【課題】複数の半導体素子を備えており、半導体素子に流れる電流を検知する際の損失を低減可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態の半導体装置１は、配線パターン２２を有する配線基板２０と、配線基板上に搭載されるＮ個（Ｎは２以上の自然数）の半導体素子１０と、配線基板に搭載され、Ｎ個の半導体素子のうちから選択されたＭ個（Ｍは１以上Ｎ以下の自然数）の半導体素子１０のうちｍ個（ｍは、１以上Ｍ未満の自然数）の半導体素子１０に流れる電流を検知する電流検知部３０Ａ，３０Ｂと、を備える。Ｍ個の半導体素子は、配線パターンを介して電気的に並列接続されており、ｍ個の半導体素子は、電流検知部を介してＭ個の半導体素子のうちの他の前記半導体素子に電気的に並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】被測定ＡＣ信号の損失と反射を低減する。
【解決手段】ＤＣ−ＡＣプローブ・カード２０は、プローブ・ニードル２６及び３１を有し、これらは、ＤＵＴに接触する末端を夫々有する。接続経路２４及び３０は、試験計装２２及び２８をプローブ・ニードル２６及び３１に接続するよう使用できる。接続経路２４及び３０の夫々は、夫々の対応する試験計装２２及び２８と、プローブ・ニードル２６及び３１の間に、ＡＣ測定に適した所望特性インピーダンスと、ＤＣ測定に適したガードされた経路の両方を提供する。 （もっと読む）

【課題】過電圧がＬＳＩの電源端子に印加されたことを確認できるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置（１０）は、内部回路（１１）と、上記内部回路に電源電圧を供給するための電源端子（１５，１６）とを含む。このとき、上記内部回路の電源電圧として想定されるレベルを越える電圧（過電圧）が上記電源端子に印加された事実を記録するための過電圧印加情報記録回路（１２）を設ける。過電圧印加情報記録回路には、過電圧が上記電源端子に印加された事実が記録されているため、それに基づいて、過電圧がＬＳＩの電源端子に印加されたことを確認することができる。 （もっと読む）

【課題】バーンイン試験に要する時間を短縮する。
【解決手段】バーンイン試験装置（１）は、ストップモードを備えるマイクロコンピュータ（５）のバーンイン試験を行う。バーンイン試験中に、マイクロコンピュータは、動作状態を経て、ストップモードを実行した後、リセットを実行する。測定部（３２）は、複数のマイクロコンピュータの各々が待機モードを実行した後、リセットを実行する前に、電源電流（Ｉ）を測定する。検出部（３３１）は、測定部によってリセットの実行前に測定された電源電流値を用いて、不良率の上昇を検出する。指示部（３３２）は、検出部によって不良率の上昇が検出された場合、バーンイン試験の停止を恒温槽（２）に指示する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子が積層された半導体装置を、非破壊で適正に検査する。
【解決手段】半導体装置１００Ａは、積層された半導体素子１１１〜１１３を含む。各半導体素子１１１〜１１３は、対応して配設されたＴＳＶ１２９ａ〜１２９ｃ、及び各ＴＳＶ１２９ａ〜１２９ｃ上に配設されたパッド１２５ａ〜１２５ｃを備える。半導体素子１１３側から見て、パッド１２５ｂはその上層のパッド１２５ｃからはみ出し、パッド１２５ａはその上層のパッド１２５ｂ，１２５ｃからはみ出す。各パッド１２５ａ〜１２５ｃに対する半導体素子１１３側からのエネルギービーム照射が可能になり、半導体装置１００Ａのエネルギービーム照射工程を含む検査が非破壊で実施可能になる。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置に関し、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御する。
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。 （もっと読む）

