【課題】エッチング耐性に優れ、ドライエッチングプロセスにおいて折れ曲がり難く、レジストパターンを忠実に再現性よく被加工基板に転写することが可能な下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルデヒド基及び水酸基の少なくともいずれかを有するピレン骨格を含むノボラック樹脂と有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を低減し、加工精度を向上させたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に下層膜２を形成する工程と、下層膜２上に、酸により脱保護する保護基を含むシリコン含有中間膜３を形成する工程と、シリコン含有中間膜３上にレジスト膜４を形成する工程と、レジスト膜４の所定領域を露光する工程と、現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の段差部におけるレジストパターン寸法の均一性が高く、段差部の埋込性が良好である、イオン注入工程用の樹脂組成物及び該イオン注入工程用の樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板とフォトレジスト膜（１）の間に設けられる組成物膜（２）を形成する樹脂組成物であって、該組成物膜（２）の露光波長に対する消衰係数が０．１５以下であり、該樹脂組成物がアルカリ水性現像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とするイオン注入工程用の樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光光に対する反射率が低く、酸素プラズマやフッ化炭素系ガス等に対するエッチング耐性にも優れた下層膜を形成するための下層膜用組成物、及びこの下層膜用組成物を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト膜の下層に下層膜を形成するために用いられる下層膜用組成物に、下記一般式（１）で表される構成単位（Ａ１）と、下記一般式（２）で表される構成単位（Ａ２）とを含む共重合体を含有させる。


［式中、Ｒ^１、Ｒ^３は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^２はナフチレン基又はアントリレン基を表す。］ （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れた下層膜を形成できる下層膜形成用材料を提供する。
【解決手段】基板とレジスト膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、フラーレンＣ_６０のフラーレン骨格上に下記一般式（Ａ１−１）［式（Ａ１−１）中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく有していなくてもよいヒドロキシフェニル基であり；Ｒ^６は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基である。］で表される部分構造を有するフラーレン誘導体（Ａ１−１）を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。
［化１］
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【課題】ドライエッチング法によるカラーフィルタの製造方法であって、微細かつ矩形な画素を有し平坦性に優れたカラーフィルタを製造することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に設けた第１の着色層上に、エッチングストッパー層を形成し、第２の着色層を形成すべき領域に対応する第１の着色層をドライエッチング法により除去する。その除去領域を埋め込むように第２の着色層を形成し、次いで、第３の着色層を形成すべき領域に対応する第１及び第２の着色層をドライエッチング法により除去する。その除去領域を埋め込むように第３の着色層を形成し、着色層上に積層された着色層をエッチングストッパー層が露出するまで除去するカラーフィルタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）無機酸及びスルホン酸誘導体から選ばれる化合物を酸触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物の反応混合物から上記酸触媒を実質的に除去する工程を経て得ることのできるケイ素含有化合物、（Ｂ）式（１）又は（２）の化合物、 Ｌ_aＨ_bＸ （１）（式中、ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓ、ＸはＯＨ、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上で、ａ＋ｂは水酸基又は有機酸基の価数である。） ＭＡ （２）（式中、Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Ａは非求核性対向イオン。）（Ｃ）炭素数が１〜３０の有機酸、（Ｄ）有機溶剤、を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）