エルビウムファイバ（或いはエルビウム−イットリビウム）ベースチャープパルス増幅システムが説明される。通信の窓で動作するファイバ増幅器の使用は、優れた機械的安定性をもつ通信要素と通信コンパチ式手順の実施を可能にする。
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１Ｇｂ／秒を超えるスイッチング速度を達成する電気光学変調器配置は、プリエンファシス・パルスを利用して、電気光学変調器を形成するのに用いられる光導波路の屈折率の変化を加速させる。一実施形態では、変調された光出力信号の一部を用いてプリエンファシス・パルスの大きさおよび持続時間のほか変調に使用される種々の基準レベルを調整するために、フィードバック・ループが加えられ得る。シリコンベース電気光学変調器を含む自由キャリヤベースの電気光学変調器では、プリエンファシス・パルスを用いて入力信号データ値間の遷移において自由キャリヤの移動が加速される。

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【課題】接続部分における電気反射を抑制することにより、伝搬する電気信号波形の劣化を抑制できる高周波電気伝送線路の接続構造を提供すること。
【解決手段】同一基板上に構成され、前記基板上のベンゾシクロブテン膜３上に形成されたマイクロストリップ１を信号線とする第１の高周波電気伝送線路と、前記基板上のインジウムリン系誘電体膜４上に形成され、マイクロストリップ１の線幅よりも狭い線幅を有する進行波型電極２を信号線とする第２の高周波電気伝送線路とを電気的に接続する高周波電気伝送線路の接続構造において、マイクロストリップ１を進行波型電極２に電気的に接続する接続線の線幅がインジウムリン系誘電体膜４上で変化していることを特徴とする高周波電気伝送線路の接続構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】 光導波路間の熱分離性能が高く、光導波路間の距離を小さくでき、小型化及び高集積化が可能な光回路部品を提供する。
【解決手段】 基板１上にクラッド層２を設け、このクラッド層２中に２本のコア３ａ及び３ｂを設ける。また、クラッド層２の表面上におけるコア３ａ及び３ｂの直上域を含む領域に薄膜ヒータ５ａ及び５ｂを設ける。更に、クラッド層２の表面上にラジエータ８を設ける。ラジエータ８の形状は、薄膜ヒータ５ａ及び５ｂを囲むような櫛状形状とし、その一部はコア３ａ及とコア３ｂとの間の領域９に形成する。 （もっと読む）

【課題】 さまざまなサイズの光電変換半導体素子をコプレナ基板に実装することのできる光電変換半導体装置を提供する。
【解決手段】 本光電変換半導体装置は、光電変換半導体素子１、コプレナ基板２、インピーダンス整合用の終端抵抗３を備えている。コプレナ基板２には、シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとが形成されている。シグナルライン４は、相対的に大きい幅４４ａと小さい幅４４ｂをそれぞれ有して延びる部分を備えている。シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとのギャップも、相対的に大きいギャップ１０ａと小さいギャップ１０ｂの部分がある。 （もっと読む）