【課題】半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネルの製造に用いることのできるフォトレジスト技術に関し、従来の反応現像画像形成法により形成されるフォトレジストの耐熱性を向上させ、かつ適正な現像時間を確保する手段を提供する。
【解決手段】所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後この層をアルカリを含む溶剤で洗浄することから成る現像画像形成法において、該フォトレジスト層が、アマダンタン骨格を有する耐熱性ポリカーボネート樹脂と光酸発生剤とから成り、該アルカリがアミンであることを特徴とする反応現像画像形成法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネルの製造に用いることのできるフォトレジスト技術に関し、ポジ型フォトレジストである従来の反応現像画像形成法を高感度に改良し、露光量又は露光時間を大幅に削減する。
【解決手段】従来のフォトレジスト層が含むヘテロ原子に結合したカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を主鎖に含む縮合型ポリマーと光酸発生剤に、下式の増幅剤を併用することにより、感度を改良した。 Ｒ^１−Ｙ−Ｘ−Ｏ−Ｒ^２（式中、Ｒ^１はアリール基等、Ｙは単結合等、Ｘはカルボニル基（−ＣＯ−）等、Ｒ^２はアルキル基を表す。）で表される。 （もっと読む）