【課題】直流の電流および電圧を発生するときに、過剰な消費電力が出力アンプに作用しないように制御することを目的とする。
【解決手段】本発明の直流電流電圧源３は、出力設定部１１により設定された設定電圧Ｖｓｅｔを出力する出力アンプ１２と、出力アンプ１２が出力する出力電圧Ｖ１と出力アンプ１２に帰還されて入力される入力電圧Ｖ２とを入力して、出力アンプ１２の消費電力Ｐａｍｐを演算する演算部１９と、演算部１９により演算された消費電力Ｐａｍｐが予め設定された設定電力Ｐｌｉｍを超過しているか否かを比較する比較部２０と、消費電力Ｐａｍｐが設定電力Ｐｌｉｍを超過しているときには、出力設定部１１の設定値を低下させる制御を行う制御部２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】検査対象デバイスの電源電流をより正確に測定し、検査対象デバイスの良または不良の判定をより正確に行なうこと。
【解決手段】複数の検査対象デバイス１６を、前記複数の検査対象デバイスの電源電流をそれぞれ測定する複数の電流測定装置１４を有する試験ボード１０に搭載し、前記複数の検査対象デバイスのバーンイン試験を行い、前記複数の電流測定装置が測定した前記複数の検査対象デバイスの電源電流に基づき、前記複数の検査対象デバイスのそれぞれについて前記バーンイン試験の良または不良の判定を行なう試験方法。 （もっと読む）

【課題】ラッチアップ試験において、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐこと。
【解決手段】ラッチアップ試験装置は、被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するとともに、プルアップおよびプルダウン動作に伴って被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第１の差分とするとともに、被試験端子に電流パルスを印加する前後において定電圧源から電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第２の差分とし、第１の差分と第２の差分とを比較することで、ラッチアップが発生したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】安全性が高いＢ／Ｉテスト工程を含んだ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂ／Ｉテスト工程の際に、Ｂ／Ｉテスト装置からＢ／ＩボードＢＩＢＤに供給する最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を被テストデバイスＤＵＴの最大動作電流Ｉｃｃ（ｍａｘ）とＢＩＢＤ上のＤＵＴの搭載数Ｎとばらつきを加味した余裕度αに基づいて設定する。Ｂ／Ｉテスト装置は、ＢＩＢＤに供給している電源電流値を監視し、この値が最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を超えた場合に、アラームの発生や当該電源供給の遮断等を行う。 （もっと読む）

【課題】検査用電極を備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージおよびその検査方法の提供。
【解決手段】パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障（断線故障および半断線故障を含む）を検査するＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージの検査方法およびそのＣＭＯＳ論理ＩＣパッケージ。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の電気的テストにおいて、テストヘッド内の電源からプローブ等に至る比較的長い経路を介して供給される電源電圧の変動を防止するために、通常、テストボード上等に、電界コンデンサ等の大容量のバイパスコンデンサを設置している。しかし、大容量のバイパスコンデンサで吸収できる変動は、せいぜい数十ナノ秒程度の比較的短時間の変動のみであり、１００ナノ秒を超えるような比較的長時間の変動には対応できない。
【解決手段】本願発明は、半導体集積回路装置の製造工程中において、半導体集積回路装置の電気的テストを実行するに当たり、電源電圧をテストボード上に設けられた電池から供給するものである。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上と作業効率の向上を図ることができる電子部品の特性測定方法及び特性測定装置を提供する。
【解決手段】（ａ）集積回路を含む電子部品に電圧を印加し、電圧の印加に伴い電子部品を流れる電流の電流値ｉを計測する第１の工程と、（ｂ）計測した電流値ｉがしきい値Ｉ_１に達した後に、電子部品の特性の測定を開始する第２の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定的な振幅を有し、かつ高速にスイッチングする補償電流を生成可能な回路を提供する。
【解決手段】シンク補償回路１２ｃは、補償パルス電流Ｉ_ＳＩＮＫを生成し、この補償パルス電流をＤＵＴ１とは別経路に引きこむ。電流Ｄ／Ａコンバータ１４は、デジタル設定信号Ｄ_ＳＥＴに応じた基準電流Ｉ_ＲＥＦを生成する。第１トランジスタＭ１、第２トランジスタＭ２は、ＭＯＳＦＥＴであり、カレントミラー回路を構成する。スイッチ素子ＳＷ１は、第１トランジスタＭ１のゲートと、第２トランジスタＭ２のゲートの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により電源電圧を一定に保つことが可能な試験装置を提供する。
【解決手段】半導体デバイスに電源電圧を供給する電源装置が提供される。メイン電源１０は、半導体デバイスの電源端子Ｐ１に電力を供給する。電源補償回路１２のソーススイッチ１２ｂは、電源端子Ｐ１と接地端子の間に設けられる。電源補償回路１２は、ソーススイッチ１２ｂをノーマリオンとして電流Ｉ_ＤＣを発生させ、スイッチングによってソーススイッチ１２ｂをオフしたときの電流の変化量を、ソース補償電流Ｉ_ＳＲＣとして半導体デバイスの電源端子Ｐ１に注入する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶを備える半導体デバイスを試験可能な試験装置、試験方法を提供する。
【解決手段】ＤＵＴ１は、第１半導体チップ１０および第２半導体チップ１２を有する３次元実装パッケージ構造を有する。コントローラ３４は、検査対象のＴＳＶ１４を順に切りかえながら、検査対象のＴＳＶ１４に接続される第１出力バッファＢＵＦ１に第１レベルの電圧を出力させるとともに、そのＴＳＶ１４に接続される第２出力バッファＢＵＦ２に、第１レベルと異なる第２レベルの電圧を出力させる。電源装置３０は、電源端子Ｐ１に電源電圧Ｖ_ＤＤを供給する。電流測定部３２は、電源端子Ｐ１に流れる電流Ｉ_ＤＤを測定する。判定部３６は、ＴＳＶ１４ごとに電流測定部３２により測定された電流Ｉ_ＤＤにもとづき、ＴＳＶ１４ごとの不良を判定する。 （もっと読む）

