【課題】高周波特性に影響することのないように半導体装置を押さえて位置決めを行い、高周波特性を測定する際の測定精度を向上することができる高周波特性評価治具を提供する。
【解決手段】高周波基板３０を載せる治具台座１２と、高周波基板３０に配置される第１ブロックユニット３３と、半導体装置１００のリード１０２を高周波基板３０の伝送線路２１，２２に接触させる際に半導体装置のパッケージ１０１をはめ込んで高周波基板３０の表面に平行な面内方向に位置合わせする位置決め穴部６０を有するパッケージガイド３２と、パッケージガイド３２上にて第１ブロックユニット３３とともにパッケージガイド３２を挟み込んで治具台座１２に固定する第２ブロックユニット３１と、第１ブロックユニット３３の開口部から高周波基板の表面に平行な面内方向に対して垂直方向に進入してパッケージ１０１を押すパッケージ押さえ部材１５０を備える。 （もっと読む）

【課題】集積回路において、トランジスタのしきい値電圧などの特性変動あるいはばらつきが与える回路動作への影響を受けにくい集積回路およびＴＥＧ回路を提供する。
【解決手段】１対の抵抗デバイスＭＰ１，ＭＰ２と、１対のＮ型差動トランジスタＭＮ１，ＭＮ２と、該１対のＮ型差動トランジスタに動作電流を供給する電流源トランジスタＭＬとを備えた電流モード動作回路において、その電流源トランジスタに流れる電流の制御電圧ＶＬを、Ｎ型差動トランジスタのしきい値電圧などの特性変動に対して、集積回路の電圧利得が少なくとも１以上となるよう決定する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、２ポート測定の回数を減らし、より短時間で検査を行うことができる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、当該検査方法に好適な半導体装置を提供することである。
【解決手段】ＳＰｎＴスイッチ素子構造を備える半導体装置に対して、ストレートパス（Ｐ−Ｂパス）の接続ポートに高周波特性評価用プローブをプロービングする。この状態でストレートパスの高周波特性を測定する。その後、ストレートパスの接続ポートにプロービングした状態で、ストレートパスを軸として対称な１組のベンドパス（Ａ−ＰパスとＣ−Ｐパス）について、それぞれ高周波特性を測定する。測定後、１組のベンドパスについて、高周波特性を比較する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の測定を高精度に行うことができる半導体測定装置及び半導体測定方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体測定装置は、半導体パッケージ１２の高周波特性を測定する測定基板１３と、半導体パッケージ１２を測定基板１３に押し付ける押さえ部１８とを有する。そして、押さえ部１８は、半導体パッケージ１２と接触する先端部分又は先端近傍の内部に空洞部１９を有する。これにより、押さえ部１８の先端の誘電率が減少する。従って、半導体測定装置の構造に起因する半導体パッケージ上部の誘電率変化を低減することができるため、高周波特性の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性測定を行う場合であっても安定した測定精度が得られる測定装置およびそれを用いた測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の測定装置は、半導体装置の特性を測定するための測定装置であって、測定の対象となる半導体装置を載置するベース台と、ベース台に対して着脱可能な、キャリブレーション用の位置規制部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のヘッド側コネクタの劣化度を測定する。
【解決手段】パフォーマンスボードに代えてテストヘッドに対して装着され、装着時において複数のヘッド側コネクタに一対一で電気的に接続される複数の測定用コネクタを含む測定ボードと、複数のヘッド側コネクタのそれぞれについて、ヘッド側コネクタおよび測定用コネクタに測定信号を通過させる信号発生部と、複数のヘッド側コネクタを通過した複数の測定信号を検出する信号検出部と、複数のヘッド側コネクタを通過した複数の測定信号に基づき、複数のヘッド側コネクタのそれぞれの周波数特性である複数の測定周波数特性を算出する周波数特性算出部と、複数のヘッド側コネクタのそれぞれについて、基準となる周波数特性である基準周波数特性と測定周波数特性との差に基づき劣化度を算出する劣化度算出部とを有する測定装置を備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ回路を試験するための装置の改善。
【解決手段】接点部材は、片持ち梁として絶縁接触膜から突出する弾性指部を有する。指部は、マイクロ回路端子に接触させるための導電性接点パッドをその接点側に有し、接点部材は複数の指部を有し、膜内の二つの放射状に配置したスロットによって部分的に各指部を規制し、接点部材を構成する複数の指部の他の全ての指部から各指部を機械的に分離する。接点部材は、所定のパターンに配置し接点部材アレイを構成。インタフェース膜内の複数の接続ビアは所定のパターンの接点部材内に配置し、接続ビアは各々試験接点部材の一つと位置合わせする。接続ビアは開放端を備えたカップ状を有し、カップ状ビアの開放端は位置合わせした接点部材に接触させる。接点およびインタフェース膜はロードボードを含む試験レセプタクルの一部として用いる。個々のマイクロ回路は試験用にロードボード上に実装する。 （もっと読む）

【課題】
従来のネットワークアナライザー等による測定に比べて、測定帯域を数十ＴＨｚにまで拡大する。
【解決手段】
一つあるいは複数の３端子半導体素子を含む半導体デバイスの高周波特性測定法である。光パルスを用いて、３端子半導体素子の選択された電極間を導通させることで、３端子半導体素子の入力端子に入力信号を生成させ、入力信号に応答する半導体デバイス内の電流変化により、半導体デバイスから空間に放射される電磁波の波形を時間領域で検出し、検出された時間波形情報を処理して該半導体デバイスの高周波特性を測定する。好ましい態様では、光パルスを、半導体デバイスの半導体基板における選択された部位に直接照射することで、３端子半導体素子の入力端子に入力信号を生成する。 （もっと読む）