【課題】 保持容量に用いる容量用絶縁層を厚くすることなく、非線形素子の信頼性を向上可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、非線形素子５の素子用絶縁層７１は、素子用下電極６１の側面を覆う部分７１１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、素子用下電極６１の上面を覆う部分７１２がタンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂによって構成されている。保持容量９において、容量用絶縁層７２は、容量用下電極６２の側面を覆う部分７２１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、容量用下電極６２の上面を覆う部分７２２は、タンタル酸化膜７ａからなる下層と、タンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂからなる上層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】駆動回路が異常停止した場合にも画素電極の残留電荷を減少させ、液晶の劣化を防止でき、低電圧駆動可能な液晶表示装置を実現する。
【解決手段】画素に設ける電界効果トランジスタをゲート端子にオフ信号が印加されてない状態でオンとなるディプレッションモードとする。また画素部に基板電圧を供給する基板電圧供給線を設け、画素部に設けたスルーホールを介して基板電圧を供給し、入力信号に対して最適なしきい値を制御する。表示領域周辺部には映像信号線と基板電圧供給線とが交差するよう配線を設ける。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域およびその近傍への迷光の入射を防ぐことが可能で光リーク電流の少ない薄膜トランジスタを有する薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられた配線パターン５と、配線パターン５を覆う層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に設けられた半導体層９と、ゲート絶縁膜１１を介して半導体層９上を横切る状態で設けられ層間絶縁膜７に形成された接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されたゲート電極１３とを備えた薄膜半導体装置１において、ゲート電極１３は、ゲート電極１３が上部に重ねて配置された半導体層９のチャネル領域９ａを挟んだ両側において、接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】 光透過性を良好にして表示品位を高め、さらには、ゲート絶縁膜の特性向上を図ってリーク等を防止し、信頼性を向上した、電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基材１０ａと、基材１０ａ上に配列形成された複数の画素領域とを備え、画素領域に、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板の製造方法である。薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】 ゴースト等の発生がない良好な表示画像を得ることができる電気光学装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】 画像信号を供給する複数の画像信号線と、前記複数の画像信号線に供給される画像信号をサンプリングして前記各データ線に供給する複数のサンプリングスイッチと、複数のサンプリングスイッチからなるブロック毎に共通にサンプリング制御信号を出力するシフトレジスタと、前記シフトレジスタの出力端に接続された第１バッファ回路と、前記第１バッファ回路の出力端に並列に接続された複数の第２バッファ回路とを有し、前記複数の第２バッファ回路の出力端は前記ブロック内のサンプリングスイッチに接続されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）