【課題】多様な条件に基づいて、被試験デバイスへの電源電力を遮断する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに電源電力を供給する電源部と、被試験デバイスの状態を示す特性値を検出し、特性値を予め定められた閾値と比較する比較部と、比較部における比較結果に基づいて、電源部から被試験デバイスに供給される電源電力を遮断する遮断部と、比較部における閾値、または、特性値を検出する検出タイミングの少なくとも一方を変更する制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】故障箇所の絞り込みが困難である高抵抗故障を比較的容易に特定することができる半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法を提供する。
【解決手段】解析対象とする半導体集積回路８０１の特定の素子に対してレーザーを照射して特定の素子を加熱するレーザー照射装置１０２と、レーザーの照射と同期して半導体集積回路の入力端子にテストパターンを印加するテストパターンジェネレータ１０１と、テストパターンジェネレータが半導体集積回路の入力端子に印加するテストパターンに同期して半導体集積回路に過渡的に流れる電源電流を検出する過渡電源電流検出装置１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回路面積やコストの増加を抑制しつつ、被試験デバイスに安定的に電源供給可能な電源装置を提供する。
【解決手段】ＤＵＴ１に電源信号Ｓ２（Ｖｄｄ）を供給する試験装置用の電源装置１００が提供される。Ａ／Ｄコンバータ２２は、電源信号Ｓ２に応じたアナログ観測値Ｓ２’をアナログ／デジタル変換し、デジタル観測値Ｓ３を生成する。デジタル信号処理回路２４は、Ａ／Ｄコンバータ２２からのデジタル観測値Ｓ３が所定の基準値Ｒｅｆと一致するように調節される制御値Ｓ４をデジタル演算処理によって生成する。Ｄ／Ａコンバータ２６は、制御値Ｓ４をデジタル／アナログ変換し、ＤＵＴ１に電源信号Ｓ２として供給する。デジタル信号処理回路２４は、その信号処理の内容が変更可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電流測定時において、測定手法を変更することなく、従来の測定に加えて、１つのＤＣモジュールでの連続的な電流波形も測定することが可能な半導体試験装置を実現する。
【解決手段】被試験対象デバイスに電源電圧を供給すると共に被試験対象デバイスに流れる電流に応じた変換信号を出力するＤＣモジュールを複数有し、各ＤＣモジュールからの変換信号をマルチプレクサを切り替えて選択し、選択した変換信号をＡ／Ｄ変換器に与え、このＡ／Ｄ変換器を用いて電流を測定する半導体試験装置において、複数のＤＣモジュールからの変換信号がそれぞれ入力され、複数のＤＣモジュールのうちいずれか１つのＤＣモジュールからの変換信号を全ての出力端子に分配して出力する接続状態、または、複数のＤＣモジュールからのそれぞれの変換信号を各出力端子からそれぞれ出力する接続状態をとるスイッチ部を備える。 （もっと読む）