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Fターム[2H092JB16]の内容

Fターム[2H092JB16]に分類される特許

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【課題】 駆動回路部において電源の電位を安定させる。
【解決手段】 TFTアレイ基板10上に層間絶縁膜12、41、42が形成されており、その上に分岐配線91y、層間絶縁膜43、分岐配線93y及び層間絶縁膜44がこの順で形成されている。層間絶縁膜43は、分岐配線93yを含む駆動電源線93及び分岐配線91yを含む共通電位線91間を電気的に絶縁すると共に容量C1の誘電体膜として兼用されている。したがって、TFTアレイ基板10上に駆動電源線93及び共通電位線91と、これら配線間に層間絶縁膜43を形成することによって、容量とされるコンデンサ素子を設けることなく、TFTアレイ基板10上に形成された多層構造をそのまま利用して容量を構成することが可能である。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向方向を確実に設定する。
【解決手段】表示電極12と、対向電極32との間に液晶20が配置される。そして、対向電極32上には、絶縁膜34を介し配向制御電極36が設けられる。この配向制御電極36は、1画素に1つずつ所定のパターンで形成され、対向電極32とは異なった電圧に維持される。特に、表示電極12に印加される電圧の極性に応じて対向電極32に対する極性が制御されることが好ましい。このようにして、配向制御電極36と、対向電極32との間に適当な電界が形成され、これによって液晶20の配向方向が制御される。 (もっと読む)


【課題】工程の単純化を可能にする液晶表示装置とその製造方法を得る。
【解決手段】基板上でゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと、ゲートライン及びデータラインの間に形成された絶縁膜と、ゲート電極、ドレイン電極及びソース電極を含み、ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタと、画素領域それぞれで薄膜トランジスタと接続された複数の画素電極と、画素領域それぞれで画素電極と実質的に並べて形成された複数の共通電極と、共通電極と接続された共通ラインと、ゲートライン、データライン、共通ラインの中の少なくとも何れか一つと接続されたパッドとを備え、ゲートライン、ゲート電極、画素電極、共通電極、共通ライン及びパッドを有する第1のパターン群は、透明導電層を含む階段状の複層の電導層を備えている。 (もっと読む)


【課題】視野角が向上した液晶表示素子を提供する。
【解決手段】液晶表示素子は、単位画素が配列される第1基板と、前記第1基板と対向する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板の間に形成されて第1方向に配列された液晶層と、前記第1基板の外側に形成され、前記第1方向に平行な偏光軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外側に形成され、前記第1方向に垂直な偏光軸を有する一軸延伸フィルムを含む第2偏光板とを備える。 (もっと読む)


【課題】共通電極で反射して薄膜トランジスタの半導体層に入射する光による、漏れ電流を減少させる。
【解決手段】共通電極を含む共通電極表示板、前記共通電極表示板に対向している薄膜トランジスタ表示板、前記共通電極表示板及び前記薄膜トランジスタ表示板の間に形成されている液晶層を含み、前記共通電極は、前記薄膜トランジスタ表示板を通じて入射される光の反射率が5%以下の厚さに形成されている。 (もっと読む)


【課題】全体的な透過率を増大させることができるFFSモード液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】互いに交差して配列されて単位画素領域を画定するゲートバスライン及びデータバスライン並びに、それぞれの単位画素領域内に配置されて、ゲート絶縁膜120を介装するカウンター電極110及び画素電極130を備える下部基板と、それぞれの単位画素領域に対応して配置されるカラーフィルタを備え、液晶層を介装して下部基板に合着する上部基板とを備えるFFSモード液晶表示装置であって、画素電極130が、ゲート絶縁膜120の上部表面に形成される複数の第1画素電極131と、第1画素電極131の上に形成された保護層140の上部表面に、第1画素電極131のそれぞれと所定の距離水平離隔して形成され、保護層140に形成されたコンタクトホールを介して第1画素電極131と電気的に接続される第2画素電極132とを備える。 (もっと読む)


