【課題】低い配線抵抗，熱的安定性を有し，画素電極との接触抵抗特性が改善されたフラットパネルディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラットパネルディスプレイ装置は、基板１００と，該基板１００上に順次積層された耐熱性金属膜パターン１３１ａ，アルミニウム系金属膜パターン１３１ｃ，およびキャッピング金属膜パターン１３１ｄを備えるソース／ドレイン電極１３１と，を含み，耐熱性金属膜パターン１３１ａは，５００Å以下の厚さを有し，耐熱性金属膜パターン１３１ａとアルミニウム系金属膜パターン１３１ｃとの間には，拡散防止膜パターン１３１ｂがさらに含まれる （もっと読む）

【課題】液晶の温度に応じて液晶を加熱することができ、さらに液晶を面内で均一な温度に加熱することができる液晶表示装置を提供すること、及び上記液晶表示装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１は、対向して配置されたガラス基板１１，２１と、これらの間に封入された液晶６２と、電流が流れることによって加熱されるヒータ層４１と、ヒータ層４１と直列に接続された、温度によって抵抗値が変化する抵抗素子４２とを備える。液晶６２が所定の温度を下回ると、抵抗素子４２の抵抗値が低下し、給電線４３、抵抗素子４２、ヒータ層４１、ＧＮＤ電極４４の経路で電流が流れ、ヒータ層４１が加熱される。これにより液晶６２が加熱されるので、低温環境下でも高速応答を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを煩雑化させずに、画素の狭ピッチ化や高開口率化を実現する。
【解決手段】電気光学物質層を対向基板との間で挟持するアレイ基板上に、走査線５と、データ線６と、画素電極１１と、トランジスタと、蓄積容量と、固定電極層１７とを含む積層構造を有する電気光学装置の構成として、固定電極層１７は第１の方向で隣り合うデータ線６の間で分断され、この分断部分に第１中継電極層１８が形成されると共に、この第１中継電極層１８を介して画素電極１１とトランジスタとが電気的に接続され、固定電極層１７および第１中継電極層１８の上層に形成される絶縁層２５の膜厚は、第１方向で隣接する画素電極間距離の０．５倍以上に設定され、固定電極層１７と蓄積容量とは、データ線６と同層の第２中継電極層１５を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】４色以上であっても横クロストークと横すじの発生を防止できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】同一の列内において、正負極性を２走査線ごとに反転させ、列内での画素電極と右隣の画素電極との間の正負極性が異なるか同じかが１走査線ごとになっている列つまりＲ、Ｇ、Ｂの列と、列内での画素電極と右隣の画素電極との間で正負極性が異なる列つまりＷの列とを構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー光の照射位置が明確で、確実にリペアすることが可能なゲート電極又はドレイン電極の形状を有し、導電性のメタル捲れやメタル塊の飛散を抑制できる液晶表示装置及びその欠陥画素修復方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数のゲート配線１と、ゲート配線１と略直交するように形成された複数のソース配線３と、ゲート配線１とソース配線３との交差部毎に、マトリクス状に形成された画素電極６と、ゲート配線１と接続されたゲート電極２と、ソース配線３と接続されたソース電極４と、画素電極６と接続されたドレイン電極５とを有し、それぞれの画素電極６に対応して形成されたＴＦＴとを備える液晶表示装置である。そして、本発明に係るＴＦＴは、ゲート電極２とドレイン電極５とが平面的に重なり合う位置のゲート電極２及びドレイン電極５のうち少なくとも一方に孔１５，１６を備える。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流の発生によって、画像の保持特性が低下することと、反転駆動時においてフリッカや残像が発生することとを防止し、画像品質を向上する。
【解決手段】画素スイッチング素子１０２と信号配線２０２との間の層間絶縁膜１６を、第２のソース・ドレイン領域１０２ｂに対応する領域に形成された第１の厚さＤ１が、ゲート電極１０２ｇに対応する領域の第２の厚さＤ２よりも厚くなるように形成する。これにより、反転駆動する際に第２のソース・ドレイン領域１０２ｂと信号配線２０２とにおいて生ずるオフ時のリーク電流を、高電位ＨＩＧＨでの駆動の場合と低電位ＬＯＷでの駆動の場合とのそれぞれにおいて等しくする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、量産に適し、低コストで製造可能な薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に有機半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６をこの順に積層してなる薄膜トランジスタ１０の製造方法において、印刷法により、ゲート絶縁膜１５上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布されたゲート電極材料を乾燥固化してなるゲート電極１６を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこの薄膜トランジスタを用いた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】製造工程中に端子部が腐食するのを防止し、信頼性を向上させる。
【解決手段】一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、画素電極と、対向電極とを有し、前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板上で、表示領域外の領域に端子部を有し、前記端子部は、下側電極部ＴＬと、前記下側電極部上に設けられ前記下側電極部に電気的に接続される上側電極部ＴＨとを有し、前記上側電極部は、第１の透明導電膜ＴＨ１と、前記第１の透明導電膜上に設けられる第２の透明導電膜ＴＨ２とで構成される。 （もっと読む）

