分領域の放射線強度を吸収によって選択的に低減させる。
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本発明によれば、成長基板ウエハ（１）が設けられ、前記成長基板ウエハ（１）の主平面（１００）に対して平行に存在する分離ゾ−ン（４）が当該成長基板ウエハ（１）内に形成され、前記成長基板ウエハ（１）に補助支持体ウエハ（２）が接合され、前記分離ゾーン（４）の層から成長基板ウエハ（１）の補助支持体ウエハ（２）とは反対側部分（１１）が当該分離ゾーン（４）に沿って分離され、前記補助支持体ウエハ（２）上に残った成長基板ウエハの残留部分（１２）上に、後続の半導体層列（５）のエピタキシャル成長のための成長面（１２１）が形成され、前記成長面（１２１）上に半導体層列（５）がエピタキシャル成長され、前記半導体層列（５）上にチップ基板ウエハ（７）が被着され、前記補助支持体ウエハ（２）が分離され、前記半導体層列（５）とチップ基板ウエハ（７）の接続部が、相互に分離された半導体チップ（２０）に個別化される。
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ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）と、ｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）と、これらのｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）とｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）との間に配置され光子を放出する活性層（１８）とを含む層構造を備えた発光半導体素子において、本発明によれば、高い活性ドーピングとシャープなドーピングプロファイルを形成するため、ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）は第１のｎ型ドーパント（または互いに異なる２つのｎ型ドーパント）によりドーピングされ、活性層（１８）の層品質を改善させるため活性層（１８）は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントによりドーピングされる。
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本発明には、湿分および酸化剤に対して敏感である製品を保護するための軟質の多層包装材料が開示されており、この場合この軟質の多層包装材料は、湿分および酸化剤を結合させることができる少なくとも１つの活性の高分子量バリヤー層および少なくとも１つのセラミックバリヤー層を有する。活性の高分子量バリヤー層とセラミックバリヤー層との組合せは、多層包装材料のバリヤー能力を著しく増大させる。
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電気的に絶縁性のケーシング基体（１）と電気的な接続導体（５ａ，５ｂ）とを有したレーザーダイオード構成素子を製造するための方法であって、前記電気的な接続導体はケーシング基体から導出されていて、ケーシング基体（１）の外側から接近可能である。ケーシング基体（１）が、レーザーダイオード構成素子から放射されるレーザービームを透過する材料から製造されていて、チップ実装領域（３）を有している。レーザーダイオード構成素子の放射軸線（１００）はケーシング基体（１）を貫通して延びる。さらにこのように製造可能なケーシングと、このような形式のケーシングとを備えたレーザーダイオード構成素子が記載されている。
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