【課題】グレーレベルの変化によらず、常に最も速い応答速度を実現することができるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】互いに交差して配列されて単位画素領域を画定するゲートバスライン及びデータバスライン並びに、それぞれの前記単位画素領域内に配置されて、ゲート絶縁膜を介装するカウンター電極120及び画素電極を有する下部基板と、それぞれの前記単位画素領域に対応して配置されるカラーフィルタを備え、液晶層を介装して前記下部基板に合着する上部基板とを備えるFFSモード液晶表示装置であって、前記画素電極が、前記ゲート絶縁膜の上に、互いに隔離して平行に配置される複数の第1櫛形部分131aを備える第1画素電極と、第1櫛形部分131aと所定の角度をなして互いに隔離して平行に配置される複数の第2櫛形部分132aとを備える第2画素電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】充分に広い範囲に亙って安定した視野制御を行なうことができる視野角可変型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】一対の基板11,12間に液晶層13が設けられ、一方の基板12の内面に、液晶層13に基板12面に実質的に平行な方向の横電界を生成するための互いに絶縁された第1と第2の電極14,15が設けられ、他方の基板11の内面には、表示領域に対応する第3の電極25が設けられ、一対の基板11,12を挟んで一対の偏光板29,30が配置された液晶表示素子10と、前記第1と第2の電極14,15間に画像データに対応する表示駆動電圧を供給し、その電極14,15間に横電界を生成する画像表示駆動手段と、前記第1の電極14と第3の電極25との間に表示駆動電圧に対して独立した視野角制御電圧を供給し、その電極14,25間に液晶層13の厚さ方向と実質的に平行な方向の縦電界を生成させる視野角制御駆動手段とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 画質を向上できる半透過型FFSモード液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 透過及び反射領域のセルギャップの異なるデュアルセルギャップ構造を有する半透過型FFSモード液晶表示装置において、対向電極42及びスリット形態の画素電極51を備える下部基板40を液晶層の介在下で上部基板と対向配置し、上部基板の外側に上部偏光板を、下部基板40の外側に下部偏光板を配置し、反射領域の下部基板の内側に有機レジン膜41を介して反射板49を、反射板を備えた下部基板と下部偏光板との間に下側λ/2プレートを、上部基板と上部偏光板との間に上側λ/2プレートを備え、画素電極51は反射領域と透過領域でスリットの傾斜角、幅及び間隔が互いに異なるように形成され、反射領域及び透過領域の液晶層の位相遅延はそれぞれ0又はλ/4及び0又はλ/2になるようにスイッチングされる。 (もっと読む)