【課題】超大型広視野角超高速応答液晶表示装置を３回のホトリソグラフィー工程で製造する。
【解決手段】Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。ソース電極とドレイン電極と配向制御電極は、ノーマル露光技術を用いて形成する。
パッシベーション層は、マスキングデポジッション法を用いてＰ−ＣＶＤ装置で成膜するか、インクジェット塗布法を用いて保護層を局所領域に塗布することで、３回のホトマスク工程で超大型広視野角超高速応答液晶表示用ＴＦＴアレイ基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な表示品位を有する液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、対向配置されたアレイ基板１１０と対向基板２０１との間に挟持された液晶層２０３とを備え、１画素内に反射部と、透過部とが設けられている液晶表示装置であって、アレイ基板１１０が、反射部Ｓに設けられた反射画素電極６５と、反射部Ｓに設けられ、反射画素電極６５との間で斜め方向電界を生じさせる反射共通電極６６と、透過部Ｔに設けられた透過共通電極９２と、透過部Ｔに設けられ、透過共通電極９２との間で横方向電界を生じさせる透過画素電極９１と、を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】減少させたマスク数で製造可能である共に、エッチストッパを利用して、素子の信頼性を向上させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第１基板及び第２基板を提供する段階と、第１マスク工程により、第１基板にゲート電極、ゲートライン、接続電極、共通電極及び画素電極を形成する段階と、第１基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、第２マスク工程により、第１基板上に第１コンタクトホール、第２コンタクトホール、第３コンタクトホール、第１ホール、及び第２ホールが形成された１次絶縁膜パターンを形成する段階と、第３マスク工程により、第１基板上にアクティブパターンを形成し、第２コンタクトホール及び第３コンタクトホールを介してアクティブパターンの所定領域と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、第１基板と第２基板とを貼り合わせる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素分離領域の表示が常に黒となることを避け、かつ、画素分離領域に入射する光を遮光し、良好な画像が得られるようにした反射型表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素電極１１９がそれらの互いに隣接するもの同士の間に画素分離領域１２１を介在させて配置されており、画素電極１１９にその上面側から入射した光を反射させて画像を表示する反射型液晶表示装置。画素分離領域１２１は、画素電極１１９の下面に隣接する絶縁体層１１７の端面と接している。画素分離領域１２１は、絶縁体層１１７の屈折率より大きな屈折率を持つ絶縁体からなる。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に薄膜トランジスタと光電変換素子を有する装置において、薄膜トランジスタと光電変換素子の最適な配置、構造等を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決すべく、本発明に係る装置は、同一基板上に設けられた第１及び第２の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トランジスタに電気的に接続された光電変換素子と、を有し、前記第１の薄膜トランジスタ及び前記光電変換素子は、重なっていることを特徴とする。また、他の本発明は、前記第２の薄膜トランジスタのうち、ソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された配線上に設けられた、複数の層でなる絶縁膜と、前記複数の層でなる絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記配線に電気的に接続された電極と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールによる表示損失を防止できる半透過反射型の液晶装置、液晶装
置の製造方法、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、液晶パネルおよびバックライト３１を備える。液晶パネルは、
素子基板６０、対向基板７０、および液晶を備える。素子基板６０の透過領域５０Ａには
、透明電極５５Ａが形成され、この透明電極５５Ａは、素子基板６０の反射領域５０Ｂに
延設されてＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続された画素電位側容量電極５３２に、電
気的に接続される。素子基板６０の反射領域５０Ｂには、透明電極５５Ａのうち反射領域
５０Ｂに延設された透明電極５５Ａおよび画素電位側容量電極５３２を覆って、反射部樹
脂膜６５Ｂが形成され、反射部樹脂膜６５Ｂの上には、反射膜５８および透明電極５５Ｂ
が形成される。反射膜５８および透明電極５５Ｂは、透明電極５５Ａと電気的に接続され
る。 （もっと読む）