【課題】 漏光による光電流の発生を防止し、TFT素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一対の基板1A,1Bと、一対の基板1A,1Bに挟まれた液晶層7と、TFT基板1Aにマトリクス状に配置された複数の画素電極34と、複数の画素電極34に対応するようにTFT基板1A上に配置されており、かつ各々が半導体層2を有する複数のTFT素子Tと、を備える液晶表示装置A1であって、各々がTFT基板1Aの面内方向において各半導体層2の四方を囲う複数の第1透明絶縁層4Aと、TFT基板1Aの面内方向において複数の第1透明絶縁層4Aの四方を囲う第2透明絶縁層4Bと、をさらに備えており、かつ、第1透明絶縁層4Aは、その屈折率が第2透明絶縁層4Bの屈折率よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】 表示面を見る方向が異なる場合でも、表示画像を同一の着色や色合いで表示できる横電界方式の液晶装置と、当該液晶装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 液晶層を挟持して対向配置された第1基板と第2基板とを備え、複数のドット領域の各々において表示を行う液晶装置100であって、第1基板の液晶層側に、ドット領域内の液晶層に略基板平面方向の電界を印加する第1電極19と第2電極9とが設けられ、第1電極19及び第2電極9には、電極面の一部を被覆する誘電体膜9d,19dと、電極面を露出させる電極露出部9e,19eとが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電極パターンの境界領域の影響を受けずに液晶分子を最小化して液晶の配向を速くして、液晶の衝突などによる残像を最少化することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板、基板上に形成されている電界生成電極、そして基板上に形成されていて稜線と斜面を含む傾斜部材を含み、稜線には少なくとも1つの特異部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】画素と画素の間隔が狭くなる高精細な液晶表示装置に対してディスクリネーションに起因する表示欠陥を生じないようにし、高コントラストでかつ明るい表示を可能とした反射型液晶装置及び投射型表示装置と電子機器の提供を目的とする。
【解決手段】第1基板と第2基板に挟持された液晶層と、前記第2基板の前記液晶層側の面に形成された第1電極、第2電極を備え、前記第1電極と前記第2電極は前記液晶層に対し実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成された液晶装置において、前記第1電極は前記第2電極上に第2絶縁膜を介して所定の線幅を有する線状形状で形成され、前記第2電極は矩形形状で形成され、前記第1電極、前記第2電極のうち少なくとも1つは前記第1基板側から入射した光を反射させる反射電極であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 信号線3からの漏れ電界に対する遮蔽効果を高め、遮光領域を減らすことにより開口部50の広い、高品質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 走査線、信号線3、前記走査線と前記信号線3が交差してなる画素、前記画素に設けられた薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタと接続された駆動電極5、この駆動電極と対向して設けられた対向電極6、前記対向電極6と他の画素の対向電極とを接続する共通配線を備えたTFTアレイ基板20と、このTFTアレイ基板に対向するように設けられた対向基板30と、前記TFTアレイ基板20と前記対向基板30との間に封入され、前記駆動電極5および対向電極6が基板面に平行な電界を発生させて駆動する液晶11とを備えた面内スイッチング型液晶表示装置において、前記TFTアレイ基板20は、前記駆動電極5および対向電極6を前記信号線3の形成される層とは異なる前記液晶11に近い層に形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】 輝度が高いと共に画像のコントラストが大きく、低コスト且つ容易に製造することができる液晶表示装置及びその製造方法並びに投射表示装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板5上にTFT10を形成し、コンタクトホール12a及び12bの内壁及び底面に延出するように、SD配線層13a及び13bを形成する。このとき、SD配線層13a及び13bの上面にはコンタクトホール12a及び12bの形状を反映した凹部が形成される。次に、常圧CVD法により、O中のO濃度を5乃至20g/mとし、低濃度O−TEOS系SiO膜を成膜し、引き続き、O中のO濃度を100乃至200g/mとし、高濃度O−TEOS系SiO膜を成膜する。これにより、凹部内に埋設され平坦面14aを備えたシリコン酸化膜14が形成される。その後、蓄積容量18を形成する。 (もっと読む)


【課題】液晶配向を安定化させながら超高開口率を確保することができ、製造工程時に誤整列が発生しても染みを防止することができ、さらに優れた輝度を確保することができる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を含むゲート線と、このゲート線と交差してゲート線に対して45゜ど傾いた斜線部とゲート線と交差する交差部を有するデータ線が形成されている。ゲート線に連結されているゲート電極、データ線に連結されているソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタが形成されている。これらの上部には有機絶縁物質からなる保護膜が形成されており、その上部にはドレイン電極に連結されており、データ線を完全に覆っていて隣接する二つのゲート線の間の間隔を二等分する中心線付近で屈曲されている画素電極が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画像表示領域における各種配線層や素子の存在に起因する段差を低減すること。
【解決手段】 電気光学装置1は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層11と、TFTアレイ基板2にマトリクス状に設けられた画素電極9aとを備える。TFTアレイ基板では、データ線6a、走査線3a、容量線3bおよびTFT30のも下層側に凹部50が形成されているので、配向膜18を平坦に形成できる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、COT(colorfilter on thin film transistor)構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と;ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと;画素領域に位置するカラーフィルターパターンと;画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第1積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。 (もっと読む)


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