【課題】高開口率を有する表示基板、その製造方法及びこれを具備する表示装置を提供する。
【解決手段】表示基板は、複数の画素部を含み、各画素部はスイッチング素子、ストレージキャパシタ、ストレージ配線、及び画素電極を含む。スイッチング素子は、チャネル部とドーピング部とを含む多結晶シリコン層と、チャネル部上に下部層と上部層にして形成されたゲート電極、ドーピング部と接触するソース電極及びドレイン電極を含む。ストレージキャパシタは、多結晶シリコン層にして形成された第１ストレージ電極と、下部層にして形成された第２ストレージ電極とを含む。ストレージ配線は、下部層及び上部層にして形成され、第２ストレージ電極と接続される。画素電極は、スイッチング素子と電気的に接続される。これによって、ストレージキャパシタの面積を縮小せず、高開口率の表示基板を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】下部容量電極７１ｍは、非開口領域に形成された複数の金属膜であるデータ
線６ａ、上部容量電極３００及び下部容量電極７１ｍのうち最も下層側に形成された金属
膜である。したがって、データ線６ａ等の蓄積容量７０ａ上に配置された金属膜によって
半導体層１ａを遮光する場合に比べて、光源等から出射された光のうち半導体層１ａに到
達する光を低減できる。より具体的には、下部容量電極７１ｍの幅Ｗ１及び上部容量電極
３００の幅Ｗ２の大きさが、非開口領域に形成されたデータ線６ａの幅Ｗ０の大きさより
大きいだけでなく、下部容量電極７１ｍの幅Ｗ１がこれら金属膜の幅の中で最も大きいた
め、光源等から半導体層１ａに向かって半導体層１ａの法線方向に対して大きい角度で入
射する入射光を効果的に遮ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】表示品質と開口率を向上することができる液晶表示装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】基板上に位置し、相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線に接続されるゲート電極と、ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するアクティブ層と、アクティブ層上に位置し、相互に離間されたソース電極及びドレイン電極と、アクティブ層及びソース電極間、並びにアクティブ層及びドレイン電極間に位置するオーミックコンタクト層と、アクティブ層上に位置し、ソース電極及びドレイン電極の内側に向かう二つの側面を有し、二つの側面のうち、少なくとも一つは、ソース電極及びドレイン電極の内側間に位置するシールドパターンと、画素領域に位置し、ドレイン電極に接続される画素電極とを設けた。 （もっと読む）

【課題】対向透明電極側と反射画素電極側の仕事関数をほぼ一致させて、明るい表示画像が得られ、かつフリッカーや焼付きが発生しない反射型液晶表示装置を、高いスループットと安いコストで提供する。
【解決手段】Ａｌ反射画素電極１２を形成してなる第１の基板と、ＩＴＯ対向透明電極９を形成してなる透明な第２の基板とを、反射画素電極１２と前記対向透明電極９とが対向するように配置し、これら第１の基板と第２の基板との間隙に液晶層８を注入してなる反射型液晶表示装置。反射画素電極１２上にＣｏを含んでなる仕事関数調整層６が形成されている。反射画素電極１２と仕事関数調整層６とを合わせた仕事関数と、対向透明電極９の仕事関数との差が０．２ｅＶ以内である。 （もっと読む）

【課題】透過領域および反射領域において、フリッカが生じるのを抑制できる半透過反射
型の液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、液晶パネルおよびバックライト３１を備える。液晶パネルは、
素子基板６０、対向基板７０、および液晶を備える。素子基板６０の透過領域５０Ａには
、透明電極５５Ａが形成され、この透明電極５５Ａは、素子基板６０の反射領域５０Ｂに
延設されてＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続された画素電位側容量電極５３２に、電
気的に接続される。素子基板６０の反射領域５０Ｂには、透明電極５５Ａのうち反射領域
５０Ｂに延設された透明電極５５Ａおよび画素電位側容量電極５３２を覆って、反射部樹
脂膜６５Ｂが形成され、反射部樹脂膜６５Ｂの上には、反射膜５８および透明電極５５Ｂ
が形成される。反射膜５８および透明電極５５Ｂは、透明電極５５Ａと電気的に接続され
る。 （もっと読む）

【課題】歩留り低下及びコスト上昇を抑え、かつ、光学的特性を良好に維持しつつ、特性の経時的変化を抑制して高い信頼性を確保する。
【解決手段】ポリシリコン膜にドーパントを注入し、加熱処理によって注入したドーパントを活性化し、ソース領域及びドレイン領域、及びチャネル領域を形成した後、基板温度を、３５０℃〜４２０℃の範囲内に保って、３分〜６０分の処理時間、基板を水素ガスによるプラズマに晒す。これによって、下地保護膜３を構成する二酸化シリコンは、吸蔵水の含有量が抑えられ、薄膜トランジスタ１の動作温度において、下地保護膜３から水分が不純物として特に半導体膜１４へ拡散して、動作特性に悪影響を与えることが防止される。 （もっと読む）